Простота проектирования и идеальная замена нитрида галлия (Gan) устройство в полупроводниках высокой частоты

• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• Транспортная Упаковка: Air
• Торговая Марка: Orientalsemiconductor
• Модель №.: OSS65R340DF TO252
• Происхождение: Китай
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20K/Monthly

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® SuperSi основана на уникальной конструкции устройств Oriental Semiconductor, которая обеспечивает исключительно высокую скорость коммутации. Это идеальная замена для устройства Gallium Nitride (GaN) при высокочастотных операциях с большей прочностью и стоимостью. Она предназначена для соответствия самым агрессивным стандартам эффективности систем питания, путем ограничения производительности и плотности мощности.

Функции                                                                                                   

• LOW RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
• Очень низкие потери при переключении
• Превосходная стабильность и однородность
• Простота конструкции

Области применения

• Зарядное устройство PD
• Большой экран
• Телекоммуникационное питание
• Мощность сервера

Ключевые параметры производительности

 

Параметр	Значение	Единицы измерения
VDS, мин. При Tj(макс.)	700	В.
ID, импульс	36	А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В.	340	MΩ
ВГ	9.6	НЗ

Информация о маркировке

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

Информация о упаковке и PIN-кода
 

 

 

Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Напряжение источника тока	VDS	650	В.
Напряжение источника литника	VGS	±30	В.
Непрерывная дренажная кард1^), TC=25 °C.	ID	12	А
Непрерывная дренажная кард1^), TC=100 °C.		7.6
Ток пульсирующего стока2^), TC=25 °C.	ID, импульс	36	А
Постоянный диод переднего хода 1^), TC=25 °C.	ЯВЛЯЕТСЯ	12	А
Диод импульсной карри 2^), TC=25 °C.	IS, импульс	36	А
Power dissispation3^), TC=25 °C.	PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ	83	W
Одиночная импульсная лавина (5))	EAS	200	МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В.	dv/dt	50	В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID	dv/dt	15	В/НС
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	от -55 до 150	°C

Тепловые характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения	RθJC	1.5	°C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4)	RθJA	62	°C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива	BVDSS	650			В.	VGS=0 В, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 в, ID=250 μA, Tj=150 °C.
Пороговое напряжение затвора	VGS(TH) (ВГГ(	2.9		3.9	В.	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Сопротивление при состоянии "источник слива включен"	RDS(ВКЛ)		0.30	0.34	Ω	VGS=10 В, ID=6 А
			0.73			VGS=10 В, ID=6 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника	IGSS			100	Нет	VGS=30 В
				-100		VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива	ИДА			1	μA	VDS=650 В, VGS=0 В.

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Входная емкость	CISS		443.5		ПФ	VGS=0 в, VDS=50 в, ƒ=100 кГц
Выходная емкость	КОСС		59.6		ПФ
Емкость обратной передачи	CRSS		1.7		ПФ
Время задержки включения	td(вкл)		22.4		нс	VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=6 А
Время нарастания	tr		17.5		нс
Время задержки выключения	td(выкл.)		40.3		нс
Время осени	тф		7.2		нс

Характеристики заряда литника

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Общая стоимость задвижки	ВГ		9.6		НЗ	VGS=10 В, VDS=400 В, ID=6 А
Зарядка от источника литника	QGS		2.2		НЗ
Зарядка от заслонки слива	QGD		4.5		НЗ
Напряжение плато затвора	Vплато		6.5		В.

Характеристики диода корпуса

Параметр	Символ	Мин.	Тип.	Макс.	Единицы измерения	Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода	VSD			1.3	В.	IS=12 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении	trr		236.5		нс	VR=400 В, IS=6 A, DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления	QRR		2.2		μC
Пиковый обратный ток восстановления	Иррм		19.1		А

Примечание

1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
4. Значение RθJA измеряется при установке устройства на плату 1 в 2 FR-4 с объемом 2 унции. Медь, в воздушной среде с Ta=25 °C.
5. VDD=100 в, VGS=10 в, L=60 MH, запуск Tj=25 °C.