Большой экран RoHS Perfect Replacement for the Gallium Nitride (Gan) устройство в высокочастотных операциях Os65r340FF To220f Super Si МОП-транзистор

• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• Транспортная Упаковка: Air
• Торговая Марка: Orientalsemiconductor
• Модель №.: OSS65R340FF TO220F
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20kkkk/Monthly

Описание Товара

 

Общее описание
Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения высокой производительности коммутации и надежной лавинной способности.
Серия GreenMOS® SuperSi основана на уникальном дизайне устройств Oriental Semiconductor, который обеспечивает исключительно быструю коммутацию. Это идеальная замена для устройства Gallium Nitride (GaN) при высокочастотных операциях с большей прочностью и стоимостью. Он предназначен для соответствия самым агрессивным стандартам эффективности систем источник питания, повышая производительность и плотность мощности до предельных значений.

Функции                                                                                                   

• НИЗКИЙ УРОВЕНЬ RDS(ON) И FOM
• Крайне низкие потери при переключении
• Превосходная стабильность и однородность
• Простота конструкции

Области применения

• Зарядное устройство PD
• Большой экран
• Телекоммуникационное питание
• Мощность сервера

Ключевые параметры производительности

 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.)	700	В.
ID, импульс	36	А
RDS(ВКЛ), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	340	MΩ
ВГ	9.6	НЗ

Информация о маркировке

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

 

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	650	В.
Напряжение источника кулисы	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1^), TC=25 °C.	ID (ИДЕНТИФИКАТОР)	12	А
Непрерывная дренажная кард1^), TC=100 °C.		7.6
Ток пульсирующего стока2^), TC=25 °C.	ID, импульс	36	А
Постоянный диод переднего хода 1^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	12	А
Диодный импульсный кард2^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом	36	А
Power dissispation3^), TC=25 °C.	PD	83	W
Одиночная импульсная лавина с напряжением 5)	EAS	200	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	15	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Тепловое сопротивление, корпус соединения	RθJC	1.5	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	650			В.	VGS=0 В, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 в, ID=250 μA, Tj=150 °C.
Пороговое напряжение затвора	VGS(TH)	2.9		3.9	В.	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Сопротивление при вкл.-источник дренажа	RDS(ВКЛ)		0.30	0.34	Ω	VGS=10 В, ID=6 A
			0.73			VGS=10 В, ID=6 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	IDSS			1	μA	VDS=650 В, VGS=0 В.

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		443.5		ПФ	VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	КОСС		59.6		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		1.7		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		22.4		нсм	VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=6 A
Время нарастания	тр		17.5		нсм
Время задержки выключения	td(выкл.)		40.3		нсм
Время осени	тф		7.2		нсм

Характеристики задвижки

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая плата за посадку	ВГ		9.6		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 A
Зарядка от источника литника	QGS		2.2		НЗ
Задвижка - слив	QGD		4.5		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		6.5		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.3	В.	IS=12 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		236.5		нсм	VR=400 В, IS=6 A, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		2.2		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		19.1		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. Значение RθJA измеряется с помощью устройства, установленного на плате 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
5. VDD=100 в, VGS=10 в, L=60 мГн, запуск Tj=25 °C.