• Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания
  • Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания
  • Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания
  • Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания
  • Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания
  • Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания

Полупроводниковый МОП-транзистор с напряжением 650 в RDS38mΩ для телекоммуникационного питания

сертификация: RoHS, ISO, CCC
форма: Металл Фарфор Труба
Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube
Способ охлаждения: Воздушное охлаждение труб
функция: Микроволновая печь транзистор, транзисторный
Рабочая частота: Высокая частота

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
OSG65R038HZAF TO247
Состав
плоскостной
Инкапсуляция Структура
Пластиковые Герметичный Транзистор
Уровень мощности
средняя мощность
материал
кремний
описание
очень низкие потери при переключении
характеристики
превосходная стабильность и однородность
области применения
питание пк
промышленности
светодиодная подсветка
тип
быстрая зарядная станция ev
гарантия
24 месяцев
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
35x30x37cm
Торговая Марка
Orientalsemiconductor
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20K/Monthly

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, чтобы достичь более высокой эффективности, надежности и меньшего форм-фактора.

Функции                                                                                                    
  • Low RDS(ON) (низкие значения RDS(ВКЛ)) и FOM (низкие значения
  • Очень низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность
  • Сверхбыстрый и прочный диод корпуса
  • AEC-Q101 сертифицирован для использования в автомобильной промышленности

Области применения
  • Питание ПК
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера
  • Зарядное устройство электромобиля
  • Привод двигателя


Ключевые параметры производительности

 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS 650 В.
ID, импульс 240 А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 38
ВГ 175 НЗ

Информация о маркировке

 
Название продукта Пакет Маркировка
OSG65R038HZAF TO247 OSG65R038HZA

Информация о упаковке и PIN-кода
 
       
       
 



 Проверка HTRB была выполнена при напряжении 600 в более строго, чем AEC-Q101, ред. C (80% V(BR)DSS). Все остальные испытания проводились в соответствии с AEC Q101 rev. E.
 
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника литника VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID
80
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 50
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 240 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 80 А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 240 А
Power  dissispation3) , TC=25  °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 500 W
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 2048 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 100 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 50 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.25 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива BVDSS 650     В. VGS=0 В, ID=2 МА
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) (ВГГ( 3.0   4.5 В. VDS=VGS, ID=2 МА

Слейте воду из источника
сопротивление во время работы

RDS(ВКЛ)
  0.032 0.038
Ω
VGS=10 В, ID=40 А
  0.083   VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     10 μA VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки RG   2.1   Ω ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   9276   ПФ
VGS=0 В, VDS=50 В,
ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   486   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   12.8   ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией Соер   278   ПФ
VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем Co(tr) (время повторения)   1477   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   55.9   нс
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=40 А
Время нарастания tr   121.2   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   114.2   нс
Время осени тф   8.75   нс

Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   175.0   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 А
Зарядка от источника литника QGS   40.1   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   76.1   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   6.4   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   180   нс
= 30 А,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   1.5   UC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   15.2   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. VDD=100 в, VGS=10 в, L=80 MH, запуск Tj=25 °C.
 
Telecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor Mosfet
Telecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor MosfetTelecom Power Vds 650V RDS38mΩ High Voltage Semiconductor Mosfet


 
 





 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры