Инфракрасный фотодатчик M12 с высокой помехостойемостью для упаковки Производственная линия

• Тип: Диффузного отражения Тип фотоэлектрический датчик
• Выход Тип сигнала: Тип коммутации
• Процесс производства: Интеграция
• Материал: Пластиковые
• Особенность: Дирижер
• IP-Рейтинг: IP67
• Модель №.: DR12
• Сертификация: ISO
• Индивидуальные: Индивидуальные
• имя: фотоэлектрический датчик
• источник питания: 12 в пост. тока
• выход: npn или pnp
• дело: пластик или металл
• гарантия: 18 месяцев
• Транспортная Упаковка: White Box
• Характеристики: 140g
• Торговая Марка: F&C
• Происхождение: Китай
• Производственная Мощность: 50000PCS/Month

Описание Товара

Инфракрасный фотодатчик M12 для производства упаковки , высокая помехоспособность

 

Почему следует выбрать датчик F&C?

(1)  более 23 лет производства и  более 10 лет   опыта обслуживания датчиков OEM.
(2) датчики моделей 4000+  
(3) длительное время работы,  более 8 лет
(4)  гарантия сроком на 18 месяцев  
(5) Fast срок поставки. Большая часть поставок в течение  1 дней (акции)
(6)  степень защиты IP67
(7) Сертификация CE, RoHS
 
 

Семейство датчиков F&C.

(1)модели с бесконтактным датчиком 1000+ ,  
(2)модели с оптоволоконным усилителем и оптическим датчиком  3000+ ,  
(3)модели PhotoElectric Sensor 500+  
(4)модели с магнитным переключателем  100+ ,  
(5)lable sensors 40+ моделей  
 

 

Расстояние срабатывания для разных размеров:

Модель	Размер	Расстояние	Тип	Выход
DR18TI-S1000N/P	M18	10 м.	Сквозное излучение	NPN или PNP
DR18TI-S500N/P	M18	5 м.	Сквозное излучение	NPN или PNP
DR18MR-S200N/P	M18	2 м.	Ретро-рефлективный	NPN или PNP
DR18RI-S40N/P	M18	40 см.	Диффузный рефлективный	NPN или PNP
DR18RI-S10NP	M18	10 см.	Дифффузионно-отражательный	NPN или PNP
DR12TI-S500N/P	M12	5 М.	Сквозное излучение	NPN или PNP
DR12RI-S15N/P	M12	15 см.	Диффузный рефлективный	NPN или PNP
DR08TI-SU500N/P	M8	50 см.	Сквозное излучение	NPN или PNP
DR06TI-SU300N/P	М6	30 см.	Сквозное излучение	NPN или PNP

 

описание продукта

Модель	Фотоэлектрический датчик Infraed M12 для обнаружения пакетов потока
Источник света	850 нм ИК-модулированный свет
Рабочее напряжение	12-24 В ПОСТ. ТОКА
Время отклика	0,5 мс макс.
Потребление тока	Макс. 15 мА
Ток нагрузки	Макс. 100 мА при 24 в пост. Тока
Сопротивление изоляции	20 МОМ мин. При 500 в пост. Тока
Диэлектрическая прочность	60 секунд при 1000 в перем. Тока 60 ГЦ
Степень защиты	IP66
Рабочая температура	-10-50 °C (без обледенения)
Защита от обратной полярности	Да
Защита от короткого замыкания	Да
Материалов	ABS
Метод проволоки	dia4*2M/-3проводн
Вес	107g

 

Фотографии фотоэлектрического датчика

 

 

 

Датчик F&C производства машина: