Связаться с Поставщиком

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...
Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT pictures & photos
Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT pictures & photos
Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT pictures & photos
Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT pictures & photos
Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT pictures & photos
Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT pictures & photos
  • Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT
  • Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT
  • Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT
  • Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT
  • Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT
  • Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT
Application: Solar Cell
Batch Number: 2022
Manufacturing Technology: Integrated Circuits Device
Material: Compound Semiconductor
Model: Orientalsemi
Package: DIP(Dual In-line Package)

Вам Наверное Нравятся

Загрузка...

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
avatar Miss Joy Li
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары TGBT изображения Рабочая температура 150 °C, 10 микрон, допуск по короткому замыку, 1200 в, 40 А. FRD Встроенный модуль Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT