128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи

Все еще решаете? Получите образцы $ !
Запросить Образец
Подробности Товара
Индивидуализация: Доступный
Объем хранилища: 2-4 ГБ
Тип интерфейса: штифт
Производитель/Завод & Торговая Компания
Золотое Членство с 2021

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик Сертифицированный Поставщик

Проверено независимым сторонним инспекционным агентством

, чтобы увидеть все проверенные метки силы (27)
  • 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи
  • 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи
  • 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи
  • 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи
  • 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи
  • 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи
Найти похожие товары
  • Обзор
  • описание продукта
  • параметры продукта
  • Профиль компании
  • Наши преимущества
  • Упаковка и доставка
  • ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
Обзор

Основная Информация

Форма
картонная коробка
Материал
Керамика
Открыть стиль
Открытый
Тип USB
Творческий USB Disk
Цвет
золото
функция
USB Storage Disk
Проверка Безопасности
Поддержка Проверка безопасности
Транспортная Упаковка
коробка
Характеристики
15.5 x 21.6 /2.54 мм
Торговая Марка
зитн
Происхождение
China.
Код ТН ВЭД
8523511000
Объемы производства
20000

Описание Товара



128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

описание продукта

128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module
Высокотемпературная устойчивость флэш-памяти NAND
LDMF1GA /4GA


Микросхема представляет собой высокотемпературную флэш-память NAND, которая обеспечивает быструю запись и чтение, высокую надежность, отличные характеристики производительности при высокой и низкой температуре. В тяжелых условиях эксплуатации может работать при температуре -45 °C ~ 175 °C.

Рабочая температура: От -45 до +175 °C.
Максимальный рабочий ток: 90 мА
Ток в режиме ожидания: <2 ма
Диапазон рабочего напряжения (VCC): 2.7 в ~ 3.6 В.
Входной высокий уровень (в): 0,8 Вкуб.см ~ Вкуб.см+0.3
Входной нижний уровень (V): -0,3 ~ 0,2 VCC
Выход высокого уровня (в): 2.4 ~ VCC
Выход Низкий уровень (в): -0,3 ~ 0.4
Время хранения данных при высокой температуре: ≥500 ч.
Срок службы: ≥2000 ч.
Скорость чтения/записи: 2.8 мс на страницу чтения 2,15 мс на страницу записи
В комплект входит 16-контактный корпус DIP PB-Free

 

параметры продукта

128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module
128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

Описание контакта:

ШТИФТ Функциональное описание
IO0 ~ IO7 Мультиплексный вход/выход
Двунаправленный адрес передачи ввода-вывода, данные и командную информацию.
Когда контакт C(-)E(-) высокий, то сопротивление ввода/вывода высокое.
КЭ Команда "Замок" включена
Когда значение CLE высокое, команда фиксируется в регистре команд через порт ввода-вывода на восходящей кромке сигнала.
НЕ Включение фиксации адреса
Когда значение ALE высокое, адрес фиксируется в регистре адресов через порт ввода-вывода на восходящей границе сигнала.
C(-)E(-) Включение чипа
Включение или отключение микросхемы.
R(-)E(-) Чтение разрешено
Управление выводом последовательных данных. При низком уровне сигнала данные передаются на порт ввода-вывода. Данные действительны после времени треа на оконечном краю R(-)E(-), и внутренний счетчик адресов столбца увеличивается автоматически.
W(-)E(-) Включение записи
Управление входом последовательных данных, команд, адресов и данных фиксируется на восходящей кромке W(-)E(-).
R/B(-) Вывод Ready/Busy (готов/занят)
Указывает рабочее состояние устройства. Если значение LOW (низкий), указывает на то, что выполняется программирование, удаление или произвольное считывание, когда высокое значение указывает на то, что операция или операция не завершены. Рекомендуется подключить нагрузочный резистор (4,7–10 000 K) к контакту.
VCC Источник питания
VSS МАССА
Цикл адресации:

