• Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT
  • Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT
  • Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT
  • Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT
  • Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT
  • Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT

Допуск по короткому замыканию 1200 в DC-1 кГц дискретный автомобильный IGBT

сертификация: RoHS, CE, aec-q101
Инкапсуляция Структура: Пластиковые Герметичный Транзистор
Монтаж: Плагин триод
Рабочая частота: Высокая частота
Уровень мощности: средняя мощность
функция: Мощность Триод, Переключение Триод

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
OST40N120HMF -3
Состав
NPN
материал
кремний
описание
очень низкие потери при переключении
характеристики
превосходная стабильность и однородность
области применения
питание пк
промышленности
светодиодная подсветка
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
TO247
Торговая Марка
Orientalsemiconductor
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20K/Monthly

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, чтобы достичь более высокой эффективности, надежности и меньшего форм-фактора.

Функции
  • LOW RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
  • Очень низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность
  • Сверхбыстрый и прочный диод корпуса

Области применения                                                                                             
  • Питание ПК
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера
  • Зарядное устройство электромобиля
  • Привод двигателя
Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz Discrete Automotive IGBT

Ключевые параметры производительности
 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.) 650 В.
ID, импульс 240 А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 30
ВГ 178 НЗ

Информация о маркировке
 
Название продукта Пакет Маркировка
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 600 В.
Напряжение источника литника VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID
80
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 50
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 240 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 80 А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 240 А
Power dissispation3), TC=25 °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 480 W
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 2500 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 50 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.26 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива BVDSS 600     В. VGS=0 В, ID=1 МА
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) (ВГГ( 3.0   4.5 В. VDS=VGS, ID=2 МА,

Слейте воду из источника
сопротивление во время работы

RDS(ВКЛ)
  0.028 0.030
Ω
VGS=10 В, ID=40 А
  0.058   VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     10 μA VDS=600 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки RG   2.1   Ω ƒ=1 МГц, открытый дренаж


Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   9343   ПФ
VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   708   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   15   ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией Соер   345   ПФ
VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем Co(tr) (время повторения)   1913   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   52.1   нс
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=40 А
Время нарастания tr   105.2   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   125.7   нс
Время осени тф   4.1   нс

Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   177.9   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 А
Зарядка от источника литника QGS   37.4   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   78.4   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   6.2   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.4 В. IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   186.6   нс
= 40 А,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   1.6   μC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   15.4   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. VDD=100 в, VGS=10 в, L=80 MH, запуск Tj=25 °C.
Short-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz Discrete Automotive IGBTShort-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz Discrete Automotive IGBTShort-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz Discrete Automotive IGBTShort-Circuit Tolerance 1200V DC-1 kHz Discrete Automotive IGBT1. Какие услуги у вас есть?

Мы являемся поставщиком и производителем оригинального силового моп-транзистора и полупроводника IGBT, мы можем предложить конкурентоспособную цену и ожидаемую быструю доставку и хорошее качество с быстрым обслуживанием, у нас есть собственная команда НИОКР , и Инженер для того чтобы обеспечить лучшее обслуживание для клиентов для устойчивой поддержки.  
 

2. Могу ли я получить образцы для тестирования?

Мы предлагаем бесплатные образцы для наших клиентов и они только должны оплатить перевозку образцов.

3. Что насчет поставки?

Обычно время ожидания составляет около 1-4  недель после получения платежа. Для обычных деталей, пожалуйста, сообщите нам за три месяца до начала глобального плана снабжения, мы будем иметь количество в наличии в течение всего года.

4. Что насчет условий оплаты?

Это можно обсудить на основе фактической ситуации заказа.  
 
5. Что насчет условий поставки ?

EXW SHANGHAI ; мы также работаем с DHL, FEDEX, TNT и т.д. для большого количества, клиентам необходимо выбрать экспедитора, мы можем предложить услугу для помощи клиентам   

6. Есть ли у вас требование к минимальному количеству заказов?

Исходя из различных продуктов, для первого пробного заказа на тестирование мы можем предложить количество на основе запроса клиентов,  для повторного заказа MOQ основывается на минимальном количестве упаковки.  
 

 
 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры