Главная Электричество и Электроника Интегральная Схема Встроенный ic 2024 Список Товаров

Встроенный ic

товары, найденные у проверенных производителей и оптовиков

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

1/ 6

Избранное

4-дюймовый полупроводникообразный кремниевый наматыватель IC N/P-Type/Intrinsed Polished

10,00 $ / pc

50 pc (MOQ)

Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: Р-образный Полупроводник

Упаковка: Semi Standard

Стандарт: TBD

Торговая Марка: FSM

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Низкий заряд заслонки 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

1/ 6

Избранное

Частотные преобразователи С ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕМ СРЕДНЕГО и высокого диапазонов Останов поля траншеи IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Быстрая и мягкий Antiparallel диод Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Соответствие требованиям директивы RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

1/ 6

Избранное

Чистый слой карбида карбида EPI с аммароном и эпитаксиальным покрытием IC Пластина

16,00 $ / pc

50 pc (MOQ)

Fine Silicon Manufacturing(Shanghai)Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: Р-образный Полупроводник

Упаковка: Semi Standard

Стандарт: TBD

Торговая Марка: FSM

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

1/ 6

Избранное

Автомобилестроение IGBT превосходная стабильность и однородность Ost40n120hmf

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

1/ 6

Избранное

Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Построенный в очень быстро и мягкий восстановления Ost наклона камеры питателя40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Крайне низкий VCE sat) 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Отличная производительность коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Pb - привести покрытие соответствует стандарту RoHS Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

1/ 6

Избранное

Индукционные преобразователи превосходное качество IGBT с коммутационными потерями и кондукцией

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

1/ 6

Избранное

Квалифицированных специалистов для Aec-Q101 RoHS автомобильной Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

1/ 6

Избранное

Оптимизировано для <1 Кгц переключение приложений Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V DC - 1 Кгц (стандарт) дискретных IGBT для автомобильной промышленности

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

1/ 6

Избранное

Дискретные автомобильные IGBT в корпусе to-247AC

0,1-0,6 $ / шт.

1 000 Куски (MOQ)

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: N-образный Полупроводник

Пакет: Двухрядный Корпус

Обработка сигнала: Моделирование

Применение: Солнечных батарей

Избранное

Категория IC моно кремниевых полупроводниковых пластин CZ полупроводниковая пластина

1 000 pcs (MOQ)

Shanghai Panmeng Electronic Materials Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: Беспримесный Полупроводник

Упаковка: Packed in Cassette and Sealed in Vacuum Bag

Стандарт: ISO9001: 2008

Торговая Марка: Panmeng

Избранное

Silicon Ingot большого диаметра

10 kg (MOQ)

Shanghai Panmeng Electronic Materials Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: Беспримесный Полупроводник

Упаковка: Packed in Wooden Box,Inside with Polyethylene Foam

Стандарт: ISO9001: 2008

Торговая Марка: Panmeng

Избранное

IC марки полупроводниковых притертые полупроводниковая пластина

1 000 pcs (MOQ)

Shanghai Panmeng Electronic Materials Co., Ltd.

Связаться Сейчас

Технология производства: Устройство ИС

Материал: Полупроводниковое Соединение

Тип: Беспримесный Полупроводник

Упаковка: Packed in Styrofoam Box

Стандарт: ISO9001: 2008

Торговая Марка: Panmeng

Больше

быстрый индекс товаров

0-9 А Б В Г Д ЕЁ ЖЗ ИЙ К Л М Н O П Р С Т У Ф Х Ц Ч ШЩ ЭЮЯ

Не нашли то, что хотите?

Лёгкая Закупка

Разместить запросы на поставку и быстро получить предложения.

Размещать Запрос на Поставку

Каталог

Другие

Особенности Товара

Особенности Компании

Тип Членства

Тип Бизнеса

Возможности НИОКР

Провинция &Регион

Связанные Категории Товаров

ИС

Популярные Запросы

Copyright ©2024 Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.