VDS-700V ID-12A RDS (ВКЛ) -1,4 миллиом QG-6,7 NC зарядное устройство электромобиля Солнечный/ИБП Питание МОП-транзистор

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Модель №.: TO252 OSG65R1K4DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Транспортная Упаковка: Carton
• Характеристики: 37*37*29CM
• Торговая Марка: Orientalsemi
• Код ТН ВЭД: 8541290000
• Производственная Мощность: Over 1kk/Month

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Generic оптимизирована для обеспечения максимальной производительности коммутации, что позволяет минимизировать потери при коммутации. Он предназначен для применения в условиях высокой плотности мощности, что позволяет обеспечить соответствие самым высоким стандартам эффективности.
 

Функции

• Low RDS(ON) (низкие значения RDS(ВКЛ)) и  FOM (низкие значения
• Очень низкие  потери при переключении
• Превосходная стабильность и  однородность

 

Области применения

•  Питание ПК
• Светодиодная подсветка
•  Телекоммуникационное питание
•  Мощность сервера
• Зарядное устройство электромобиля
• Солнечная батарея/ИБП

 

Ключевые параметры производительности

 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.)	700	В.
ID, импульс	12	А
RDS(ON) (RDS(ВКЛ)), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	1.4	Ω
ВГ	6.7	НЗ

Информация о маркировке

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OG65R1K4DF	TO252	OG65R1K4D

 

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	650	В.
Напряжение источника литника	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.	ID	4	А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C.		2.5
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C.	ID, импульс	12	А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	4	А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C.	IS, импульс	12	А
Power dissispation3), TC=25 °C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	28.4	W
Одиночная импульсная лавина (5))	EAS	112	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	15	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

 

Тепловые характеристики

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения	RθJC	4.4	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	650			В.	VGS=0 В, ID=250 ΜA
		700	770			VGS=0 в, ID=250 μA, Tj=150 °C.
Порог выхода напряжение	VGS(TH) (ВГГ(	2.0		4.0	В.	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Сопротивление при состоянии "источник слива включен"	RDS(ВКЛ)		1.2	1.4	Ω	VGS=10 В, ID=2 А
			2.9			VGS=10 В, ID=2 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	ИДА			1	μA	VDS=650 В, VGS=0 В.

 

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		259.9		ПФ	VGS=0 В, VDS=50  В, ƒ=1  МГц
Выходная емкость	КОСС		21.1		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		0.9		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		30.9		нс	VGS=10 В, VDS=380 В, RG=25 Ω, ID=4 А
Время нарастания	tr		20.7		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		56.3		нс
Время осени	тф		28.7		нс

Характеристики заряда литника

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая стоимость задвижки	ВГ		6.7		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=4 А
Зарядка от источника литника	QGS		1.5		НЗ
Зарядка от заслонки слива	QGD		3.2		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		6.4		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.3	В.	IS=4 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		162		нс	VR=400 В, IS=4 A, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		1.2		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		7		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой  температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс.  Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием  теплового сопротивления корпуса соединения.
4.      Значение RθJA измеряется  при   установке устройства   на      плату 1 в 2 FR-4  с  объемом 2 унции.  Медь, в воздушной среде с Ta=25  °C.
5. VDD=50 в, VGS=10 в, L=20 MH, запуск Tj=25  °C.

 

Цепочка поставок

Декларация о экологичных продуктах