Gan RF

600,00 $ / шт.

Высокопроизводительные устройства RF мощности на основе GaN, подходящие для беспроводной связи, ЭМС, радиопозиционирования, телеметрии, транзистор GaN картинки и фотографии

Рекомендовать для вас
Что такое Высоковольтный транзистор на основе GaN с хорошими характеристиками для радиочастотных микроволновых систем, приложений базовых станций и модулей подавления радаров или дронов с встроенным GaN
Что такое Продвинутый высокопроизводительный транзистор на основе GaN для базовых станций и многоканальных приложений
Что такое Высокопроизводительный 3300MHz-3800MHz RF мощностной транзистор на основе GaN для базовых станций и многоканальных приложений

Что такое Высокопроизводительные устройства RF мощности на основе GaN, подходящие для беспроводной связи, ЭМС, радиопозиционирования, телеметрии, транзистор GaN

Name: Высокопроизводительные устройства RF мощности на основе GaN, подходящие для беспроводной связи, ЭМС, радиопозиционирования, телеметрии, транзистор GaN
Uploaded: 2025-11-19T20:14:47+08:00
Description: Профиль компании Шэньчжэнь Eversmart Technology Co., Ltd. Был основан в 2014, - это высокотехнологичные предприятия интеграция научных исследований и разработок, производства и продаж. С момента

Связаться Сейчас

Запросить цену

Об этом товаре

Цена

Минимальный Заказ Цена FOB для Справки

100 Куски 600,00 $ / шт.

Спецификации

Приложение Компоненты силовой электроники, Радио, Телевидение, блокировка сигнала
Номер партии 2025
Сертификация CE, RoHS
Технология производства Дискретное устройство
Материал ган
Модель ган
Пакет SMD
Обработка сигналов Аналоговый, цифровой, композитный и функциональный.
Тип П-тип полупроводник
высокая мощность до 600 вт.
рабочая температура до 150degree
диапазон частот узкая полоса или широкая полоса
Транспортная Упаковка мотовило/лента
Характеристики другое
Торговая Марка евершмарт
Происхождение китая

Описание Товара

Профиль компании Шэньчжэнь Eversmart Technology Co., Ltd. Был основан в 2014, - это высокотехнологичные предприятия интеграция научных исследований и разработок, производства и продаж. С момента своего создания компания приняла в качестве своих основных продуктов для обеспечения безопасности ...

Узнать больше

Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.

Бриллиантовое Членство С 2025

Сертифицированный Поставщик

Рейтинг и Обзоры: 5.0/5.0

(2 отзывов)

Основные Товары Антидрон, блокировщик сигналов, модуль усилителя радиочастот, транзистор на основе нитрида галлия
Адрес 1203, Building 2, Cofc0 Business Park, Xingdong Community, Xin'an Street, Bao'andistrict, Shenzhen City, Guangdong Province, Shenzhen, Guangdong, China
Основные Рынки Северная Америка, Южная Америка, Восточная Европа, Юго-Восточная Азия, Африка, Океания, Средний Восток, Восточная Азия, Западная Европа
Среднее Время Выполнения Заказа Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней, Время Выполнения вне Сезона, В Течение 15 Рабочих Дней

Сравнение Gan RF

	Высокопроизводительные устройства RF мощности на основе GaN, подходящие для беспроводной связи, ЭМС, радиопозиционирования, телеметрии, транзистор GaN Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 220A 20V N-канальный MOSFET с улучшенным режимом работы Dh009n02p Dfn5X6 Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 130A 85V N-канальный MOSFET с улучшенным режимом DSP038n08na Dfn5X6 Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 100V/5.6mΩ /103A N-канальный транзистор Dse065n10L3a to-263 Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 64A 60V N-канальный MOSFET с улучшенным режимом Dhs095n06p Dfn5X6 Связаться Сейчас

Информация о транзакции
	Высокопроизводительные устройства RF мощности на основе GaN, подходящие для беспроводной связи, ЭМС, радиопозиционирования, телеметрии, транзистор GaN Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 220A 20V N-канальный MOSFET с улучшенным режимом работы Dh009n02p Dfn5X6 Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 130A 85V N-канальный MOSFET с улучшенным режимом DSP038n08na Dfn5X6 Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 100V/5.6mΩ /103A N-канальный транзистор Dse065n10L3a to-263 Связаться Сейчас	Быстрый просмотр 64A 60V N-канальный MOSFET с улучшенным режимом Dhs095n06p Dfn5X6 Связаться Сейчас
Цена	600,00 $ / шт.	0,01 - 1,50 $ / шт.	0,01 - 1,50 $ / шт.	0,01 - 1,50 $ / шт.	0,01 - 1,50 $ / шт.
Минимальный Заказ	100 Куски	5 000 Куски	5 000 Куски	5 000 Куски	5 000 Куски
Условия Платежа	-	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Небольшая сумма платежа	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Небольшая сумма платежа	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Небольшая сумма платежа	LC, T/T, D/P, PayPal, Western Union, Небольшая сумма платежа
Контроль качества
Сертификация продукции	CE, RoHS	-	-	-	-
Сертификация Системы Менеджмента	-	IATF16949	IATF16949	IATF16949	IATF16949
Торговые возможности
Экспортные рынки	Северная Америка, Южная Америка, Восточная Европа, Юго-Восточная Азия, Африка, Океания, Средний Восток, Восточная Азия, Западная Европа	South Asia	South Asia	South Asia	South Asia
Годовой Экспортный Доход	-	-	-	-	-
Бизнес-модель	-	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM	Own Brand, ODM, OEM
Среднее Время Выполнения Заказа	Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: В Течение 15 Рабочих Дней Время Выполнения вне Сезона: В Течение 15 Рабочих Дней	Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: Один Месяц Время Выполнения вне Сезона: Один Месяц	Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: Один Месяц Время Выполнения вне Сезона: Один Месяц	Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: Один Месяц Время Выполнения вне Сезона: Один Месяц	Время Выполнения Заказа в Пиковый Сезон: Один Месяц Время Выполнения вне Сезона: Один Месяц
Характеристики Товара
Характеристики	Приложение: Компоненты силовой электроники, Радио, Телевидение, блокировка сигнала; Номер партии: 2025; Технология производства: Дискретное устройство; Материал: ган; Модель: ган; Пакет: SMD; Обработка сигналов: Аналоговый, цифровой, композитный и функциональный.; Тип: П-тип полупроводник; высокая мощность: до 600 вт.; рабочая температура: до 150degree; диапазон частот: узкая полоса или широкая полоса;	Приложение: приложения для переключения питания; Номер партии: 2021; Технология производства: Дискретное устройство; Материал: полупроводник на основе оксида металла; Модель: dh009n02p; Пакет: dfn5x6; Тип: П-тип полупроводник; напряжение: 20V; сила тока: 220A; марка: вхх;	Технология производства: Дискретное устройство; Тип: П-тип полупроводник; напряжение: 85V; сила тока: 130A;	Приложение: переключение источника питания; Номер партии: 2021; Технология производства: Дискретное устройство; Материал: полупроводник на основе оксида металла; Модель: dse065n10l3a; Пакет: to-263; Тип: П-тип полупроводник; напряжение: 100V; сила тока: 103A; марка: вхх;	Приложение: приложения для переключения питания; Номер партии: 2021; Технология производства: Дискретное устройство; Материал: полупроводник на основе оксида металла; Модель: dhs095n06p; Пакет: dfn5x6; Тип: П-тип полупроводник; напряжение: 60V; сила тока: 64A; марка: вхх;
Имя поставщика	Shenzhen Eversmart Technology Co., Ltd.	Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd	Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd	Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd	Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

Поисковые тренды