Все Категории

Размещать Запрос на Поставку

Лёгкая Закупка

Удобнее, Эффективнее

Один запрос, несколько предложений
Соответствие проверенных поставщиков
Сравнение предложений и запрос образца

Разместить Свой Запрос Сейчас

Главная Электричество и Электроника Полупроводник

Связаться с Поставщиком

Miss Winnie Gao

Saleman

Связаться Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...

Назад на страницу продукции

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT pictures & photos

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT pictures & photos

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT pictures & photos

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT pictures & photos

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT pictures & photos

Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT pictures & photos

Технология производства:	Дискретное Устройство
Материал:	Silicon
Тип:	N-образный Полупроводник
Пакет:	to-220f
Применение:	Aircondition, Weldin, UPS
Модель:	Dhg20t65D

Избранное

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:

*Кому:

Miss Winnie Gao

*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете?  Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Люди, которые посмотрели это, также посмотрели

Мощный МОП-транзистор 8A 650 в с режимом обогащения N-канала F8n65 - 220f

Мощный МОП-транзистор 8A 650 в с режимом обогащения N-канала F8n65 - 220f

0,01-1,5 $ / шт.

60A 300 в Диод быстрого восстановления Mur6030nca to-3p

60A 300 в Диод быстрого восстановления Mur6030nca to-3p

0,01-1,5 $ / шт.

60A 200 в Диод быстрого восстановления Mur6020nca to-3pn

60A 200 в Диод быстрого восстановления Mur6020nca to-3pn

0,01-1,5 $ / шт.

Мощный МОП-транзистор с режимом усиления N-канала 70 в/6.3mΩ /100 а Dh070n07 - 220c

Мощный МОП-транзистор с режимом усиления N-канала 70 в/6.3mΩ /100 а Dh070n07 - 220c

0,01-1,5 $ / шт.

100 а 30 в в в режиме N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30h10K - 252b

100 а 30 в в в режиме N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30h10K - 252b

0,01-1,5 $ / шт.

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары IGBT изображения Биполярный транзистор с изолированным затвором Dhg20t65D IGBT

Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.