Венская топология VDS, МОП-транзистор высокой мощности

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Модель №.: OSG65R035HTF TO247
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Power Level: Medium Power
• Material: Silicon
• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• тип: быстрая зарядная станция ev
• гарантия: 24 месяцев
• Транспортная Упаковка: Carton
• Характеристики: TO247
• Торговая Марка: Orientalsemiconductor
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20K/Monthly

Описание Товара

Описание продукта

 

Общее описание
Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Generic оптимизирована для обеспечения максимальной производительности коммутации, что позволяет минимизировать потери при коммутации. Он предназначен для применения в условиях высокой плотности мощности, что позволяет обеспечить соответствие самым высоким стандартам эффективности.

Функции                                                                                                    

• Low RDS(ON) (низкие значения RDS(ВКЛ)) и FOM (низкие значения
• Очень низкие потери при переключении
• Превосходная стабильность и однородность

Области применения

• Питание ПК
• Светодиодная подсветка
• Телекоммуникационное питание
• Мощность сервера
• Зарядное устройство электромобиля
• Солнечная батарея/ИБП
•  
• Ключевые параметры производительности
•  

  Параметр	Значение	Единицы измерения
  VDS, мин. При Tj(макс.)	700	В.
  ID, импульс	240	А
  RDS(ON) (RDS(ВКЛ)), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	35	MΩ
  ВГ	153.6	НЗ

  
  Информация о маркировке
   

  Название продукта	Пакет	Маркировка
  OSG65R035HTF	TO247	OSG65R035HT

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	650	В.
Напряжение источника литника	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1^), TC=25 °C.	ID	80	А
Непрерывная дренажная кард1^), TC=100 °C.		50
Ток пульсирующего стока2^), TC=25 °C.	ID, импульс	240	А
Постоянный диод переднего хода 1^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	80	А
Диод импульсной карри 2^), TC=25 °C.	IS, импульс	240	А
Power dissispation3^) TC=25 °C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	455	W
Одиночная импульсная лавина (5))	EAS	1700	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	15	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения	RθJC	0.27	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	650			В.	VGS=0 В, ID=2 МА
		700				VGS=0 в, ID=2 мА, Tj=150 °C.
Пороговое напряжение затвора	VGS(TH) (ВГГ(	2.8		4.0	В.	VDS=VGS, ID=2 МА
Сопротивление при состоянии "источник слива включен"	RDS(ВКЛ)		0.028	0.035	Ω	VGS=10 В, ID=40 А
			0.075			VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	ИДА			5	μA	VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки	RG		2.4		Ω	ƒ= 1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		7549.2		ПФ	VGS=0 В, VDS=50 В, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	КОСС		447.1		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		13.2		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		52.3		нс	VGS=10 В, VDS=400 В, RG=5 Ω, ID=40 А
Время нарастания	tr		86.8		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		165.2		нс
Время осени	тф		8.5		нс

Характеристики заряда литника

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая стоимость задвижки	ВГ		153.6		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 А
Зарядка от источника литника	QGS		41.8		НЗ
Зарядка от заслонки слива	QGD		50.2		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		5.8		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.3	В.	IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		566.1		нс	VR=400 В, = 40 А, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		13.2		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		45.9		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
5. VDD=100 в, VGS=10 в, L=60 MH, запуск Tj=25 °C.