• Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор
  • Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор
  • Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор
  • Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор
  • Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор
  • Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор

Высокое напряжение на 3-фазной сети PFC Vienna с электропитанием электромобиля (EV) МОП-транзистор

сертификация: RoHS, ISO
форма: Металл Фарфор Труба
Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube
Способ охлаждения: Воздушное охлаждение труб
функция: транзисторный
Рабочая частота: Высокая частота

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
OSG65R035HTF
Состав
плоскостной
Инкапсуляция Структура
Пластиковые Герметичный Транзистор
Уровень мощности
средняя мощность
материал
кремний
описание
очень низкие потери при переключении
характеристики
превосходная стабильность и однородность
области применения
питание пк
промышленности
светодиодная подсветка
тип
быстрая зарядная станция ev
гарантия
24 месяцев
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
37*37*29CM
Торговая Марка
Orientalsemiconductor
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20K/Monthly

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Generic оптимизирована для обеспечения максимальной производительности коммутации, что позволяет минимизировать потери при коммутации. Он предназначен для применения в условиях высокой плотности мощности, что позволяет обеспечить соответствие самым высоким стандартам эффективности.

Функции                                                                                                    
  • Low RDS(ON) (низкие значения RDS(ВКЛ)) и FOM (низкие значения
  • Очень низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность

Области применения
  • Питание ПК
  • Светодиодная подсветка
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера
  • Зарядное устройство электромобиля
  • Солнечная батарея/ИБП
  •  
  • Ключевые параметры производительности
  •  
    Параметр Значение Единицы измерения
    VDS, мин. При Tj(макс.) 700 В.
    ID, импульс 240 А
    RDS(ON) (RDS(ВКЛ)), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 35
    ВГ 153.6 НЗ

    Информация о маркировке
     
    Название продукта Пакет Маркировка
    OSG65R035HTF TO247 OSG65R035HT
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника литника VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID
80
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 50
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 240 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 80 А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 240 А
Power dissispation3) TC=25 °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 455 W
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 1700 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 15 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.27 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки

Напряжение пробоя источника слива

BVDSS
650    
В.
VGS=0 В, ID=2 МА
700     VGS=0 в, ID=2 мА, Tj=150 °C.
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) (ВГГ( 2.8   4.0 В. VDS=VGS, ID=2 МА

Сопротивление при состоянии "источник слива включен"

RDS(ВКЛ)
  0.028 0.035
Ω
VGS=10 В, ID=40 А
  0.075   VGS=10 В, ID=40 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     5 μA VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки RG   2.4   Ω ƒ= 1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   7549.2   ПФ
VGS=0 В, VDS=50 В,
ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   447.1   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   13.2   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   52.3   нс
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=5 Ω, ID=40 А
Время нарастания tr   86.8   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   165.2   нс
Время осени тф   8.5   нс

Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   153.6   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=40 А
Зарядка от источника литника QGS   41.8   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   50.2   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   5.8   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=80 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   566.1   нс VR=400 В,
= 40 А,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   13.2   μC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   45.9   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
  5. VDD=100 в, VGS=10 в, L=60 MH, запуск Tj=25 °C.
Electric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage MosfetElectric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage Mosfet
Electric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage MosfetElectric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage MosfetElectric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage MosfetElectric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage MosfetElectric Vehicle (EV) 3-Phase Power Vienna Pfc Topology High Voltage Mosfet

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры