Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET

Подробности Товара
сертификация: RoHS, ISO
материал: кремниевые пластины
описание: очень низкие потери при переключении
Производитель/Завод, Торговая Компания
Золотое Членство с 2022

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Сертифицированный Поставщик

Проверено независимым сторонним инспекционным агентством

Зарегистрированный Капитал
10000000 RMB
Площадь Завода
501~1000 Квадратные Метры
  • Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET
  • Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET
  • Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET
  • Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET
  • Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET
  • Драйвер двигателя VDS 650V RDS99mΩ RoHS AEC-Q101 MOSFET
Найти похожие товары
  • Обзор
  • Описание продукта
Обзор

Основная Информация.

Модель №.
OSG65R099HSZAF TO247
характеристики
превосходная стабильность и однородность
области применения
питание пк
промышленности
светодиодная подсветка
гарантия
24 месяцев
Транспортная Упаковка
воздух
Торговая Марка
orientalsemiconductor
Происхождение
Китай
Код ТН ВЭД
854129000
Производственная Мощность
20 ккккк/месяц

Описание Товара

Описание продукта

Общее описание

Высоковольтный МОП-транзистор GreenMOS® использует технологию балансировки заряда для достижения выдающегося низкого сопротивления при работе и низкого заряда затвора. Он разработан для минимизации потерь проводимости, обеспечения превосходной производительности коммутации и надежной работы лавины.
Серия GreenMOS® Z интегрирована с диодом быстрого восстановления (FRD) для минимизации времени обратного восстановления. Он подходит для резонансных топологий коммутации, чтобы достичь более высокой эффективности, надежности и меньшего форм-фактора.

Функции                                                                                                    
  • Low RDS(ON) (низкие значения RDS(ВКЛ)) и FOM (низкие значения
  • Очень низкие потери при переключении
  • Превосходная стабильность и однородность
  • Сверхбыстрый и прочный диод корпуса
  • AEC-Q101 сертифицирован для использования в автомобильной промышленности

Области применения
  • Питание ПК
  • Телекоммуникационное питание
  • Мощность сервера
  • Зарядное устройство электромобиля
  • Привод двигателя

Ключевые параметры производительности

 
Параметр Значение Единицы измерения
VDS 650 В.
ID, импульс 96 А
RDS(ON), МАКС. ПРИ VGS=10 В. 99
ВГ 66.6 НЗ

Информация о маркировке

 
Название продукта Пакет Маркировка
OSG65R099HSZAF TO247 OSG65R099HSZA


Проверка HTRB была выполнена при напряжении 600 в более строго, чем AEC-Q101, ред. C (80% V(BR)DSS). Все остальные испытания проводились в соответствии с AEC Q101 rev. E.
 
Абсолютные максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Напряжение источника тока VDS 650 В.
Напряжение источника литника VGS ±30 В.
Непрерывная дренажная кард1), TC=25 °C.
ID
32
А
Непрерывная дренажная кард1), TC=100 °C. 20
Ток пульсирующего стока2), TC=25 °C. ID, импульс 96 А
Постоянный диод переднего хода 1), TC=25 °C. ЯВЛЯЕТСЯ 32 А
Диод импульсной карри 2), TC=25 °C. IS, импульс 96 А
Power  dissispation3) , TC=25  °C. PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ 278 W
Одиночная импульсная лавина (5)) EAS 648 МДж
Прочность МОП-транзистора dv/dt, VDS=0…480 В. dv/dt 50 В/НС
Обратный диод dv/dt, VDS=0…480 в, ISD≤ID dv/dt 50 В/НС
Температура эксплуатации и хранения Tstg, Tj от -55 до 150 °C

Тепловые характеристики
 
Параметр Символ Значение Единицы измерения
Термостойкость, корпус соединения RθJC 0.45 °C/ВТ.
Тепловое сопротивление, соединение-ambient4) RθJA 62 °C/ВТ.

Электрические характеристики при Tj=25°C, если не указано иное
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Напряжение пробоя источника слива BVDSS 650     В. VGS=0 В, ID=1 МА
Пороговое напряжение затвора VGS(TH) (ВГГ( 3.0   4.5 В. VDS=VGS, ID=1 МА

Сопротивление при состоянии "источник слива включен"

RDS(ВКЛ)
  0.090 0.099
Ω
VGS=10 В, ID=16 А
  0.21   VGS=10 В, ID=16 А, TJ=150 °C.
Ток утечки источника литника
IGSS
    100
Нет
VGS=30 В
    -100 VGS=-30 В
Ток утечки из источника слива ИДА     10 μA VDS=650 В, VGS=0 В.
Сопротивление заслонки RG   7.8   Ω ƒ=1 МГц, открытый дренаж

Динамические характеристики
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Входная емкость CISS   3988   ПФ
VGS=0 В, VDS=50 В,
ƒ=100 кГц
Выходная емкость КОСС   210   ПФ
Емкость обратной передачи CRSS   7.4   ПФ
Эффективная выходная емкость, связанная с энергией Соер   124   ПФ
VGS=0 В, VDS=0 В-400 В.
Эффективная выходная емкость, связанная с временем Co(tr) (время повторения)   585   ПФ
Время задержки включения td(вкл)   46.0   нс
VGS=10 В, VDS=400 В, RG=2 Ω, ID=20 А
Время нарастания tr   60.3   нс
Время задержки выключения td(выкл.)   93.0   нс
Время осени тф   3.7   нс

Характеристики заряда литника
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Общая стоимость задвижки ВГ   66.6   НЗ

VGS=10 В, VDS=400 В, ID=20 А
Зарядка от источника литника QGS   20.6   НЗ
Зарядка от заслонки слива QGD   24.8   НЗ
Напряжение плато затвора Vплато   6.7   В.

Характеристики диода корпуса
Параметр Символ Мин. Тип. Макс. Единицы измерения Условия проверки
Диод, напряжение переднего хода VSD     1.3 В. IS=32 A, VGS=0 В.
Время восстановления в обратном направлении trr   151.7   нс
= 20 А,
DI/dt=100 A/μs
Обратный заряд для восстановления QRR   1.0   μC
Пиковый обратный ток восстановления Иррм   12.3   А

Примечание
  1. Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуры соединения.
  2. Повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. Температурой перехода.
  3. PD основан на макс. Температуре соединения, с использованием теплового сопротивления корпуса соединения.
  4. VDD=100 в, VGS=10 в, L=80 MH, запуск Tj=25 °C.
 
Aec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ Mosfet
 
Aec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ MosfetAec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ MosfetAec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ MosfetAec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ MosfetAec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ Mosfet
Aec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ MosfetAec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ MosfetAec-Q101 RoHS Motor Driver Vds 650V RDS99mΩ Mosfet
 
 





 

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас
Связаться с Поставщиком
Люди, которые посмотрели это, также посмотрели