Преобразователи с частотой переключения от средней до высокой диапазона, полевые стоповые транзисторы IGBT

• Приложение: Солнечная батарея
• Номер партии: 2024
• Сертификация: iso, tuv, rohs
• Модель №.: OST40N120HMF TO-247N-2
• Технология производства: Интегральные схемы устройств
• Материал: Полупроводниковый компонент
• Модель: ориенталполу
• Пакет: DIP (Двухрядный пакет)
• Обработка сигналов: Симуляция
• Тип: Полупроводник N-типа
• номер по каталогу: ost40n120hmf
• упаковка: to-247n
• области применения: индукционные преобразователи
• промышленности: источники бесперебойного питания
• марка: ориенталполу
• Транспортная Упаковка: картонная коробка
• Характеристики: 35,3x30x37,5/60x23x13
• Торговая Марка: ориенталполу
• Происхождение: Китай
• Код ТН ВЭД: 8541290000
• Производственная Мощность: более 1 тыс. км/месяц

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

В OST40N120HMF используется запатентованная технология биполярного транзистора TGBTTM с тройником и восточными литниками, обеспечивающая чрезвычайно низкое напряжение VCE (SAT), низкий уровень заряда литника и превосходную коммутацию. Данное устройство подходит для преобразователей частоты переключения среднего и высокого диапазона.

Функции

• Усовершенствованная технология TGBTTM
• Превосходная проводимость и потеря переключения
• Превосходная стабильность и однородность
• Быстрый и мягкий антипараллельный диод

Области применения

• Индукционные преобразователи
• Источники бесперебойного питания

Преобразователи ЧАСТОТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СРЕДНЕГО и высокого диапазона Ost40n120hmf 10мкм S. Допуск на короткое замыкание 1200 в 40A FRD Встроенный траншеекопный траншеекопный траншеекопный траншеекопный траншеекопный траншеекопный траншее IGBT

Ключевые параметры производительности

 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VCES, мин. При 25°C.	1200	В.
Максимальная температура соединения	175	°C
ИС, импульс	160	А
VCE(SAT), тип @ VGE=15 В.	1.45	В.
ВГ	214	НЗ

Информация о маркировке

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Абсолютные максимальные значения при Tvj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение передатчика коллектора	ВКЕС	1200	В.
Напряжение генератора строба	ВГЭС	±20	В.
Напряжение генератора переходных синхроимпульс, TP≤0,5 мкс, D<0.001		±25	В.
Непрерывная коллекционь1^), TC=25°C.	ИС	56	А
Непрерывная коллекционь1^), TC=100°C.		40	А
Пульсирующий коллектор current2^), TC=25°C.	ИС, импульс	160	А
Диодный ток переднего хода 1^), TC=25°C.	ЕСЛИ	56	А
Диодный ток переднего хода 1^), TC=100°C.		40	А
Диодная импульсная кард2^), TC=25°C.	ЕСЛИ, пульсирующий	160	А
Power dissispation3^), TC=25°C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	357	W
Power dissispation3^), TC=100°C.		179	W
Температура эксплуатации и хранения	Тстг, Твж	от -55 до 175	°C
Время устойчивости к короткому замыканию VGE=15 в, VCC≤600 В. Допустимое количество коротких замыканий <1000 раз между короткими замыканием:≥1.0 S. Tvj=150 °C	ТСК	10	μs

Тепловые характеристики

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Тепловое сопротивление IGBT, корпус соединения	RθJC	0.42	°C/ВТ.
Термосопротивление диода, корпус соединения	RθJC	0.75	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	40	°C/ВТ.

 

Электрические характеристики при Tvj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера	V(BR)CES	1200			В.	VGE=0 В, IC=0.5 МА
Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	VCE(SAT)		1.45	1.8	В.	VGE=15 В, IC=40 A TVJ=25°C.
			1.65		В.	VGE=15 В, IC=40 А, TVJ =125°C.
			1.8			VGE=15 В, IC=40 А, TVJ =175°C.
Затвор-эмиттер пороговое напряжение	VGE(TH)	4.8	5.8	6.8	В.	VCE=VGE, ID=0.5 МА
Диод, напряжение переднего хода	VF		1.9	2.1	В.	VGE=0 В, IF=40 A TVJ =25°C.
			1.6			VGE=0 В, IF=40 А, TVJ =125°C.
			1.5			VGE=0 В, IF=40 А, TVJ =175°C.
Затвор-эмиттер ток утечки	ИГЕС			100	Нет	VCE=0 В, VGE=20 В.
Ток коллектора напряжения нулевой заслонки	ИКС			10	μA	VCE=1200 В, VGE=0 В.

 

Динамические характеристики
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	Кис		11270		ПФ	VGE=0 В, VCE=25 В, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	COE		242		ПФ
Емкость обратной передачи	CRES		10		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		120		нс	VGE=15 В, VCC=600 В, RG=10 Ω, IC=40 А
Время нарастания	tr		88		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		246		нс
Время осени	тф		160		нс
Включите питание	Эон		3.14		МДж
Отключите питание	Eoff (Выкл.)		1.02		МДж
Время задержки включения	td(вкл)		112		нс	VGE=15 В, VCC=600 В, RG=10 Ω, IC=20 А
Время нарастания	tr		51		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		284		нс
Время осени	тф		148		нс
Включите питание	Эон		1.32		МДж
Отключите питание	Eoff (Выкл.)		0.53		МДж

Характеристики заряда литника
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая стоимость задвижки	ВГ		214		НЗ	VGE=15 В, VCC=960 В, IC=40 А
Задвижка-эмиттер	Вге		103		НЗ
Задвижка коллектора	КВГК		40		НЗ

Характеристики диода корпуса
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Время восстановления диода при движении назад	trr		293		нс	VR=600 В, IF=40 А, DIF/dt=500 A/μs Tvj = 25°C.
Диод обратного заряда	QRR		2.7		μC
Пиковый обратный ток диода	Иррм		25		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 дюймов2 FR-4 с 2 унций. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.

 

Версия 1: Размер корпуса TO247-P.

Информация для заказа
 

Тип пакета	Единицы измерения/трубка	Трубки/внутренний ящик	Единицы измерения/ Внутренняя коробка	Внутренние коробки/коробка для перевозки картонных коробок	Единицы/ коробка в картонной упаковке
TO247-P.	30	11	330	6	1980

Информация о продукте
 

Продукт	Пакет	Без Pb	RoHS	Не содержит галогенов
OST40N120HMF	TO247	да	да	да

Отказ от ответственности
Информация, приведенная в настоящем документе, ни в коем случае не должна рассматриваться как гарантия условий или характеристик. В отношении любых приведенных здесь примеров или подсказок, любых типичных значений, указанных в настоящем документе и/или любой информации, касающейся применения устройства, компания Oriental Semiconductor настоящим отказывается от любых гарантий и обязательств любого рода, включая, без ограничений, гарантии отсутствия нарушения прав интеллектуальной собственности любой третьей стороны.

Цепочка поставок

Декларация о экологичных продуктах