Режим усиления транзистора N-Channel Power MOSFET Pdfn5*6 Sfg15r25GF VDS-150V ID-180A RDS (ВКЛ) -25миллиом QG-42.8nc для источника питания с импульсным режимом

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• Модель №.: PDFN5*6 SFG15R25GF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Транспортная Упаковка: Carton
• Торговая Марка: Orientalsemi
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 8541290000
• Производственная Мощность: Over 1kk/Month

Описание Товара

Общее  описание
  МОП-транзистор SFGMOS®   основан  на      уникальной конструкции устройств компании Oriental Semiconductor , которая обеспечивает  низкий  уровень RDS(ON),   низкий уровень заряда затвора,  быстрое переключение  и  превосходные  лавинные  характеристики.     Серия Low Vth  специально  разработана  для  использования  в     системах синхронного выпрямления с     низким напряжением привода.
 

Функции
      LOW  RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И  FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
      Очень  низкие   потери при переключении
       Превосходная стабильность  и  однородность
       Быстрое переключение  и  мягкое  восстановление


Области применения
      Зарядное устройство PD  
       Привод двигателя
      Регулятор  напряжения переключения  
       Преобразователь постоянного тока
         Питание в режиме переключения


  Ключевые параметры производительности

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS, мин . При Tj(макс.)	150	В.
ID,  импульс	180	А
RDS(ON), МАКС . ПРИ VGS  =10 В.	25	MΩ
ВГ	42.8	НЗ

  Абсолютные максимальные значения при   Tj  =25°C , если  не  указано иное

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение  источника слива	VDS	150	В.
Напряжение источника кулисы	VGS	±20	В.
Непрерывная  дренажная кард1 ), TC=25 °C.	ID	60	А
Импульсная дренажная кард2  ), TC=25 °C.	ID,  импульс	180	А
Непрерывный  диод  переднего  хода 1), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	60	А
Диод  импульсной  карри 2), TC=25 °C.	IS, импульс	180	А
Power  dissispation3), TC=25 °C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	100	W
Одиночная импульсная лавина (5))	EAS	2.4	МДж
Температура эксплуатации и хранения	Tstg , Tj	от -55 до 150	°C

 Тепловые характеристики

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения	RθJC	1.25	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

 Электрические характеристики  при  Tj  =25°C , если  не  указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	150			В.	VGS  =0 В, ID  =250 ΜA
Порог выхода напряжение	VGS(TH) (ВГГ(	1.5		2.5	В.	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Слейте воду из источника  сопротивление во время работы	RDS(ВКЛ)		20	25	MΩ	VGS  =10 В, ID=30 А
Слейте воду из источника  сопротивление во время работы	RDS(ВКЛ)		25	30	MΩ	VGS  =4.5 В, ID=20  А
Источник литника  ток утечки	IGSS			100	Нет	VGS  =20 В.
				- 100		VGS  =-20 В
Слейте воду из источника  ток утечки	ИДА			1	μA	VDS  =150 В, VGS  =0 В.
Сопротивление заслонки	RG		4		Ω	ƒ=1 МГц, открытый  дренаж

 

 Информация для заказа

Пакет Тип	Единицы измерения/ Мотовило	Катушки  /    внутренний  ящик	Единицы измерения/    Внутренняя  коробка	Внутренние  коробки/  картонная коробка	Единицы измерения/      картонная коробка
PDFN5*6-C.	5000	2	10000	5	50000

 Информация о продукте

Продукт	Пакет	Без Pb	RoHS	Не содержит галогенов
SFG15R25GF	PDFN5*6	да	да	да

 

Цепочка поставок

Декларация о экологичных продуктах