Электронный компонент
0,50 $ / шт.

Оригинал Irf6645trpbf N-канальный 100V МОП-транзистор Irf6645 Irf6645tr1pbf Сборка печатной платы Видео

Об этом товаре
Подробности
Профиль Компании

Цена

Минимальный Заказ Цена FOB для Справки

10 Куски 0,50 $ / шт.

Спецификации

  • сертификация RoHS
  • Инкапсуляция Структура Чип транзистор
  • Монтаж SMD Триод
  • Уровень мощности средняя мощность
  • Состав сплав
  • тип fet n-канал
  • технологии моп-транзистор (оксид металла)
  • напряжение от слива до источника (vdss) 100 V
  • ток - непрерывный слив (id) при 25c 5,7a (ta), 25a (tc)
  • напряжение привода (макс. rds вкл., мин. rds вкл.) 10V
  • rds on (макс.) @ id, vgs 35 мом при 5,7 а, 10 в.
  • vgs(th) (макс.) @ id 4,9 в при 50 мкa
  • забор затвора (qg) (макс.) при vgs 20 нc при 10 в.
  • vgs (макс.) ±20 в.
  • входная емкость (шипение) (макс.) при vds 890 pf при 25 в.
  • Транспортная Упаковка стандарт
  • Характеристики стандарт
  • Происхождение оригинал

Описание Товара

Оригинальный N-канальный транзистор IRF6645TRPBF с напряжением 100 в IRF6645 IRF6645TR1PBF в сборе Укажите серию bom/контакт для получения дополнительных компонентов В1: Какие услуги вы предлагаете? Мы предлагаем готовые решения, включая НИОКР, производство печатных плат, SMT, тестирование ...

Узнать больше

Сравнение Электронный компонент
Информация о транзакции
Цена 0,50 $ / шт. Цена Договорная Цена Договорная Цена Договорная Цена Договорная
Минимальный Заказ 10 Куски 10 Куски 10 Куски 10 Куски 10 Куски
Условия Платежа LC, T/T T/T, PayPal, Western Union T/T, PayPal, Western Union T/T, PayPal, Western Union T/T, PayPal, Western Union
Контроль качества
Сертификация продукции RoHS RoHS, CE, ISO, CCC RoHS, CE, ISO, CCC RoHS, CE, ISO, CCC RoHS, CE, ISO, CCC
Сертификация Системы Менеджмента - - - - -
Торговая Емкость
Экспортные рынки Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток, Восточная Азия (Япония / Южная Корея), Австралия Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток Северная Америка, Южная Америка, Европа, Юго-Восточная Азия / Ближний Восток
Годовой Экспортный Доход - - - - -
Бизнес-модель Own Brand, ODM ODM, OEM ODM, OEM ODM, OEM ODM, OEM
Среднее Время Выполнения Заказа Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней
Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней
Характеристики Товара
Характеристики
Инкапсуляция Структура: Чип транзистор;
Монтаж: SMD Триод;
Уровень мощности: средняя мощность;
Состав: сплав;
тип fet: n-канал;
технологии: моп-транзистор (оксид металла);
напряжение от слива до источника (vdss): 100 V;
ток - непрерывный слив (id) при 25c: 5,7a (ta), 25a (tc);
напряжение привода (макс. rds вкл., мин. rds вкл.): 10V;
rds on (макс.) @ id, vgs: 35 мом при 5,7 а, 10 в.;
vgs(th) (макс.) @ id: 4,9 в при 50 мкa;
забор затвора (qg) (макс.) при vgs: 20 нc при 10 в.;
vgs (макс.): ±20 в.;
входная емкость (шипение) (макс.) при vds: 890 pf при 25 в.;
Инкапсуляция Структура: to220;
Монтаж: Плагин триод;
Рабочая частота: Высокая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
материал: полупроводник элемента;
технологии производства: дискретное устройство;
тип: полупроводник типа p.;
приложение: управление электродвигателем ибп или переключателя переменного тока;
обработка сигнала: контроллер переключателя;
Инкапсуляция Структура: to220;
Монтаж: Плагин триод;
Рабочая частота: Высокая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
материал: полупроводник элемента;
технологии производства: дискретное устройство;
тип: полупроводник типа p.;
приложение: управление электродвигателем ибп или переключателя переменного тока;
обработка сигнала: контроллер переключателя;
Инкапсуляция Структура: to220;
Монтаж: Плагин триод;
Рабочая частота: Высокая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
материал: полупроводник элемента;
технологии производства: дискретное устройство;
тип: полупроводник типа p.;
приложение: управление электродвигателем ибп или переключателя переменного тока;
обработка сигнала: контроллер переключателя;
Инкапсуляция Структура: to220;
Монтаж: Плагин триод;
Рабочая частота: Высокая частота;
Уровень мощности: Высокая мощность;
материал: полупроводник элемента;
технологии производства: дискретное устройство;
тип: полупроводник типа p.;
приложение: управление электродвигателем ибп или переключателя переменного тока;
обработка сигнала: контроллер переключателя;
Имя поставщика

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

Бриллиантовое Членство Сертифицированный Поставщик

Simentor Electronic Limited

Золотое Членство Сертифицированный Поставщик

Simentor Electronic Limited

Золотое Членство Сертифицированный Поставщик

Simentor Electronic Limited

Золотое Членство Сертифицированный Поставщик

Simentor Electronic Limited

Золотое Членство Сертифицированный Поставщик