LDMF1GA:
Адресация IO 0 IO 1 IO 2 IO 3 IO 4 IO 5 IO 6 IO 7  
1-й цикл CA0 CA1 CA2 О3 CA4 CA5 О6 CA7 Адрес столбца 1
2-й цикл CA8 CA9 CA10 CA11 0 0 0 0 Адрес столбца 2
3-й цикл PA0 PA1 PA2 PA3 СТР. 4 СТР. 5 PA6 BA7 Адрес строки 1
4-й цикл BA8 BA9 BA10 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 Адрес строки 2
5-й цикл BA16 BA17 BA18 0 0 0 0 0 Адрес строки 3
Примечания: 1. CAX = адрес столбца, pax = адрес страницы, BAX = адрес блока, адрес страницы, адрес блока, называемый адресом строки. Адрес в байтах страницы, называемый адресом столбца
Размер страницы x8: 8640 байт (2048 + 64 байт)
Размер блока: 128 страниц (1024K + 8K байт)
Номер блока: 4096 блока

LDMF4GA:
Адресация IO 0 IO 1 IO 2 IO 3 IO 4 IO 5 IO 6 IO 7  
1-й цикл CA0 CA1 CA2 О3 CA4 CA5 О6 CA7 Адрес столбца 1
2-й цикл CA8 CA9 CA10 CA11 CA12 CA13 0 0 Адрес столбца 2
3-й цикл PA0 PA1 PA2 PA3 СТР. 4 СТР. 5 PA6 BA7 Адрес строки 1
4-й цикл BA8 BA9 BA10 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 Адрес строки 2
5-й цикл BA16 BA17 BA18 0 0 0 0 0 Адрес строки 3
Примечания: 1. CAX = адрес столбца, pax = адрес страницы, BAX = адрес блока, адрес страницы, адрес блока, называемый адресом строки. Адрес в байтах страницы, называемый адресом столбца
Размер страницы x8: 8640 байт (8192 + 448 байт)
Размер блока: 128 страниц (1024K + 56 КБ)
Номер блока: 4096 блока

Список инструкций:
Функции 1-й цикл 2-й цикл
Сброс ФФВ -
Читать 00ч 30 ч.
Программа страниц 80 ч. 10 ч.
Удаление блоков 60h D0h

Недопустимое управление блоками
Все местоположения устройства стираются (0xFF), за исключением адреса в недопустимом блоке при поставке с завода. Недопустимый флаг блока расположен на первом байте резервной области на последней странице блока. Недопустимые данные блока не 0xFF. Система должна установить недопустимое управление блоками, чтобы избежать использования недопустимого блока. Начальный адрес первого блока — 0000h, который гарантированно будет отправлен с завода.
Таблица с дефектными блоками создается следующей блок-схемой (ниже).


Этапы работы:
1. Ошибка на странице n блока A при стирании или программировании. Скопируйте данные с первой страницы на (n-1) -ую страницу блока A в ту же позицию в другом пустом блоке B.Копировать данные буфера необходимо сохранить на n-ую страницу Положение блока B.Добавить блок A в таблицу Bad Block.
  1. Цикл управления фиксацией
  2. Последовательность циклов фиксации адреса
  3. Входные данные фиксируют последовательность циклов
  4. Выходные данные фиксируют последовательность циклов
  5. Системные инструкции
Операция чтения:
Операция чтения выполняется путем записи команды 00h-30h в регистр команд. Сначала введите команду 00h, затем запишите адрес с 5 циклами, последний, запишите команду 30h. После завершения процесса R/B(-) освобождается. Пользователь определяет завершение передачи внутренних данных, определяя состояние R/B(-). После завершения передачи пользователь может запустить ПОВТОРНОЕ СЧИТЫВАНИЕ данных.
Последовательность операций считывания данных следующая.


Операция программирования:
Перед программированием необходимо сначала стереть блок. Операция программирования выполняется путем записи команды 80h-10h в регистр команд. Сначала введите команду 80h, затем запишите адрес с 5 циклами, а затем загрузите данные во внутренний регистр буфера данных, последний раз, запишите 10h после завершения команды для подтверждения записи. После завершения программирования R/B(-) будет освобожден.
Программирование последовательности операций


Операция удаления:
Команда удаления - 60h-D0h. Сначала введите команду 60h, затем введите адрес с 3 циклами , а затем команду D0h для подтверждения удаления. После завершения стирания R/B(-) освобождается.

Удаление последовательности операций

Сброс операционаяСброс последовательности операций

Примечание: Если запись данных на страницу перед выполнением операции для выполнения команды восстановления может привести к повреждению данных, повреждение не только программирования страниц, но и может повлиять на соседние страницы.

