Высокая степень чистоты углерода углеродные композитные убедительным

Silicon Monocrystalline одного роста кристаллов печи, Cz метод и зоны с плавающей запятой (Fz) метод рисунок 1 - это структура схема Cz кремния один кристалл печи, под эгидой аргона будет поликремния нагревается до температуры около 1500, сделать его температуру плавления: В верхней части печи вращения опускается crystal семян (своего рода) парень, сделать его контакт с расплавленным кремниевой поверхности и расплавленного кремния поверхности сохранения тепла на уровне примерно 1400, потянув вверх и семян monocrystalline кремния также постепенно, всегда увеличиваться до размера конструкции, таких как 15, 24 20, 32 25, 4 и 30, 48 см
Как можно увидеть на рисунке 1, что помимо кремния с плавким предохранителем и вытянута monocrystal кремний, теплового поля материалов в рабочей комнате в основном высокой чистоты графита и C/C композитных материалов, таких как горниле отопление органа короткого замыкания трубки и т. Д., с тем чтобы обеспечить чистоту monocrystal полупроводниковых изделий.


Контроль monocrystalline кремния с помощью комбинированных кристаллизации, убедительным для C/C, это связано с температурой расплавленного кремния quartz горниле сходных с кварцевой точкой плавления в 1420, размягчения quartz кристаллизации при данной температуре, не несущей способностью, главного органа - кристаллизации внешнего подшипника C/C, расплавленного кремния не может непосредственно контакта с C/C кристаллизации, чтобы не допустить нового поколения SiC и модульного центром производства высокой чистоты C/C композитов процесса кристаллизации очень длинный, от выбора сырьевых материалов для подготовки к пустым рост производства секрет лечения для очистки воды и т. Д.,
Генеральная производства маршрут в горниле подготовки указана на рис. 2. Углеродные волокна выбираются в зависимости от применения требований и сборные дома в 2-мерном из углеродного волокна пористого тела.
После очистки в заготовки, уплотнения.
Для очистки воды и графитизации могут быть расположены несколько раз в ходе подготовки очищенной и высокой температуры термообработанный материалов. В зависимости от материала требования к производительности, химического осаждения паров (CVI) уплотнения процесса могут быть использованы только, или CVI и пропитки герметик уплотнения процесса могут быть использованы.
Например, пластика или асфальт может быть пропитанные для определенного перед высокой плотности материала является химически улавливания паров бензина на хранение или химически пронизывает паров;
Химического осаждения из заготовки до определенной плотности может также осуществляться в первую очередь, а затем вкраплений и уплотнения, осуществляются в середине carbonization и высокой температуры термообработки главным образом для того чтобы открыть проход воздуха на поверхности пористого заготовки, с тем чтобы уплотнения в заготовки могут оставаться эффективной.
Очистка обращения - для удаления металлических примесей в материальной и высокой температуры является главным образом для регулировки структура материала для обеспечения всестороннего выполнения материала.

C/C убедительным является неизбежной тенденции развития технологии для замены графит горниле. Это происходит потому, что диаметр обращено моно кремния стержень становится больше и больше, и устройство будет затем увеличить. Например, привлечено моно кремния стержень с тепловой области 30.48см - 81.28см и наружный диаметр в горниле составляет около?
86см, периферийное устройство подогрева?
100 см, других крупнейших компонентов?
Кроме того, прочность на растяжение, сжатие и interlamination срезной численность C/C композитных материалов будут гораздо выше, чем у графита. Они могут выдерживать больший упор, не деформируются при высокой температуре, чтобы их первоначальную форму и долгий срок службы.

Чертеж температура monocrystalline кремния составляет около 1450, и температура плавления кварцевого убедительным является 1750. Вместе с тем, когда температура достигнет 1200, он начинает для размягчения, который является главным образом при поддержке внешних графит или C/C композитного горниле.


Свечи предпускового подогрева - нагревательный элемент на периферии в горниле. Часть электрической энергии расплавляет raw кремния. Большинство из электрической энергии используется для сохранения тепла от расплавленного кремния.
96 ~?
C/C свечи также квадратные компонентов. Ее цилиндрических C/C нагревательный элемент можно нагреть до 2500. Китай в южных провинциях Хунань Boyun новых материалов Co., Ltd. И Центральной Южной университета совместно изучить большого диаметра (152cm) C/C составной свечи предпускового подогрева и короткого замыкания.


Другие компоненты C/C композитный материал может также использоваться для производства тепловой экран отражения (трубы) верхний и нижний короткого замыкания герметичная крышка пластины гайку уголкового болта и других принадлежностей, с тем чтобы тепловой области материал почти графита и C/C композитного материала. Рисунок 4 - отсутствие короткого замыкания трубку C/C композитных изделий и Южными Сандвичевыми структуры.