Главная Электричество и Электроника Полупроводник Полупроводник N-типа

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET pictures & photos

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET pictures & photos

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET pictures & photos

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET pictures & photos

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET pictures & photos

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET pictures & photos

Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET

Приложение:	Холодильник
Номер партии:	2020
Технология производства:	Интегральные схемы устройств
Материал:	Полупроводниковый элемент
Модель:	восточная полуось
Пакет:	SMD

Связаться с Поставщиком

Связаться Сейчас

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик

Производитель/Завод, Торговая Компания

Описание Товара

Информация о Компании

Основная Информация.

Модель №.

OSG80R300JF Pdfn 8*8

Обработка сигналов

Симуляция

Type

Полупроводник типа N

марка

ориенталполу

Транспортная Упаковка

Air

Торговая Марка

ориенталполу

Происхождение

Китай

Код ТН ВЭД

8541290000

Производственная Мощность

Over 1kk/Month

Описание Товара

Общее описание
Использует MOSFET высокого напряжения заряда баланс технологий для достижения выдающихся низким сопротивлением и опустите заслонку. Она разработана с целью сведения к минимуму потери проводимости, обеспечивают превосходную производительность коммутации и надежные лавину. Общий оптимизирована для серии extreme производительность коммутации для сведения к минимуму потери коммутации. Оно предназначено для обеспечения высокой плотности мощности приложений для удовлетворения самых высоких стандартов эффективности.

Функции
      Низкое RDS(on) и СП
      Чрезвычайно низкий уровень   потерь и коммутации
      Отличная стабильность и равномерность

Приложения
      Светодиодное освещение
     Телекоммуникационные мощности
      Солнечная/UPS
      Питание сервера
   Блок питания ПК
   EV зарядное устройство

High Voltage Pdfn 8*8 Package Osg80r300jf N-Channel 800V 300V Power Semiconductor Mosfet

Цепь питания

High Voltage Pdfn 8*8 Package Osg80r300jf N-Channel 800V 300V Power Semiconductor Mosfet

Экологически чистый продукт Декларации

High Voltage Pdfn 8*8 Package Osg80r300jf N-Channel 800V 300V Power Semiconductor Mosfet

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:

*Кому:

*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете?  Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Люди, которые посмотрели это, также посмотрели

Автомобильная промышленность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Автомобильная промышленность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Для автомобильной промышленности Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная стабильность и равномерность Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

Отличная проводимости и потери коммутации 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя встроенный Ost40n120hmf к-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

Источники бесперебойного питания Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit терпимости 1200V 40A наклона камеры питателя, встроенных в-247n Поле Stop траншея IGBT

0,1-0,6 $ / шт.

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары Гринмос Транзистор высокого напряжения Pdfn солнечной энергии 8*8 Пакет Гоп80R300jf N-800 Вт 300V полупроводниковых транзисторов MOSFET

Вам Наверное Нравятся

Группа Товаров

Больше

Связаться с Поставщиком

Связаться Сейчас

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик

Производитель/Завод, Торговая Компания

Зарегистрированный Капитал

10000000 RMB

Площадь Завода

501~1000 Квадратные Метры

Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.