Последовательные инструкции (-45°C~175°C):по мере повышения температуры скорость реакции устройства после работы может замедлиться.последовательность выполнения пользовательской программы определенный объем допуска, рекомендуется увеличить стабильность высокой температуры.

Список параметров синхронизации (25 °C):
Символ МИН Стандарт МАКС Единицы измерения Воинская обязанность
TPROG   0.8 3 мс Время программы страницы
TBERS   1.5 10 мс Время удаления блоков
TCLS 15     нс  
TCLH 5     нс  
TCS 20     нс  
TCH 5     нс  
TWP 15     нс  
TALS 15     нс  
TALH 5     нс  
TDS 15     нс  
TDH 5     нс  
TWC 30     нс  
TВт-ч 10     нс  
TADL 70     нс  
TR     60 μs  
Тар 10     нс  
TCLR 10     нс  
TRR 20     нс  
TRP 15     нс  
TWB     100 нс  
TRC 30     нс  
Треа     20 нс  
TCEA     25 нс  
ТРХЗ     100 нс  
ТЧЗ     30 нс  
TCSD 10     нс  
TRHOH 15     нс  
ТРЛОХ 5     нс  
TCOH 15     нс  
Отн 10     нс  
МДП 0     нс  
TRHW 100     нс  
TWHR 60     нс  
ТреСТ     5/10/500 μs Чтение/программирование/стирание
128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module
128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

Профиль компании

ZITN — национальное высокотехнологичное предприятие, оно было создано в 2002 году многими инженерами высоких технологий, которые имеют обширный опыт работы в микроэлектронной промышленности. С 19-летним развитием ZITN стала признанным лидером в Китае, и в нашей компании работает 175 сотрудников, более 49% из них – команда НИОКР. Мы в основном проектируем, разрабатываем и производим высокоточный кренометр, кварцевые акселерометры, инерциальные измерительные системы, ЕСЛИ Circuit продукты и флэш-память NAND, широко используемые для аэрокосмической, нефтегазовой промышленности, геологических исследований.
128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

 

Наши преимущества

а. Опыт разработки и производства гибридных толстопленочных ИС и датчиков высшего класса более 19 лет.
б. Изобретения патентами более 40 проектов.
в. Научно-производственное учреждение площадью более 20000 кв. м.
д. Более 49% сотрудников работают в научно-исследовательской группе.
д. За последние 3 лет новые клиенты, сотрудничающие с клиентами, более 1000.
f. производственная мощность более 100000 в год;
г. Профессиональные предпродажная подготовка, руководство по послепродажному обслуживание, решения могут предоставляться на основе запросов клиентов.
в. Персонализированное обслуживание.



Миниатюрный объем ! Независимые творческие технологии!
От производства сервоконтура до однократного соединения датчиков .


128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

Упаковка и доставка

Антистатический блок с возможностью настройки.
Доставка через экспресс-доставку (DHL, Fedex, TNT, UPS и т.д.)
дата доставки в течение 7-10 дней после отгрузки с нашего завода.

128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

 

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ

Какие услуги вы можете предоставить?
Кроме модели stanadrd, мы также можем предоставить продукты, предоставляемые с детальными запросками клиентов, такими как калибровка, ремонт, модернизация и т.д...


Какие испытания будут проводиться перед отправкой с завода?
Мы имеем строгий система контроля качества для того чтобы гарантировать работу продукта, такие как Non-Magnetic система калибровки вращающегося поддона, система испытания шока и вибрации, система испытания температурного цикла и т.д...


Можно ли получить образец для оценки?
Да, мы готовы предоставить образец для оценки и помочь вам в любом технологическом процессе.

Какие варианты поставки я могу выбрать?
Мы можем предоставить услуги экспресс-доставки авиакомпании, такие как DHL/Fedex/TNT Express, обычно 7-10 дней для необходимых перевозок.

Могу ли я посетить вашу компанию, если меня заинтересовал?
Да, наша компания находится в городе Циндао, здесь работает более 175 сотрудников, включая научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, производство, финансы, маркетинг, и т.д.


Для получения более подробной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами, пожалуйста, отправьте запрос нашему менеджеру по продажам напрямую!
128MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module



 

Связаться с поставщиком

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать запрос на закупку
Отправить Запрос

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары Флэш-памяти NAND 128MB Нор флеш-память модуль быстрого чтения и записи