Все Категории

Размещать Запрос на Поставку

Лёгкая Закупка

Удобнее, Эффективнее

Один запрос, несколько предложений
Соответствие проверенных поставщиков
Сравнение предложений и запрос образца

Разместить Свой Запрос Сейчас

Главная Электричество и Электроника Полупроводник

Связаться с Поставщиком

Miss Winnie Gao

Saleman

Связаться Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...

Назад на страницу продукции

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A.

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A. pictures & photos

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A. pictures & photos

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A. pictures & photos

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A. pictures & photos

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A. pictures & photos

Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A. pictures & photos

Технология производства:	Trench and Fieldstop Technology Design
Материал:	Полупроводниковое Соединение
Тип:	N-образный Полупроводник
Пакет:	34mm
Применение:	Welding, UPS, Three-Leve Inverter
Модель:	Dhg50n120d

Избранное

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:

*Кому:

Miss Winnie Gao

*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете?  Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Люди, которые посмотрели это, также посмотрели

Модуль полумостового модуля 100A 1700 в Dga100h170m2t 34 мм

Модуль полумостового модуля 100A 1700 в Dga100h170m2t 34 мм

20,00-50,00 $ / шт.

Трехходовой тиристор 4А Bt136 **%off

Трехходовой тиристор 4А Bt136 **%off

0,052 $ / шт.

Полевой МОП-транзистор с режимом усиления 100 в 47A с режимом усиления N-канала Dhs180n10lb - 251b

Полевой МОП-транзистор с режимом усиления 100 в 47A с режимом усиления N-канала Dhs180n10lb - 251b

0,01-1,5 $ / шт.

112A 68 В режим N-канального усиления мощный МОП-транзистор Dh100n06 - 220c

112A 68 В режим N-канального усиления мощный МОП-транзистор Dh100n06 - 220c

0,147 $ / шт.

Мощный МОП-транзистор 68A 100 в с режимом обогащения N-канала Dh140n10d --252b

Мощный МОП-транзистор 68A 100 в с режимом обогащения N-канала Dh140n10d --252b

0,01-0,2 $ / шт.

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары МОДУЛЬ IGBT изображения Модуль IGBT с полумостом 1200 в, 34 мм, 50 A.

Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.