Меню
Зарегистрироваться
Русский язык
Меню
Размещать Запрос на Поставку

Лёгкая Закупка

Удобнее, Эффективнее

  • Один запрос, несколько предложений
  • Соответствие проверенных поставщиков
  • Сравнение предложений и запрос образца
Shanghai Winture Electric Co., Ltd.
Shanghai, Китай
Основные Товары:
Мосфет транзистор силовой полупроводник , зарядное устройство для электромобилей силовой мосфет транзистор , высоковольтный суперсистемный мосфет транзистор , мосфет транзистор для зарядки постоянным током новых энергетических автомобилей , 5g источник питания базовой станции мосфет транзистор , мосфет транзистор для солнечного инвертора , мосфет транзистор для хранения энергии , мосфет транзистор для серверов дата-центров , силовой мосфет для промышленного освещения , силовой мосфет для зарядки постоянным током
Адрес:
Room 302, Building 20, No. 518 Xinzhuan Road, Songjiang District, Shanghai China (Zip code:201612)
Основные Рынки:
Северная Америка, Южная Америка, Восточная Европа, Юго-Восточная Азия, Африка, Океания, Средний Восток, Восточная Азия, Западная Европа
Международные Коммерческие Условия(Инкотермс):
FOB, EXW, CIF, DDP, FCA
Условия Платежа:
LC, T/T, D/P, Western Union
Среднее Время Выполнения Заказа:
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: Один Месяц, Время Выполнения вне Сезона, 3-6 Месяцев
Образец Доступен
Посетить Мою Фабрику
Secured Trading Service

Китайский производитель/поставщик Мосфет транзистор силовой полупроводник, зарядное устройство для электромобилей силовой мосфет транзистор, высоковольтный суперсистемный мосфет транзистор, мосфет транзистор для зарядки постоянным током новых энергетических автомобилей, 5g источник питания базовой станции мосфет транзистор, мосфет транзистор для солнечного инвертора, мосфет транзистор для хранения энергии, мосфет транзистор для серверов дата-центров, силовой мосфет для промышленного освещения, силовой мосфет для зарядки постоянным током , поставка качественные Телекоммуникационная энергия Экстремально низкие потери переключения Osg65r099hszaf To247 Vds 650V RDS99mΩ Быстрый восстанавливающий диод Высоковольтный регулятор Мосфет, Телекоммуникационная мощность с крайне низкими потерями переключения МОП-транзистор, Потребительская электронная мощность МОП-транзистор и т.д.

Связаться с Поставщиком
Золотое Членство
Сертифицированный Поставщик Сертифицированный Поставщик
Secured Trading Service
Главная Товары Super Si2C

Группа Товаров

Отличительный Список

Связаться с Поставщиком

Avatar
Miss Joy Li
Product Groups

Super Si2C

Всего 98 Super Si2C Товаров
Просмотр Галереи
Просмотр Списка
1/5
Видео
Сик Диод To247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V Pulse-320A Vce (сат) -1.45V Qg-168nc N-канальный силовой IGBT
Сик Диод To247-4L Ost80n65h4ewf Vces-650V Pulse-320A Vce (сат) -1.45V Qg-168nc N-канальный силовой IGBT
FOB цена: 0,2-1,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 450 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Сик Диод To247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V Temperature175, IC-Pulse-240A Vce (сат) -1.45V Qg-105nc N-канальный силовой IGBT
Сик Диод To247-4L Ost60n65h4ewf Vces-650V Temperature175, IC-Pulse-240A Vce (сат) -1.45V Qg-105nc N-канальный силовой IGBT
FOB цена: 0,2-1,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 450 Куски
Связаться Сейчас
Видео
To247-4L Ost50n65h4ewf Vces-650V Максимальное соединение Temperature175 Pulse-200A Vce (sat) -1.4V Qg-104nc IGBT
To247-4L Ost50n65h4ewf Vces-650V Максимальное соединение Temperature175 Pulse-200A Vce (sat) -1.4V Qg-104nc IGBT
FOB цена: 0,2-1,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 450 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Сик Диод To247 Ost80n65hewf Vces-650V Максимальное соединение Temperature175, ИК, Pulse-320A Вцэ (сат) -1.45V Qg-168nc Мощность ИГБТ
Сик Диод To247 Ost80n65hewf Vces-650V Максимальное соединение Temperature175, ИК, Pulse-320A Вцэ (сат) -1.45V Qg-168nc Мощность ИГБТ
FOB цена: 0,2-1,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 450 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Сик Диод To247 Ost75n65hswf Vces-650V Максимальная Сопротивление Temperature175, N-канальный Мощный IGBT
Сик Диод To247 Ost75n65hswf Vces-650V Максимальная Сопротивление Temperature175, N-канальный Мощный IGBT
FOB цена: 0,6-1,6 $ / шт.
Минимальный Заказ: 330 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Сик Диод To247 Ost50n65hewf Vces-650V Максимальная Сопротивление Temperature175 N-канальный Мощный IGBT
Сик Диод To247 Ost50n65hewf Vces-650V Максимальная Сопротивление Temperature175 N-канальный Мощный IGBT
FOB цена: 0,3-1,3 $ / шт.
Минимальный Заказ: 600 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Сик диоды Мосфет Вдс 700V РДС 340mΩ более низкая стоимость меньше чем 1/5 ГаН Мосфет
Сик диоды Мосфет Вдс 700V РДС 340mΩ более низкая стоимость меньше чем 1/5 ГаН Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Устройство на основе нитрида галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
Устройство на основе нитрида галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Лучше, чем устройство на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Sic Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Лучше, чем устройство на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Sic Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
1/3 Стоимость устройства на основе нитрида галлия (GaN) Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
1/3 Стоимость устройства на основе нитрида галлия (GaN) Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Устройство большого экрана (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Устройство большого экрана (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Большой экранный дисплей RoHS лучше, чем устройство на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Большой экранный дисплей RoHS лучше, чем устройство на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Большой экран идеальная замена Устройство на основе нитрида галлия (GaN) Высокочастотные операции Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Супер Si Mosfet
Большой экран идеальная замена Устройство на основе нитрида галлия (GaN) Высокочастотные операции Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Супер Si Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Телекоммуникационная энергия высокочастотные операции супер Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
Телекоммуникационная энергия высокочастотные операции супер Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Телекоммуникационная энергия RoHS Высокочастотные операции Супер Сик Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
Телекоммуникационная энергия RoHS Высокочастотные операции Супер Сик Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
1/3 Стоимость устройства на нитриде галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
1/3 Стоимость устройства на нитриде галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Серверная мощность лучше, чем устройство на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Серверная мощность лучше, чем устройство на основе нитрида галлия (GaN) в высокочастотных операциях Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 полупроводник
Идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 полупроводник
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
1/3 Стоимость устройства на нитриде галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводниковый MOSFET
1/3 Стоимость устройства на нитриде галлия (GaN) Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводниковый MOSFET
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Высокочастотные операции Супер Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Высоковольтный МОП-транзистор
Высокочастотные операции Супер Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Высоковольтный МОП-транзистор
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас
Видео
Высокочастотные операции Супер Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводниковый Мосфет
Высокочастотные операции Супер Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводниковый Мосфет
FOB цена: 0,2 $ / шт.
Минимальный Заказ: 660 Куски
Связаться Сейчас

Шоу: 24 36 48
1 2 3 4 5
О Нас Заявление Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности Связаться с Made-in-China.com Быстрый Поиск Продуктов Информация
Языковой Вариант: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2025Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.