• Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина
  • Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина
  • Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина
  • Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина
  • Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина
  • Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина

Элементами Gааs (арсенид галлия) Полупроводниковая пластина

After-sales Service: After-Sale Service
Warranty: 12
Применение: Оптический
Тип: Плоский Хрусталик
Прозрачность: > 95%
Форма: Один Объектив

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2018

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Оценка: 5.0/5
Торговая Компания

Основная Информация.

Модель №.
FW-CRYSTAL
Материал
Оптическое Стекло
Цвет объективов
Ясно
Индивидуальные
Индивидуальные
Покрытие
УФ
размер
индивидуальный
толщина
индивидуальный
метод роста
ки
Транспортная Упаковка
Box
Характеристики
customized
Торговая Марка
FineWin
Происхождение
China
Производственная Мощность
60000 PCS/Month

Описание Товара

ЭлементамиGааS(арсенидгаллия)Полупроводниковаяпластина

 
Чтомыможемпитания:

ЭлементамиGааS полупроводниковыепластины:Monocrystal слитков:2-6 дюйма
Ориентация:  (100)(111)
Тип:NтипDoped кремнияP тип, undoped doped Zn, Si


описаниепродукта

1.Подробныесведенияоспецификации:

Параметр Гарантированные/ фактическиезначения Единицизмерения
Ростаметод: VGF  
Поведениетипа: S-I-N  
Dopant: Undoped  
Диаметр: 50,7±0,1 Мм
Ориентация: (100)±0,50  
Местоположения/длина: Эдж  [ 0.50/16 0-1-1]±±1  
Еслидлина/местоположение: Эдж [ 1 ] 0.50/7 0-1±±1  
Сопротивления: Мин.:1.0 E8 Макс:2.2 E8 Ом·см
Мобильность: Минимальноезначение:4500 Макс:5482 См2/v.S
Оуб: Мин.:700 Макс:800 / См2
Толщина: 350±20 Мкм
Скругленияугла: 0,25 Коэффициентматеринскойсмертности
Лазернаямаркировка: N/A  
TTV/КОНВЕНЦИИМДП: Макс.:10 Мкм
Неплоскостностьпривалочнойповерхности: Макс.:10 Мкм
Рекомендуется: Макс.:10 Мкм
  СчетчикPartical: <50/полупроводниковыхпластин(для>0.3um)  
 Чистотаповерхности- передняя: Полированный    
Чистотаобработкиповерхности- сзади: Наспицахзубчатыхшкивов  
Epi-Ready:

Да

 
 
Параметр Гарантированные/ фактическиезначения Единицизмерения
Ростаметод: VGF  
Поведениетипа: S-I-N  
Dopant: Undoped  
Диаметр: 76,2±0,2 Мм
Ориентация: (100) 00±0,50  
Местоположения/длина: Эдж  [ 0.50/22 0-1-1]±±2  
Еслидлина/местоположение: Эдж [ 1 ] 0.50/11 0-1±±2  
Сопротивления: Min:1E8 Макс:1,03 E8 Ом·см
Мобильность: Минимальноезначение:5613 Макс:6000 См2/v.S
Оуб: Мин.:700 Макс:800 Макс:
Толщина: 625±20 Мкм
Скругленияугла: 0,375 Коэффициентматеринскойсмертности
Лазернаямаркировка: N/A  
TTV: N/A Мкм
 Чистотаповерхности- передняя: Полированный    
Чистотаобработкиповерхности- сзади: Наспицахзубчатыхшкивов  
Epi-Ready:

Да


 
 
Параметр Гарантированные/ фактическиезначения Единицизмерения
Ростаметод: VGF  
Поведениетипа: S-I-N  
Dopant: Undoped  
Диаметр: 100,0±0,2 Мм
Ориентация: (100)±0,30  
Местоположения/длина: Эдж  [ ]±0.50/32 0-1-1.5±1  
Еслидлина/местоположение: Эдж [ 1 ] 0.50/18 0-1±±1  
Сопротивления: Мин.:1.5 E8 Макс:2.0 E8 Ом·см
Мобильность: Минимальноезначение:4832 Макс:4979 См2/v.S
Оуб: Мин.:600 Макс:700 / См2
Толщина: 625±25 Мкм
Скругленияугла: 0,375 Коэффициентматеринскойсмертности
TTV/КОНВЕНЦИИМДП: Макс:3 Мкм
Неплоскостностьпривалочнойповерхности: Макс:4 Мкм
Рекомендуется: Макс:5 Мкм
  СчетчикPartical: <100/полупроводниковыхпластин(для>0.3um)  
 Чистотаповерхности- передняя: Полированный    
Чистотаобработкиповерхности- сзади: Полированный  
Epi-Ready:

Да

 
 
Параметр Удовлетворениетребованийклиента Гарантированные/ фактическиезначения Единицизмерения
Ростаметод: VGF VGF  
Поведениетипа: S-C-P S-C-P  
Dopant: GaAs-Zn GaAs-Zn  
Диаметр: 50,8±0,4 50,8±0,4 Мм
Ориентация: (100)±0,50 (100)±0,50  
Местоположения/длина: Эдж  [ 0.50/16 0-1-1]±±1 Эдж  [ 0.50/16 0-1-1]±±1  
Еслидлина/местоположение: Эдж [ 1 ] 0.50/7 0-1±±1 Эдж [ 1 ] 0.50/7 0-1±±1  
Ingot CC: Мин.1 E19 Макс:5 E19 Мин.:1.4 E19 Макс:1.9 E19 /См3
Сопротивления: Мин.:N/A Макс.:N/A Мин.:N/A Макс.:N/A Ом·см
Мобильность: Мин.:N/A Макс.:N/A Мин.:N/A Макс.:N/A См2/v.S
Оуб: Макс:5000 Мин.:600 Макс:700 / См2
Толщина: 350±25 350±25 Мкм
 Чистотаповерхности- передняя: Полированный   Полированный    
Чистотаобработкиповерхности- сзади: Наспицахзубчатыхшкивов Наспицахзубчатыхшкивов  
Epi-Ready:

Да

Да

 

Изображенияпродуктов:
 


GaAs (Gallium Arsenide) Wafer Substrate
GaAs (Gallium Arsenide) Wafer Substrate
GaAs (Gallium Arsenide) Wafer Substrate
GaAs (Gallium Arsenide) Wafer Substrate

Частозадаваемыевопросы:

Q:Какойспособдоставкиистоимость?

A(1):Мысогласныстем, Fedex DHL, TNT, UPS, EMS ит.д.

   (2), еслиувасестьсвойсобственныйExpress - этоучетнаязапись.Еслиэтонетак, мымоглибыпомочьвамдоставитих. 

 Q:Какоплатить?

A:T/Т, Paypal ит.д.

Q:ЧтовыMOQ?

A:  (1) дляинвентаризации, MOQ - 5 ПК.

   (2) дляспециализированныхпродуктов, MOQ 10ПК-25ПК.

Q:Какойсрокпоставки?

A:  (1) длястандартныхпродуктов

          Дляинвентаризации:доставкисоставляет5 рабочихднейпослеразмещениязаказа.

          Дляспециализированныхпродуктов:доставка- 2 или3 неделипослеразмещениязаказа.

     (2) дляспециальнойформыизделий, доставки- 4 или6, соответствующиминеделямпослеразмещениязаказа.

Q:Увасестьстандартныепродукты?

Ответ:Нашистандартнойпродукциинаскладе.

Q:Можноли настроитьпродуктовнаосновемоего?

Ответ:Да, мыможемнастроитьматериалы, спецификацииипокрытиеоптическогодисководадляоптическихкомпонентоввзависимостиотвашихпотребностей.
 

 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас