• Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI
  • Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI
  • Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI
  • Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI
  • Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI
  • Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI

Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI

сертификация: RoHS, ISO
Инкапсуляция Структура: Пластиковые Герметичный Транзистор
Монтаж: Плагин триод
Рабочая частота: Высокая частота
Уровень мощности: средняя мощность
функция: Мощность Триод, Переключение Триод

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
OSS65R340FF TO220F-11
Состав
NPN
материал
кремний
описание
очень низкие потери при переключении
характеристики
превосходная стабильность и однородность
области применения
питание пк
промышленности
светодиодная подсветка
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
TO220F
Торговая Марка
Orientalsemiconductor
Происхождение
China
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20K/Monthly

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® SuperSi основана на уникальной конструкции устройств Oriental Semiconductor, которая обеспечивает исключительно высокую скорость коммутации. Это идеальная замена для устройства Gallium Nitride (GaN) при высокочастотных операциях с большей прочностью и стоимостью. Она предназначена для соответствия самым агрессивным стандартам эффективности систем питания, путем ограничения производительности и плотности мощности.

Функции                                                                                                   
  • LOW RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
  • Очень низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность
  • Простота конструкции

Области применения
  • Зарядное устройство PD
  • Большой экран
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера


Ключевые параметры производительности

 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.) 700 В.
ID, импульс 36 А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 340
ВГ 9.6 НЗ

Информация о маркировке

 
Название продукта Пакет Маркировка
OSS65R340DF TO252 OSS65R340D

 
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника литника VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID
12
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 7.6
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 36 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 12 А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 36 А
Power dissispation3), TC=25 °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 83 W
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 200 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 15 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения RθJC 1.5 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки

Напряжение пробоя источника слива

BVDSS
650    
В.
VGS=0 В, ID=250 ΜA
700     VGS=0 в, ID=250 μA, Tj=150 °C.
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) (ВГГ( 2.9   3.9 В. VDS=VGS, ID=250 ΜA

Сопротивление при состоянии "источник слива включен"

RDS(ВКЛ)
  0.30 0.34
Ω
VGS=10 В, ID=6 А
  0.73   VGS=10 В, ID=6 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     1 μA VDS=650 В, VGS=0 В.

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   443.5   ПФ
VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   59.6   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   1.7   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   22.4   нс
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=6 А
Время нарастания tr   17.5   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   40.3   нс
Время осени тф   7.2   нс

Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   9.6   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 А
Зарядка от источника литника QGS   2.2   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   4.5   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   6.5   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=12 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   236.5   нс
VR=400 В, IS=6 A,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   2.2   μC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   19.1   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
  5. VDD=100 в, VGS=10 в, L=60 MH, запуск Tj=25 °C.



IGBT Module for New Energy Vehicle High Frequency Operations Super Si Mosfet

 IGBT Module for New Energy Vehicle High Frequency Operations Super Si Mosfet
IGBT Module for New Energy Vehicle High Frequency Operations Super Si MosfetIGBT Module for New Energy Vehicle High Frequency Operations Super Si MosfetIGBT Module for New Energy Vehicle High Frequency Operations Super Si Mosfet




 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары Super Si2C Модуль IGBT для высокочастотных операций нового энергетического автомобиля Super МОП-транзистор SI

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры