N-CH
0,01 - 0,10 $ / шт.
  • Рекомендовать для вас
  • Что такое Новый оригинальный транзистор 2SA2222 2sc6144 A2222 C6144
  • Что такое IR2153s IR2153strpbf Полумостовой драйвер ИС Sop-8
  • Что такое Электронные компоненты Fgh60n60 60n60 To247 600V 60A Транзистор IGBT Fgh60n60SMD

Что такое Fqpf5n60 Мосфет N-канальный 600V 2.8A To220f 5n60

Об этом товаре
Подробности
Профиль Компании

Цена

Минимальный Заказ Цена FOB для Справки

50 Куски 0,01 - 0,10 $ / шт.

Спецификации

  • сертификация RoHS, CE, ISO, CCC
  • Инкапсуляция Структура Чип транзистор
  • Монтаж SMD Триод
  • Рабочая частота Низкая частота
  • Уровень мощности Высокая мощность
  • функция светочувствительный, Дарлингтона Tube, Мощность Триод, Переключение Триод
  • Состав рассеивание
  • материал кремний
  • диапазон рабочих температур -40°c ~ +85°c.
  • температура хранения -65°c ~ +150°c
  • защита от электростатического разряда ≥2000 в.
  • mtbf (среднее время >100000h
  • Транспортная Упаковка /
  • Характеристики /
  • Торговая Марка /
  • Происхождение /

Описание Товара

Введите здесь заголовок Послепродажное обслуживание Компания придерживается "во-первых, заказчик в первую очередь" деловой философии, основные технологии с целью создания прочной послепродажного обслуживания процесса была создана профессиональная команда рассмотрения жалоб и процесс обработки, ...

Узнать больше

Сравнение N-CH
Информация о транзакции
Цена 0,01 - 0,10 $ / шт. 0,0001 - 0,01 $ / шт. 0,0001 - 0,10 $ / шт. 0,001 - 0,10 $ / шт. 0,50 $ / шт.
Минимальный Заказ 50 Куски 1 шт. 1 шт. 10 Куски 10 Куски
Условия Платежа LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Небольшая сумма платежа LC, T/T LC, T/T LC, T/T LC, T/T
Контроль качества
Сертификация продукции RoHS, CE, ISO, CCC - - нет данных RoHS
Сертификация Системы Менеджмента - - - - -
Торговая Емкость
Экспортные рынки Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток, Африка, Восточная Азия (Япония / Южная Корея), Австралия, Отечественный Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток, Восточная Азия (Япония / Южная Корея), Австралия Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток, Восточная Азия (Япония / Южная Корея), Австралия Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток, Восточная Азия (Япония / Южная Корея), Австралия Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток, Восточная Азия (Япония / Южная Корея), Австралия
Годовой Экспортный Доход - - - - -
Бизнес-модель ODM, OEM Own Brand, ODM Own Brand, ODM Own Brand, ODM Own Brand, ODM
Среднее Время Выполнения Заказа Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Характеристики Товара
Характеристики
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Рабочая частота: Низкая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
функция: светочувствительный, Дарлингтона Tube, Мощность Триод, Переключение Триод;
Состав: рассеивание;
материал: кремний;
диапазон рабочих температур: -40°c ~ +85°c.;
температура хранения: -65°c ~ +150°c;
защита от электростатического разряда: ≥2000 в.;
mtbf (среднее время: >100000h;
форма: dip/smd;
проводящий тип: нет данных;
интеграции: нет данных;
техника: нет данных;
форма: dip/smd;
проводящий тип: нет данных;
интеграции: нет данных;
техника: нет данных;
Инкапсуляция Структура: крепление шасси;
Монтаж: SMD Триод;
Рабочая частота: другое;
Уровень мощности: другое;
функция: igbt;
Состав: крепление шасси;
материал: кремний;
1: FF300r12ke3hosa1;
2: модуль igbt;
3: Trench Field Stop IGBT;
4: транзистор;
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
Состав: сплав;
тип fet: n-канал;
технологии: моп-транзистор (оксид металла);
напряжение от слива до источника (vdss): 100 V;
ток - непрерывный слив (id) при 25c: 5,7a (ta), 25a (tc);
напряжение привода (макс. rds вкл., мин. rds вкл.): 10V;
rds on (макс.) @ id, vgs: 35 мом при 5,7 а, 10 в.;
vgs(th) (макс.) @ id: 4,9 в при 50 мкa;
забор затвора (qg) (макс.) при vgs: 20 нc при 10 в.;
vgs (макс.): ±20 в.;
входная емкость (шипение) (макс.) при vds: 890 pf при 25 в.;
Имя поставщика

Shengxinweiye (Shenzhen) Co., Ltd

Бриллиантовое Членство Сертифицированный Поставщик

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Бриллиантовое Членство Сертифицированный Поставщик

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Бриллиантовое Членство Сертифицированный Поставщик

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Бриллиантовое Членство Сертифицированный Поставщик

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Бриллиантовое Членство Сертифицированный Поставщик