• Для усиления транзисторов263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A (RDS) -6.5milliohm Qg-68.9nc для защиты аккумуляторной батареи DC-DC Convertor Design Guidelines N-канальные Mosfet
  • Для усиления транзисторов263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A (RDS) -6.5milliohm Qg-68.9nc для защиты аккумуляторной батареи DC-DC Convertor Design Guidelines N-канальные Mosfet
  • Для усиления транзисторов263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A (RDS) -6.5milliohm Qg-68.9nc для защиты аккумуляторной батареи DC-DC Convertor Design Guidelines N-канальные Mosfet

Для усиления транзисторов263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A (RDS) -6.5milliohm Qg-68.9nc для защиты аккумуляторной батареи DC-DC Convertor Design Guidelines N-канальные Mosfet

сертификация: RoHS, ISO
форма: Металл Фарфор Труба
Экранирование Тип: Sharp Граничная Экранирование Tube
Способ охлаждения: Воздушное охлаждение труб
функция: транзисторный
Рабочая частота: Высокая частота

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания

Основная Информация.

Модель №.
To263 SFG110N12KF
Состав
плоскостной
Инкапсуляция Структура
Чип транзистор
Уровень мощности
Высокая мощность
материал
кремний
Транспортная Упаковка
Carton
Характеристики
35x30x37cm
Торговая Марка
Orientalsemi
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
Over 1kk/Month

Описание Товара

Общее  описание
  МОП-транзистор SFGMOS®   основан  на      уникальной конструкции устройств компании Oriental Semiconductor , которая обеспечивает  низкий  уровень RDS(ON)   низкий уровень заряда затвора,  быстрое переключение  и  превосходные  лавинные   характеристики.    Серия High Vth   специально оптимизирована   для  систем высокого напряжения   с  напряжением  привода затвора   более  10 В.
 

Функции
      LOW  RDS(ON) (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ RDS(ВКЛ)) И  FOM (НИЗКИЕ ЗНАЧЕНИЯ
      Очень  низкие   потери при переключении
       Превосходная стабильность  и  однородность
       Быстрое переключение  и  мягкое  восстановление


Области применения
         Питание в режиме переключения
       Привод двигателя
       Защита аккумуляторной батареи
       Преобразователь постоянного тока
       Инвертор солнечной энергии
      ИБП  и   инвертор энергии


  Ключевые параметры производительности

 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS, мин . При Tj(макс.) 120 В.
ID,  импульс 330 А
RDS(ON), МАКС . ПРИ VGS  =10 В. 6.5
ВГ 68.9 НЗ



  Абсолютные максимальные значения при   Tj  =25°C , если  не  указано иное
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение  источника слива   VDS 120 В.
  Напряжение источника кулисы VGS ±20 В.
Непрерывная  дренажная кард1 ), TC=25 °C. ID 110 А
Импульсная дренажная кард2  ), TC=25 °C. ID,  импульс 330 А
Непрерывный  диод  переднего  хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 110 А
Диод  импульсной  карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 330 А
Power  dissispation3), TC=25 °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 192 W
   Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 400 МДж
   Температура эксплуатации и хранения Tstg , Tj от -55 до 150 °C


 Тепловые характеристики
Параметр Символ Значение Единицы измерения
 Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.65 °C/ВТ.
 Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.


 Электрические характеристики  при  Tj  =25°C , если  не  указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения  Условия проверки
          Напряжение пробоя источника слива BVDSS 120     В. VGS  =0  В, ID  =250 PA
 Порог выхода
напряжение
VGS(TH) (ВГГ( 2.0   4.0 В. VDS  =VGS , ID =250 PA
Слейте воду из источника
 сопротивление во время работы
RDS(ВКЛ)   5.0 6.5 MQ VGS  =10 В, ID=30 А
Источник литника
 ток утечки

IGSS
    100
Нет
VGS  =20 В.
    - 100 VGS  =-20 В
Слейте воду из источника
 ток утечки
ИДА     1 ПА VDS  =120 В, VGS  =0 В.


Примечание
1)    Расчетный  непрерывный  ток  на основе   максимально  допустимой   температуры соединения.
2)    повторяющаяся оценка ;  ширина импульса  ограничена  макс .  Температурой соединения.
3)    PD   основан  на  максимальной  температуре соединения, использующей    термосопротивление корпуса соединения.
4)      значение   RθJA   измеряется  при   установке устройства   на плате 1 в 2 FR-4  с объемом 2 унции. Медь, в     воздушной среде  с  Ta=25 °C.
5)     VDD=50 в, VGS=10 в, L=0.3 мГн, запуск  Tj  =25 °C.
 
 

 Информация для заказа
 
Пакет
Тип
Единицы измерения/
Мотовило
Катушки  /    внутренний  ящик Единицы измерения/    Внутренняя  коробка Внутренние  коробки/  картонная коробка   Единицы измерения/      картонная коробка  
TO263-C 800 1 800 5 4000


 Информация о продукте
Продукт Пакет Без Pb   RoHS  Не содержит галогенов
SFG110N12KF TO263 да да да

 

Цепочка поставок Battery Protection To263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A N-Channel Power Mosfet



Декларация о экологичных продуктах

Battery Protection To263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A N-Channel Power Mosfet
 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары УПР. Для усиления транзисторов263 Sfg110n12kf Vds-120V ID-330A (RDS) -6.5milliohm Qg-68.9nc для защиты аккумуляторной батареи DC-DC Convertor Design Guidelines N-канальные Mosfet

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод, Торговая Компания
Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры