Пьезоэлектрический кристалл

Введение:
Силикат галлия лантана (La3Ga5SiO14, сокращенно LGS) — многофункциональный кристаллический материал с отличными комплексными свойствами. По сравнению с кварцевыми кристаллами кристаллы LGS имеют более высокие коэффициенты электромеханической связи и пьезоэлектрические константы, которые в 2-3 раз превышают показатели кварцевых кристаллов; имеют более низкое затухание звука, чем кварцевые кристаллы; имеет также касательную форму нулевого температурного коэффициента; Может использоваться для изготовления устройств поверхностной акустической волны (ПИЛЫ) и массовой акустической волны (BAW); не имеет фазового перехода от комнатной температуры к температуре плавления (1470°C) и обладает большим потенциалом для применения в пьезоэлектрических устройствах с широкой полосой пропускания и высокотемпературных датчиках; Кроме того, кристаллы LGS имеют также высокий диэлектрический постоянный и эластичный коэффициент, который может использоваться для производства электро-оптических Q-переключающих устройств.
Кристаллы тантала галлия лантана (La3Ga5.5Ta0.5O14, LGT) и кристаллов гальium лантана ниобата (La3Ga5.5Nb0.5O14, LGN) являются изоморфными кристаллами кристаллов LGS, оба из которых имеют пьезоэлектрические свойства, аналогичные свойствам кристаллов LGS. Высокотемпературное сопротивление кристаллов LGT выше, чем у кристаллов LGS, что указывает на более высокую температуру.
Кристаллы силикатного изоморфного силиката галлия относятся к однородному расплавлению и подвержены выращению крупноразмерных кристаллов. В настоящее время они могут стабильно выращивать крупногабаритные кристаллы диаметром 75 мм и длиной более 150 мм партиями, с отличным качеством.




Характеристики:

Высокий коэффициент электромеханической связи;

Высокий пьезоэлектрический коэффициент;

С нулевой температурой резания;

Без фазового перехода;

Крупномасштабный рост;

Применение:

Резонансные и фильтры поверхностных акустических волн (ПИЛЬНЫХ);

Резонатор акустического сигнала (BAW);

Датчик высокой температуры;

Электрический Q-переключатель;




Физические и химические свойства:

Химическая формула La3Ga5SiO14 (LGS) La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT) La3Ga5.5Nb0.5O14 (LGN)

Трехсторонняя кристаллическая структура

Параметры решетки A=8.172 Å, c=5.102 Å a=8.231 Å, c=5.129 Å a=8.234 Å, c=5.125 Å

Плотность 5.75 г/см3 5.905 6.145

Температура плавления 1470 °C 1470 °C 1470 ° C

Удовая теплоемкость/(Дж/г·к) 0.47 0.38 0.5

Твердость (мухи) 5.5 5.5 5.5 5.5

Показатель преломления при 632 нм No=1.8996, ne=1.9111 No=1.9388 No=1.9497

Диэлектрическая константа ε 11=19.2 ε 33=50.7 ε 11=19.6 ε 33=76.5 ε 11=20.7 ε 33=79

Коэффициент теплового расширения/(10-6/α) 11 5.8=α, 33 3.9=α 11 5.5=α, 33 4.4=α 11 6.1=α, 33 4.8=

Пьезоэлектрическая константа деформации d11=6.15 d14=-6,01 d11=7.41 d14=-6,16 d11=7.06 d14=-4,32

Коэффициент электро-оптической силы pm/V γ 11=2.68, γ 41=1.22 γ 11=2.82 γ 11=2.62



Материалы и технические характеристики:

Кристаллические материалы LGS, LGT, LGN

Направление роста [001]

Размеры (10 * 10~20 * 20) * (0.5~2) мм3

Коэффициент пропускания~80%

Параллельность 30 дуксек

Гладкая отделка 20-10

Плоскостность λ/ 8

Искажение волнового фронта λ/ 4

Эффективная диафрагма 90%

Свернуть кромку<0.1 мм

Фаска<0,1 мм × 45 °

Порог повреждения > 500 МВт/см.