1/3 стоимости галлия Nitride (ГАН) устройства с высокой частотой операций Super Si Oss65R340df на252 Mosfet

• описание: очень низкие потери при переключении
• характеристики: превосходная стабильность и однородность
• области применения: питание пк
• промышленности: светодиодная подсветка
• Транспортная Упаковка: Air
• Торговая Марка: Orientalsemiconductor
• Модель №.: OSS65R340DF TO252
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 854129000
• Производственная Мощность: 20kkkk/Monthly

Описание Товара

Общее описание
В GreenMOS® использует MOSFET высокого напряжения заряда баланс технологий для достижения выдающихся низким сопротивлением и опустите заслонку. Она разработана с целью сведения к минимуму потери проводимости, обеспечивают превосходную производительность коммутации и надежные лавину.
В серии SuperSi GreenMOS® основана на восточные National Semiconductor уникальный дизайн устройства для достижения очень быстрой коммутации характеристики. Он идеально подходит для замены галлия Nitride (ГАН) устройства с высокой частотой операций с лучше прочность и стоимости. Она предназначена для удовлетворения самых агрессивных стандартов энергоэффективности и источник питания системы нажатием как производительность и плотность мощности для экстремальных пределов.

Функции                                                                                                   

• Низкое RDS(on) и СП
• Чрезвычайно низкий уровень потерь и коммутации
• Отличная стабильность и равномерность
• Простота конструкции в

Приложения

• Зарядное устройство для энергетического доплера
• Дисплей с большим экраном
• Телекоммуникационные мощности
• Питание сервера

Основные параметры

 

Параметр	Значение	Блок управления
VDS, мин @ Tj (макс.)	700	V
ID, частота пульса	36	A
RDS(on), макс. @ VGS=10V	340	Мом
Qg	9.6	NC

Маркировки

 

Название продукта	Пакет	Маркировка
Ссо65R340DF	Чтобы252	Ссо65R340D

Пакет и приводится информация о контактах
 

 

 

Абсолютные максимальные ограничения на TJ = 25°C, если не указано иное
 

Параметр	Символ	Значение	Блок управления
Слейте масло из-источник напряжения	VDS	650	V
Ворота на источник высокого напряжения	VGS	±30	V
Непрерывный ток слива^1), TC=25 °C	ID	12	A
Непрерывный ток слива^1), TC=100 °C		7.6
Импульсный ток слива^2), TC=25 °C	ID, частота пульса	36	A
Непрерывное диод переднего хода^1), TC=25 °C	-	12	A
Диод импульсный ток^2), TC=25 °C	- Частота пульса	36	A
Рассеиваемая мощность^3), TC=25 °C	PD	83	W
Один импульсный лавину энергии5)	EAS	200	MJ
MOSFET dv/dt прочность, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Диод заднего хода dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Температура эксплуатации и хранения	Tstg, Tj	-55 до 150	°C

Температурные характеристики
 

Параметр	Символ	Значение	Блок управления
Тепловое сопротивление, перекресток в каждом отдельном случае	RθJC	1.5	°C/W
Тепловое сопротивление, перекресток - температура окружающей среды4)	RθJA	62	°C/W

Электрические характеристики на TJ = 25°C, если не указано иное

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
Слейте масло из источника напряжения с разбивкой	BVDSS	650			V	VGS=0 В, ID=250 Мка (
		700				VGS=0 В, ID=250 Мка (, TJ = 150 °C
Напряжение порога литника	VGS(й)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 Мка (
Слейте масло из источника по- государство сопротивление	RDS(on)		0.30	0,34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
			0,73			VGS=10 V, ID=6 A, TJ = 150 °C
Ворота источника тока утечки	Гисо			100	Северная Америка	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 В
Слейте масло из источника тока утечки	Ids			1	Мка (	VDS=650 V, VGS=0 В

Динамические характеристики

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
Входная емкость	Ciss		443,5		PF	VGS=0 В, VDS=50 V, ƒ=100 Кгц
Выходная емкость	Coss		59,6		PF
Емкость передачи заднего хода	Crss		1.7		PF
Время задержки включения	Td(о)		22.4		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ом, ID=6 A
Время нарастания	Tr		17,5		Ns
Время задержки выключения	Td(выкл)		40,3		Ns
Время спада	Tf		7.2		Ns

Ворота характеристики зарядки

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
В общей сложности за заслонки	Qg		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Ворота Источника зарядки	Qgs		2.2		NC
Ворота - Слейте масло из питающего	Qgd		4.5		NC
Напряжение плато литника	Vplateau		6.5		V

Орган характеристики диода

Параметр	Символ	Min.	Номин.	Max.	Блок управления	Условие проверки
Диод напряжение переднего хода	VSD			1.3	V	-=12 A, VGS=0 В
Время восстановления заднего хода	Trr		236.5		Ns	VR=400 V,=6, Di/dt=100 A/мкс
Восстановление заднего хода зарядки	Qrr		2.2		ΜC
Пиковый ток восстановления заднего хода	Irrm		19.1		A

Примечание

1. Рассчитывается на основе постоянного тока на максимально допустимая температура перехода.
2. Повторяющиеся рейтинг; ширина импульса ограничивается максимальной температурой p.
3. Pd - на основе максимальной температуры соединения с помощью контактного тепловое сопротивление в каждом конкретном случае.
4. Значение RθJA измеряется с помощью устройства установлен на 1 в 2 FR-4 системной платы с 2 унции. Медь, еще воздух окружающей среды с номером Ta=25 °C.
5. VDD = 100 V, VGS=10 V L=60 mH, начиная TJ = 25 °C .