Тип: | Зал Тип |
---|---|
Выход Тип сигнала: | Аналоговый выход |
Процесс производства: | Полупроводниковых интегральных |
Материал: | Пластиковые |
Класс точности: | 0.5G |
Применение: | Импульсный источник питания |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Электрические характеристики (Ta=25°C±5°C ) |
Тип | B3-50A | B3-100A | B3-200A | B3-300A | Единицы измерения |
Номинальный ток (IPN) | ±50 | ±100 | ±200 | ±300 | А |
Диапазон измерения (IP) | 0- ±75 | 0- ±150 | 0- ±300 | 0-±400 | А |
Коэффициент трансформации (NP/NS) | 1:1000 | 1:2000 | 1:2000 | 1:3000 | T |
Измерьте сопротивление С напряжением ±15 В. |
При ±50 а макс 0(мин)500(макс.) |
При ±100 а макс 0(мин)245(макс.) |
При ±200 а макс 0(мин)75(макс.) |
При ±300 а макс 0(мин)52(макс.) |
Ω |
При ±75 а макс 0(мин)245(макс.) |
При ±150 а макс 0(мин)118(макс.) |
При ±300 а макс 0(мин)33(макс.) |
При ±400Aмакс 0(мин)20(макс.) |
Ω | |
Резистор катушки | 10 | 42 | 42 | 75 | Ω |
Номинальная выходная мощность | 50 | 50 | 100 | 100 | МА |
Напряжение питания | ±12, ±15, ±18 | В. | |||
Потребляемая мощность | ≤20+IPX (NP/NS) | МА | |||
Ток смещения | @IP=0 ±0.15 | МА | |||
Смещение | ПРИ -40~+85°C ≤±0.4 | МА | |||
Линейность | @IP=0-±IPN ≤0.1 | %FS | |||
Время отклика | При 50 A/μS, 10%-90% ≤1 | μs | |||
Гальваническая изоляция | При 50 ГЦ, перем. Ток, 1 мин 3 | КВ | |||
ди/дт | >100 | А/о | |||
Полоса пропускания | @ -1dB 0~150 | КГЦ |
Области применения |
Указания по использованию |
Общая дата |
Значение | Единицы измерения | |
Рабочая температура (TA) | от -40 до +85 | °C |
Температура хранения (TS) | от -40 до +125 | °C |
Масса (прибл.) (м) | 40 | g |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями