Питание сервера Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ Диод быстрого восстановления МОП-транзистор с регулятором высокого напряжения

• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• тип: быстрая зарядная станция ev
• сертификация: iso, tuv, rohs
• Модель №.: OSG65R099HSZAF TO247
• гарантия: 24 месяцев
• Транспортная Упаковка: Air
• Торговая Марка: Orientalsemiconductor
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20kkkk/Monthly

Описание Товара

Общее описание
Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения высокой производительности коммутации и надежной лавинной способности.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, которые обеспечивают более высокую эффективность, более высокую надежность и меньший форм-фактор.

Функции                                                                                                    

• Низкий уровень RDS(ON) и FOM
• Крайне низкие потери при переключении
• Превосходная стабильность и однородность
• Сверхбыстрый и прочный диод корпуса
• AEC-Q101 сертифицирован для использования в автомобилестроении

Области применения

• Питание ПК
• Телекоммуникационное питание
• Мощность сервера
• Зарядное устройство электромобиля
• Привод двигателя

Ключевые параметры производительности

 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS	650	В.
ID, импульс	96	А
RDS(ВКЛ), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	99	MΩ
ВГ	66.6	НЗ

Информация о маркировке

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

Тест HTRB был выполнен на 600 в более строго, чем AEC-Q101, ред. C (80% V(BR)DSS). Все остальные испытания были выполнены в соответствии с AEC Q101 rev. E.

 

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	650	В.
Напряжение источника кулисы	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1^), TC=25 °C.	ID (ИДЕНТИФИКАТОР)	32	А
Непрерывная дренажная кард1^), TC=100 °C.		20
Ток пульсирующего стока2^), TC=25 °C.	ID, импульс	96	А
Постоянный диод переднего хода 1^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	32	А
Диодный импульсный кард2^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ, пульсом	96	А
Power  dissipation3^) , TC=25  °C.	PD	278	W
Одиночная импульсная лавина с напряжением 5)	EAS	648	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	50	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Тепловое сопротивление, корпус соединения	RθJC	0.45	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	650			В.	VGS=0 В, ID=1 МА
Пороговое напряжение затвора	VGS(TH)	3.0		4.5	В.	VDS=VGS, ID=1 МА
Сопротивление при вкл.-источник дренажа	RDS(ВКЛ)		0.090	0.099	Ω	VGS=10 В, ID=16 A
			0.21			VGS=10 В, ID=16 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	IDSS			10	μA	VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки	RG		7.8		Ω	ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		3988		ПФ	VGS=0 В, VDS=50 В, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	КОСС		210		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		7.4		ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией	Co(er) (Сомер)		124		ПФ	VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем	Co(tr) (время повторения)		585		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		46.0		нсм	VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=20 A
Время нарастания	тр		60.3		нсм
Время задержки выключения	td(выкл.)		93.0		нсм
Время осени	тф		3.7		нсм

Характеристики задвижки

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая плата за посадку	ВГ		66.6		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=20 A
Зарядка от источника литника	QGS		20.6		НЗ
Задвижка - слив	QGD		24.8		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		6.7		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.3	В.	IS=32 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		151.7		нсм	= 20 А, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		1.0		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		12.3		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. VDD=100 в, VGS=10 в, L=80 мГн, запуск Tj=25 °C.