• Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь
  • Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь
  • Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь
  • Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь
  • Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь
  • Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь

Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь

сертификация: RoHS, ISO
форма: Металл Фарфор Труба
Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube
Способ охлаждения: Воздушное охлаждение труб
функция: транзисторный
Рабочая частота: Высокая частота

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания

Основная Информация.

Модель №.
PDFN5*6 SFG100N10GF
Состав
плоскостной
Инкапсуляция Структура
Чип транзистор
Уровень мощности
Высокая мощность
материал
кремний
Транспортная Упаковка
Carton
Торговая Марка
Orientalsemi
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
Over 1kk/Month

Описание Товара

Общее  описание
  МОП-транзистор SFGMOS®   основан  на      уникальной конструкции устройств компании Oriental Semiconductor , которая обеспечивает  низкий  уровень RDS(ON),   низкий уровень заряда затвора,  быстрое переключение  и  превосходные  лавинные  характеристики.    Серия High Vth  специально оптимизирована   для  систем высокого напряжения   с  напряжением  привода затвора   более  10 В.
 

Функции
      LOW  RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И  FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
      Очень  низкие   потери при переключении
       Превосходная стабильность  и  однородность
       Быстрое переключение  и  мягкое  восстановление


Области применения
         Питание в режиме переключения
       Привод двигателя
       Защита аккумуляторной батареи
       Преобразователь постоянного тока
       Инвертор солнечной энергии
      ИБП  и   инвертор энергии


  Ключевые параметры производительности
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин . При Tj(макс.) 100 В.
ID,  импульс 300 А
RDS(ON), МАКС . ПРИ VGS  =10 В. 8
ВГ 55.6 НЗ


  Абсолютные максимальные значения при   Tj  =25°C , если  не  указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение  источника слива   VDS 100 В.
  Напряжение источника кулисы VGS ±20 В.
Непрерывная  дренажная кард1 ), TC=25 °C. ID 100 А
Импульсная дренажная кард2  ), TC=25 °C. ID,  импульс 300 А
Непрерывный  диод  переднего  хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 100 А
Диод  импульсной  карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 300 А
Power  dissispation3), TC=25 °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 148 W
   Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 130 МДж
   Температура эксплуатации и хранения Tstg , Tj от -55 до 150 °C


 Тепловые характеристики
Параметр Символ Значение Единицы измерения
 Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.84 °C/ВТ.
 Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.


 Электрические характеристики  при  Tj  =25°C , если  не  указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
          Напряжение пробоя источника слива BVDSS 100     В. VGS  =0  В, ID  =250 PA
 Порог выхода
напряжение
VGS(TH) (ВГГ( 2.0   4.0 В. VDS  =VGS , ID =250 PA
Слейте воду из источника
 сопротивление во время работы
RDS(ВКЛ)   6.5 8.0 MQ VGS  =10 В, ID=12 А
Источник литника
 ток утечки

IGSS
    100
Нет
VGS  =20 В.
    - 100 VGS  =-20 В
Слейте воду из источника
 ток утечки
ИДА     1 ПА VDS  =100 В, VGS  =0 В.


 Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
 Входная емкость CISS   3530   ПФ
VGS  =0  В,
VDS  =50 В,
ƒ=1  МГц
 Выходная емкость КОСС   560   ПФ
  Емкость обратной передачи CRSS   9   ПФ
  Время задержки включения td(вкл)   22.5   нс
VGS  =10 В,
VDS  =50 В,
RG=2 Ω,
ID=10  A
Время нарастания   tr   8.6   нс
Время  задержки выключения   td(выкл.)   66.6   нс
Время осени   тф   42.1   нс

Примечание
1)    Расчетный  непрерывный  ток  на основе   максимально  допустимой   температуры соединения.
2)    повторяющаяся оценка ;  ширина импульса  ограничена  макс .  Температурой соединения.
3)    PD   основан  на  максимальной  температуре соединения, использующей    термосопротивление корпуса соединения.
4)      значение   RθJA   измеряется  при   установке устройства   на плате 1 в 2 FR-4  с объемом 2 унции. Медь, в     воздушной среде  с  Ta=25 °C.
5)     VDD=50 в, VGS=10 в, L=0.3 мГн, запуск  Tj  =25 °C.


 Информация для заказа
Пакет
Тип
Единицы измерения/
Мотовило
Катушки  /    внутренний  ящик Единицы измерения/    Внутренняя  коробка Внутренние  коробки/  картонная коробка   Единицы измерения/      картонная коробка  
PDFN5*6-C. 5000 2 10000 5 50000
PDFN5*6-K. 5000 2 10000 5 50000


 Информация о продукте
Продукт Пакет Без Pb   RoHS  Не содержит галогенов
SFG100N10GF PDFN5*6 да да да



Цепочка поставок Mode N-Channel Power Mosfet Pdfn5*6 Sfg100n10GF Vds-100V ID-300A for Battery Protection DC-DC Convertor



Декларация о экологичных продуктах

Mode N-Channel Power Mosfet Pdfn5*6 Sfg100n10GF Vds-100V ID-300A for Battery Protection DC-DC Convertor
 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары УПР. Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg100n10GF VDS-100V ID-300A RDS (ВКЛ) -8миллиом QG-55.6nc для защиты батареи DC-DC преобразователь

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры