Источники бесперебойного питания To247-P 800 Вт Ost75n65hsmf 30 в Производитель Trident Gate Биполярный МОП-транзистор

• Приложение: Измерение температуры
• Номер партии: 2010+
• Технология производства: Дискретное устройство
• Материал: Полупроводниковый элемент
• Модель: ST
• Пакет: DIP (Двухрядный пакет)
• Модель №.: OST75N65HSMF-2
• Обработка сигналов: Цифровой
• Type: Полупроводник типа N
• номер по каталогу: ost75n65hsmf
• упаковка: to-274
• приложения 1: индукционные преобразователи
• приложения 2: источники бесперебойного питания
• марка: ориенталполу
• Транспортная Упаковка: Carton
• Характеристики: 35x30x37cm
• Торговая Марка: ориенталполу
• Происхождение: Китай
• Код ТН ВЭД: 8541290000
• Производственная Мощность: Over 1kk/Month

Описание Товара

Описание продукта

Общее  описание
   В OST75N65HSMF используется    запатентованная технология    биполярного транзистора       TGBTTM (TGBdent-Gate    Bipolar    Transistor ),   которая  обеспечивает   чрезвычайно низкое  напряжение VCE (SAT),    низкий уровень заряда литника  и  превосходную  коммутацию . Данное устройство  подходит для    преобразователей частоты переключения среднего и высокого диапазона.

Функции
.   Усовершенствованная технология TGBTTM
.  Превосходная проводимость и   потеря переключения
.  Превосходная стабильность и  однородность
.  Быстрый и мягкий  антипараллельный  диод

Области применения
.   Индукционные преобразователи
.  Источники  бесперебойного питания

 Ключевые параметры производительности
 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VCES,  мин . При 25°C.	650	В.
Максимальная температура соединения	175	°C
ИС,  импульс	300	А
VCE(SAT), тип  @ VGE=15 В.	1.45	В.
ВГ	195	НЗ

 Информация о маркировке
 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OST75N65HSMF	TO247	OST75N65HSM

  Абсолютные максимальные значения при   Tvj=25°C , если  не  указано иное

 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение передатчика коллектора	ВКЕС	650	В.
Напряжение генератора строба	ВГЭС	±20	В.
Напряжение генератора переходных синхроимпульс, TP≤10 мкс,  D<0.01		±30	В.
Непрерывный  коллекционер current1 ) , TC=25°C.	ИС	90	А
Непрерывный  коллекционер current1 ) , TC=100°C.		75	А
Пульсирующий коллектор   current2) , TC=25°C.	ИС,  импульс	300	А
Диодный  ток переднего  хода 1) , TC=25°C.	ЕСЛИ	90	А
Диодный  ток переднего  хода 1) , TC=100°C.		75	А
Диодная  импульсная кард1 ) , TC=25°C.	ЕСЛИ,  пульсирующий	300	А
Power  dissispation3) , TC=25°C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	395	W
Power  dissispation3) , TC=100°C.		198	W
Температура эксплуатации и хранения	Тстг, Твж	от -55 до  175	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Тепловое сопротивление IGBT,  корпус соединения	RθJC	0.38	°C/ВТ.
Термосопротивление диода,  корпус соединения	RθJC	0.38	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление,  соединение-ambient4)	RθJA	40	°C/ВТ.

 

 Электрические характеристики  при  Tvj=25°C , если  не  указано иное
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Коллектор-эмиттер напряжение пробоя	V(BR)CES	650			В.	VGE=0 В,  IC=0.5  МА
Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	VCE(SAT)		1.45	1.7	В.	VGE=15 В,  IC=75 А Tvj=25°C
			1.65		В.	VGE=15 В,  IC=75 А, Tvj   =125°C.
			1.75			VGE=15 В,  IC=75 А, Tvj   =175°C.
Затвор-эмиттер пороговое напряжение	VGE(TH)	3.0	4.0	5.0	В.	VCE=VGE  ,  ID=0.5  МА
Диод вперед напряжение	VF		1.6	1.8	В.	VGE=0 В,  ЕСЛИ=75 А Tvj   =25°C.
			1.5			VGE=0 В,  IF=75 А, Tvj   =125°C.
			1.4			VGE=0 В,  IF=75 А, Tvj   =175°C.
Затвор-эмиттер ток утечки	ИГЕС			100	Нет	VCE=0 В, VGE=20 В.
Ток  коллектора напряжения нулевой заслонки	ИКС			10	μA	VCE=650 В, VGE=0 В.

Динамические характеристики
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	Кис		8066		ПФ	VGE=0 В, VCE = 25 В, ƒ=100  кГц
Выходная емкость	COE		230		ПФ
Емкость обратной передачи	CRES		6		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		68		нс	VGE=15 В, VCC=400 В, RG=10  Ω, IC=75 А
Время нарастания	tr		107		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		265		нс
Время осени	тф		91		нс
Включите питание	Эон		2.98		МДж
Отключите питание	Eoff (Выкл.)		1.1		МДж
Время задержки включения	td(вкл)		56		нс	VGE=15 В, VCC=400 В, RG=10  Ω, IC=30 А
Время нарастания	tr		49		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		311		нс
Время осени	тф		62		нс
Включите питание	Эон		0.95		МДж
Отключите питание	Eoff (Выкл.)		0.34		МДж

Характеристики заряда литника
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая  стоимость задвижки	ВГ		195		НЗ	VGE=15 В, VCC=520 В, IC=75 А
Задвижка-эмиттер	Вге		62		НЗ
Задвижка коллектора	КВГК		54		НЗ

Характеристики диода корпуса
 

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Время восстановления диода при движении назад	trr		132		нс	VR  =400 В, ЕСЛИ = 75 А, DIF/dt=500 A/μs  Tvj   = 25°C.
Диод обратного  заряда	QRR		1.4		μC
Пиковый обратный ток диода	Иррм		20		А

Примечание
1)   Расчетный непрерывный ток  на основе   максимально  допустимой температуры соединения.  2)   повторяющаяся оценка ;  ширина импульса  ограничена  макс . Температурой соединения.
3)   PD   основан на  максимальной температуре соединения,  использующей  термосопротивление корпуса соединения.
4)     значение   RθJA    измеряется  с   помощью устройства , установленного  на      плате FR-4 1 дюймов2  с объемом  2 унции.  Медь, в     воздушной среде  с  Ta=25  °C.

Цепочка поставок

Декларация о экологичных продуктах