• Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS
  • Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS
  • Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS
  • Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS
  • Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS
  • Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS

Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS

Certification: RoHS, ISO
Shape: Metal Porcelain Tube
Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
Cooling Method: Air Cooled Tube
Function: Switch Transistor
Working Frequency: High Frequency

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания

Основная Информация.

Модель №.
TO220F OSG65R290FF
Structure
Planar
Encapsulation Structure
Chip Transistor
Power Level
High Power
Material
Silicon
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
35x30x37cm
Торговая Марка
Orientalsemi
Происхождение
China
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
Over 1kk/Month

Описание Товара



Общее  описание
    Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS®  использует    технологию балансировки заряда  для  достижения  выдающегося низкого  сопротивления при работе  и  низкого   заряда затвора.  Он   разработан  для  минимизации   потерь проводимости, обеспечения   высокой производительности коммутации  и  надежной  лавинной  способности.
      Серия GreenMOS® Generic   оптимизирована     для   максимальной     производительности коммутации  , что позволяет   минимизировать   потери при коммутации.  Он    предназначен для        применения в условиях высокой плотности мощности  и   соответствует      самым высоким стандартам эффективности.

Функции
      Низкий  уровень RDS(ON) и FOM
      Крайне  низкие   потери при переключении
       Превосходная стабильность  и  однородность

Области применения
       Питание ПК
       Светодиодная подсветка
       Телекоммуникационное питание
       Мощность сервера
       Зарядное устройство электромобиля
      Солнечная батарея/ИБП

  Ключевые параметры производительности

Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин . При Tj(макс.) 700 В.
ID,  импульс 45 А
RDS(ВКЛ) , МАКС . ПРИ VGS  =10 В. 290
ВГ 18 НЗ


  Абсолютные максимальные значения при   Tj  =25°C , если  не  указано иное

Параметр Символ Значение Единицы измерения
 Напряжение источника тока VDS 650 В.
 Напряжение источника кулисы VGS ±30 В.
Непрерывная  дренажная кард1 ), TC=25 °C.
ID (ИДЕНТИФИКАТОР)
15
А
Непрерывная  дренажная кард1 ), TC=100 °C. 9.3
Ток пульсирующего  стока  2), TC=25 °C. ID,  импульс 45 А
Непрерывный  диод  переднего  хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 15 А
Диодный  импульсный  кард1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом 45 А
Power  dissispation3), TC=25 °C. PD 32 W
   Одиночная импульсная лавина с напряжением 5) EAS 400 МДж
Прочность МОП-транзистора  dv/dt , VDS  =0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный  диод  dv/dt, VDS  =0…480 в, ISDID dv/dt 15 В/НС
   Температура эксплуатации и хранения Tstg  , Tj от -55 до 150 °C


 Электрические характеристики  при  Tj  =25°C , если  не  указано иное

Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
          Напряжение пробоя источника слива
BVDSS
650    
В.
VGS  =0 В, ID  =250 ΜA
700 770   VGS  =0 в, ID  =250 μA, Tj  =150 °C.
 Порог выхода
напряжение
VGS(TH) 2.0   4.0 В. VDS  =VGS , ID =250 ΜA
   Сопротивление при вкл.-источник дренажа
RDS(ВКЛ)
  0.26 0.29
Ω
VGS  =10 В, ID=7.5  A
  0.68   VGS  =10 В, ID=7.5 А, TJ  =150 °C.
Источник литника
 ток утечки

IGSS
    100
Нет
VGS  =30 В.
    - 100 VGS  =-30 В.
Дренажный источник
 ток утечки
IDSS     1 μA VDS  =650 В, VGS  =0 В.

Примечание
1)    Расчетный  постоянный  ток  на основе   максимально  допустимой   температуры соединения.
2)    повторяющаяся оценка ;  ширина импульса  ограничена  макс .  Температурой соединения.
3)    PD   основан  на  макс.  Температуре соединения с использованием    теплового сопротивления корпуса соединения.
4)      значение   RθJA   измеряется  с   помощью устройства , установленного  на   плате 1 в 2 FR-4  с объемом 2oz. Медь, в     воздушной среде  с  Ta=25 °C.
5)     VDD=100 в, VGS  =10 в, L=20 мГн, запуск  Tj  =25 °C.

 Информация для заказа

Пакет
Тип
Единицы измерения/
Трубка
Тубы/  внутренний  ящик Единицы измерения/    Внутренняя  коробка Внутренние  коробки/  картонная коробка   Единицы измерения/      картонная коробка  
TO220F-C. 50 20 1000 6 6000



 Информация о продукте
 
Продукт Пакет Без Pb   RoHS  Не содержит галогенов
OSG65R290FF TO220F да да да


Цепочка поставок

To220f Osg65r290FF Vds-700V ID-45A RDS (ON) -290milliohm Qg-18nc for Server Power EV Charger Solar/UPS N-Channel Power Mosfet



Зеленая декларация продукта

To220f Osg65r290FF Vds-700V ID-45A RDS (ON) -290milliohm Qg-18nc for Server Power EV Charger Solar/UPS N-Channel Power Mosfet
 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары Гринмос Улучшение транзистора To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ВКЛ) -290 миллиом QG-18nc Для N-канального силового МОП-транзистора с зарядным устройством электромобиля с электропитанием от сервера Solar/UPS

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры