| Тип проводящего.: | Биполярная интегральная схема |
|---|---|
| Интеграция: | VLSI |
| Техника: | Тонкопленочная ИС |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Проверено независимым сторонним инспекционным агентством

STM32F437IIT6 на одной микросхеме ПЭВМ на базе ядра ARM микроконтроллеров STM STM32F
Функции
• Core: 32-разрядные ARM® Cortex®-M4 с ЦП, FPU адаптивного управления подачей топлива в режиме реального времени (ART Accelerator™) 0 - состояние ожидания
Исполнение из флэш-памяти, частоту до 180 Мгц, MPU, 225 DMIP/1,25 DMIP/Мгц (Dhrystone 2.1) и DSP инструкции
• Воспоминания
- До 2 МБ флэш-памяти в двух банках позволяет во время чтения и записи
- До 256 + 4 КБ SRAM, в том числе 64-КБ CCM (ядра) памяти ОЗУ данных
- Гибкие внешний контроллер памяти с поддержкой до 32-разрядной шины данных: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, Compact Flash/NOR/памяти NAND
• Жк-параллельного интерфейса режимы 8080/6800
• Жк-дисплей TFT с полностью программируемые резолюции (общая ширина до 4096 пикселов, общая высота до 2048 строк и пикселей до 83 Мгц)
• Chrom-ART Accelerator™ для улучшенного графического контента (DMA2D)
• Часы, сброс питания и управления
- 1,7 В до 3,6 В в цепи питания приложений и ОС
- POR, PDR, PVD и Бор
- 4 К-26 Мгц кварцевый генератор
- Внутренние 16 Мгц на заводе подстриженная RC (1%)
- Генератор 32 Кгц для часов реального времени с помощью калибровки
- Внутренние 32 Кгц RC и калибровка
• Низкое энергопотребление
- Режим сна, остановки и ждущий режимы
- Для питания VBAT RTC, 20×32 бит регистров резервного копирования + дополнительный 4 КБ SRAM резервного копирования 
