Русский язык
Войти
Зарегистрироваться
Все Категории
Размещать Запрос на Поставку

Лёгкая Закупка

Удобнее, Эффективнее

  • Один запрос, несколько предложений
  • Соответствие проверенных поставщиков
  • Сравнение предложений и запрос образца

Связаться с Поставщиком

Avatar
Miss Joy Li
Связаться Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...
Назад на страницу продукции

Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET

Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET pictures & photos
Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET pictures & photos
Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET pictures & photos
Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET pictures & photos
Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET pictures & photos
Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET pictures & photos
  • Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
  • Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
  • Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
  • Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
  • Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
  • Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
Цена FOB для Справки
Получить Цену
0,2 $ / шт. | 660 Куски (Минимальный Заказ)
Description: Extremely Low Switching Loss
Characteristics: Excellent Stability and Uniformity
Applications: PC Power
Industries: LED Lighting
Транспортная Упаковка: Air
Торговая Марка: Orientalsemiconductor
Избранное

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
avatar Miss Joy Li
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Люди, которые посмотрели это, также посмотрели

Автомобильная промышленность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
Автомобильная промышленность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
0,1-0,6 $ / шт.
Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
0,1-0,6 $ / шт.
Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
0,1-0,6 $ / шт.
Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT
Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT
0,1-0,6 $ / шт.
Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT
0,1-0,6 $ / шт.

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары Super Si2C изображения Чрезвычайно быстрое переключение лучше, чем устройство Gallium Nitride (GaN) В высокочастотных операциях Super Si Os65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник MOSFET
Больше
О Нас Заявление Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности Связаться с Made-in-China.com Быстрый Поиск Продуктов
Языковой Вариант: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.