• Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET
  • Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET
  • Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET
  • Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET
  • Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET
  • Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Топология PFC без Bridgeless Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Type: Car Power Inverter
Certification: RoHS
описание: очень низкие потери при переключении
характеристики: превосходная стабильность и однородность
области применения: питание пк
промышленности: светодиодная подсветка

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания

Основная Информация.

Модель №.
OSG65R038HZAF TO247
приложение
автомобильный инвертор
Транспортная Упаковка
Air
Торговая Марка
Orientalsemiconductor
Происхождение
China
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20kkkk/Monthly

Описание Товара

Общее описание
Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения высокой производительности коммутации и надежной лавинной способности.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, которые обеспечивают более высокую эффективность, более высокую надежность и меньший форм-фактор.

Функции
  • НИЗКИЙ УРОВЕНЬ RDS(ON) И FOM
  • Крайне низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность
  • Сверхбыстрый и прочный диод корпуса

Области применения                                                                                             
  • Питание ПК
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера
  • Зарядное устройство электромобиля
  • Привод двигателя

Ключевые параметры производительности
 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.) 700 В.
ID, импульс 240 А
RDS(ВКЛ), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 38
ВГ 175 НЗ

Информация о маркировке
 
Название продукта Пакет Маркировка
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника кулисы VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID (ИДЕНТИФИКАТОР)
80
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 50
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 240 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 80 А
Диодный импульсный кард2), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом 240 А
Power  dissipation3) , TC=25  °C. PD 500 W
Одиночная импульсная лавина с напряжением 5) EAS 2900 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 100 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 50 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Тепловое сопротивление, корпус соединения RθJC 0.25 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки

Напряжение пробоя источника слива

BVDSS
650    
В.
VGS=0 В, ID=2 МА
700 770   VGS=0 в, ID=2 мА, Tj=150 °C.
Порог выхода
напряжение
VGS(TH) 3.0   4.5 В. VDS=VGS, ID=2 МА

Дренажный источник
сопротивление во время работы

RDS(ВКЛ)
  0.032 0.038
Ω
VGS=10 В, ID=40 A
  0.083   VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива IDSS     10 μA VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки RG   2.1   Ω ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   9276   ПФ
VGS=0 В, VDS=50 В,
ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   486   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   12.8   ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией Co(er) (Сомер)   278   ПФ
VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем Co(tr) (время повторения)   1477   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   55.9   нсм
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=40 A
Время нарастания тр   121.2   нсм
Время задержки выключения td(выкл.)   114.2   нсм
Время осени тф   8.75   нсм

Характеристики задвижки
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая плата за посадку ВГ   175.0   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 A
Зарядка от источника литника QGS   40.1   НЗ
Задвижка - слив QGD   76.1   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   6.4   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   180   нсм
= 30 А,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   1.5   UC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   15.2   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. Значение RθJA измеряется с помощью устройства, установленного на плате 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
  5. VDD=300 в, VGS=10 в, L=40 мГн, запуск Tj=25 °C.
Totem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ MosfetTotem-Pole Bridgeless Pfc Topology Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Mosfet
 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры