Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
---|---|
Material: | Element Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | SMD |
Signal Processing: | Digital |
Application: | Television |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Параметр | Значение | Единицы измерения |
VDS, мин. При Tj(макс.) | 650 | В. |
ID, импульс | 240 | А |
RDS(ВКЛ), МАКС. ПРИ VGS=10 В. | 30 | MΩ |
ВГ | 178 | НЗ |
Название продукта | Пакет | Маркировка |
OSG60R030HZF | TO247 | OSG60R030HZ |
Параметр | Символ | Значение | Единицы измерения |
Напряжение источника тока | VDS | 600 | В. |
Напряжение источника кулисы | VGS | ±30 | В. |
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C. | ID (ИДЕНТИФИКАТОР) |
80 | А |
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. | 50 | ||
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. | ID, импульс | 240 | А |
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. | ЯВЛЯЕТСЯ | 80 | А |
Диодный импульсный кард2), TC=25 °C. | ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом | 240 | А |
Power dissispation3), TC=25 °C. | PD | 480 | W |
Одиночная импульсная лавина с напряжением 5) | EAS | 2500 | МДж |
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. | dv/dt | 50 | В/НС |
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID | dv/dt | 50 | В/НС |
Температура эксплуатации и хранения | Tstg, Tj | от -55 до 150 | °C |
Параметр | Символ | Значение | Единицы измерения |
Тепловое сопротивление, корпус соединения | RθJC | 0.26 | °C/ВТ. |
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) | RθJA | 62 | °C/ВТ. |
Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
Напряжение пробоя источника слива | BVDSS | 600 | В. | VGS=0 В, ID=1 МА | ||
Пороговое напряжение затвора | VGS(TH) | 3.0 | 4.5 | В. | VDS=VGS, ID=2 МА, | |
Дренажный источник сопротивление во время работы |
RDS(ВКЛ) |
0.028 | 0.030 | Ω |
VGS=10 В, ID=40 A | |
0.058 | VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C. | |||||
Ток утечки источника литника | IGSS |
100 | Нет |
VGS=30 В | ||
-100 | VGS=-30 В | |||||
Ток утечки из источника слива | IDSS | 10 | μA | VDS=600 В, VGS=0 В. | ||
Сопротивление заслонки | RG | 2.1 | Ω | ƒ=1 МГц, открытый дренаж |
Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
Входная емкость | CISS | 9343 | ПФ | VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц |
||
Выходная емкость | КОСС | 708 | ПФ | |||
Емкость обратной передачи | CRSS | 15 | ПФ | |||
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией | Co(er) (Сомер) | 345 | ПФ | VGS=0 В, VDS=0 В-400 В. |
||
Эффективная выходная емкость, связанная с временем | Co(tr) (время повторения) | 1913 | ПФ | |||
Время задержки включения | td(вкл) | 52.1 | нсм | VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=40 A |
||
Время нарастания | тр | 105.2 | нсм | |||
Время задержки выключения | td(выкл.) | 125.7 | нсм | |||
Время осени | тф | 4.1 | нсм |
Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
Общая плата за посадку | ВГ | 177.9 | НЗ | VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 A |
||
Зарядка от источника литника | QGS | 37.4 | НЗ | |||
Задвижка - слив | QGD | 78.4 | НЗ | |||
Напряжение плато затвора | Vплато | 6.2 | В. |
Параметр | Символ | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия проверки |
Диод, напряжение переднего хода | VSD | 1.4 | В. | IS=80 A, VGS=0 В. | ||
Время восстановления в обратном направлении | trr | 186.6 | нсм | = 40 А, DI/dt=100 A/μs |
||
Обратный заряд для восстановления | QRR | 1.6 | μC | |||
Пиковый обратный ток восстановления | Иррм | 15.4 | А |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями