Главнаяarrow-rightИндекс Китайских Заводовarrow-rightСик Мосфет заводarrow-rightсписок поставщиков
Фильтровать
Категории
Больше
Сертификация менеджмента
Больше
Возможности НИОКР
Годовой Доход
Количество сотрудников
Провинция &Регион
Больше
О Сик Мосфет
  • Технологические инновации
  • Надежные цепочки поставок
  • Значительные производственные возможности

Сик Мосфет40+ фабрики проверены

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Отправить Запрос
750V/1.25MΩ 630A 6 в одном пакете Sic Mosfet MD13HTC75p6he

750V/1.25MΩ 630A 6 в одном пакете Sic Mosfet MD13HTC75p6he

0,144 $
2 000 Куски(MOQ)
1200V 125A Модуль силового MOSFET C1 Ультра низкие потери Mc14hfz12c1n

1200V 125A Модуль силового MOSFET C1 Ультра низкие потери Mc14hfz12c1n

125,00 $
500 Куски(MOQ)
750V/1.0MΩ 998A 2 в одном пакете Sic Mosfet MD10hfs75n5ht_B29

750V/1.0MΩ 998A 2 в одном пакете Sic Mosfet MD10hfs75n5ht_B29

0,144 $
2 000 Куски(MOQ)
Asc100n1200mt4 1200V Сик Мосфет to-247-4 Корпус Транзистор Соответствует RoHS

Asc100n1200mt4 1200V Сик Мосфет to-247-4 Корпус Транзистор Соответствует RoHS

20,42 $
500 Куски(MOQ)
1/4

Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd

22 г.
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
68A 1200V N-канальный силовой MOSFET на основе карбида кремния Dcc080m120A to-247-3L

68A 1200V N-канальный силовой MOSFET на основе карбида кремния Dcc080m120A to-247-3L

0,01-1,50 $
5 000 Куски(MOQ)
115A 1200V N-канальный силовой MOSFET на основе карбида кремния Dhc2m016120q to-247-4

115A 1200V N-канальный силовой MOSFET на основе карбида кремния Dhc2m016120q to-247-4

0,01-1,50 $
5 000 Куски(MOQ)
60A 1200V N-канальный силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния Dhc1m040120d to-3pn

60A 1200V N-канальный силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния Dhc1m040120d to-3pn

0,01-1,50 $
5 000 Куски(MOQ)
20mΩ 650V N-канальный силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния Dcc020m65g2 to-247-3L

20mΩ 650V N-канальный силовой МОП-транзистор на основе карбида кремния Dcc020m65g2 to-247-3L

0,01-1,50 $
5 000 Куски(MOQ)
1/4

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Отправить Запрос
Экстремально быстрое переключение 1/3 Стоимость устройств на основе нитрида галлия (GaN) Супер Сик Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет полупроводник

Экстремально быстрое переключение 1/3 Стоимость устройств на основе нитрида галлия (GaN) Супер Сик Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Мосфет полупроводник

0,20 $
660 Куски(MOQ)
Ориентальный полупроводник Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ВКЛ) -1.9milliohm Qg-144nc N-канальный силовой МОП-транзистор

Ориентальный полупроводник Sfs08r019hnf Vds-80 ID-800A RDS (ВКЛ) -1.9milliohm Qg-144nc N-канальный силовой МОП-транзистор

0,15-0,16 $
330 Куски(MOQ)
Зарядное устройство для автомобиля Супер Сик Aec-Q101 Qualifieaec-Q101 Моторный драйвер Osg65r038hzaf To247 Вдс 650V RDS38mΩ Быстрое восстановление диода Мосфет

Зарядное устройство для автомобиля Супер Сик Aec-Q101 Qualifieaec-Q101 Моторный драйвер Osg65r038hzaf To247 Вдс 650V RDS38mΩ Быстрое восстановление диода Мосфет

0,20 $
660 Куски(MOQ)
Экстремально быстрое переключение идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Супер Сик Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник

Экстремально быстрое переключение идеальная замена для устройства на основе нитрида галлия (GaN) Супер Сик Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Полупроводник

0,20 $
660 Куски(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Отправить Запрос
1200V/800A/2.2mΩ/18V Модуль SiC Mosfet, DCS12, ASC800N1200DCS12

1200V/800A/2.2mΩ/18V Модуль SiC Mosfet, DCS12, ASC800N1200DCS12

0,93 $
1 000 Куски(MOQ)
750V/5.0mΩ SiC Мосфет без диода, T6, DM50C08T6

750V/5.0mΩ SiC Мосфет без диода, T6, DM50C08T6

218,00 $
1 000 Куски(MOQ)
1200V/600A/2.8mΩ/18V Модуль SiC Mosfet, DWC3, ASC600N1200MD3F

1200V/600A/2.8mΩ/18V Модуль SiC Mosfet, DWC3, ASC600N1200MD3F

0,87 $
1 000 Куски(MOQ)
1200V/700A/2.4mΩ/18V Модуль SiC Mosfet, DWC3, ASC700N1200MD3

1200V/700A/2.4mΩ/18V Модуль SiC Mosfet, DWC3, ASC700N1200MD3

0,91 $
1 000 Куски(MOQ)
1/4

Shenzhen Xindong Technology Co., Ltd

2 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
1200 V, 110 а, [Bc018sg12swsd], Высокоэффективный N-канальный кремниевый карбидный силовой МОП-транзистор

1200 V, 110 а, [Bc018sg12swsd], Высокоэффективный N-канальный кремниевый карбидный силовой МОП-транзистор

12,11 $
10 Куски(MOQ)
1200 V, 69 а, [Bcz120n32W1], Высокоэффективный N-канальный кремний-карбидный силовой МОП-транзистор

1200 V, 69 а, [Bcz120n32W1], Высокоэффективный N-канальный кремний-карбидный силовой МОП-транзистор

2,87 $
10 Куски(MOQ)
1200 V, 22 а, [Bcl120n160W1], Высокоэффективный N-канальный кремниевый карбидный силовой МОП-транзистор

1200 V, 22 а, [Bcl120n160W1], Высокоэффективный N-канальный кремниевый карбидный силовой МОП-транзистор

0,78 $
10 Куски(MOQ)
1/1

Qingdao Jia En Semiconductor Co., Ltd.

Отправить Запрос
МОП-транзистор Jiaen SIC 1200 в/80 а для зарядного устройства и системы хранения энергии EV

МОП-транзистор Jiaen SIC 1200 в/80 а для зарядного устройства и системы хранения энергии EV

1,20 $
1 000 Куски(MOQ)
Sic Jiaen Mosfet, 1200V 50A, высокая эффективность быстрой коммутации для EV зарядное устройство и PV инвертор

Sic Jiaen Mosfet, 1200V 50A, высокая эффективность быстрой коммутации для EV зарядное устройство и PV инвертор

1,20 $
1 000 Куски(MOQ)

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Отправить Запрос
SC16N120S7PD 1200V 101A N-канальный СИК силовой кремний-карбидный МОП-транзистор

SC16N120S7PD 1200V 101A N-канальный СИК силовой кремний-карбидный МОП-транзистор

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
SC160N120P 1200V 19A 160mohm N-канальный SIC мощный кремний-карбидный МОП-транзистор с TO-247 корпусом

SC160N120P 1200V 19A 160mohm N-канальный SIC мощный кремний-карбидный МОП-транзистор с TO-247 корпусом

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
Силиконовый карбид Мосфет SC40N120P 65A/1200V/40 миллиом с TO-247 упаковкой

Силиконовый карбид Мосфет SC40N120P 65A/1200V/40 миллиом с TO-247 упаковкой

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
SC40N120S7PD SOT-227 МОП-транзистор на основе карбида кремния с 40 миллиом 1200V/65A параметр

SC40N120S7PD SOT-227 МОП-транзистор на основе карбида кремния с 40 миллиом 1200V/65A параметр

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
1/4

Plutosemi Co., Ltd

Отправить Запрос
Матрица МОП-транзистора с питанием SIC 1700 в 45Ω N-Channel

Матрица МОП-транзистора с питанием SIC 1700 в 45Ω N-Channel

11,00 $
10 Куски(MOQ)
МОП-транзистор с питанием от SIC с напряжением 1700 в 45mΩ N-Channel to-247-3

МОП-транзистор с питанием от SIC с напряжением 1700 в 45mΩ N-Channel to-247-3

11,00 $
10 Куски(MOQ)

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

16 г.·4.9
Отправить Запрос
Imza65r107m1hxksa1 Мосфет карбид кремния to-247-4 Сквозное отверстие

Imza65r107m1hxksa1 Мосфет карбид кремния to-247-4 Сквозное отверстие

0,001-0,10 $
10 Куски(MOQ)
1/4

Shenzhen Sinosky Electronics Co., Ltd.

9 г.·5.0
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Дискретные полупроводники выпрямитель Сик Шоттки диод DMF2822-000 для детекторов

Дискретные полупроводники выпрямитель Сик Шоттки диод DMF2822-000 для детекторов

5,90-7,10 $
50 Куски(MOQ)
Высокочастотные дискретные полупроводники выпрямитель Сик Шоттки диод C4d20120d C4d20120 для преобразователей

Высокочастотные дискретные полупроводники выпрямитель Сик Шоттки диод C4d20120d C4d20120 для преобразователей

5,20-6,80 $
50 Куски(MOQ)
1/4

Baoding Sanzheng Electrical Equipment Co., Ltd.

Отправить Запрос
СВ 1000kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

СВ 1000kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

160 000,00-170 000,00 $
1 Комплект(MOQ)
СВ 500kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

СВ 500kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

78 000,00-82 000,00 $
1 Комплект(MOQ)
СВ 200kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

СВ 200kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

35 000,00-37 000,00 $
1 Комплект(MOQ)
СВ 150kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

СВ 150kw Сварочное оборудование индукционного типа, сконфигурированное с Si-Mosfet или Sic-Mosfet

30 000,00-32 000,00 $
1 Комплект(MOQ)
1/4

Henan Yumo New Materials Co., Ltd.

8 г.
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Высокопроводящий микропорошок карбида кремния, формовочный порошок, зеленый материал, камень, водоструйная резка, абразив из песка карбида кремния

Высокопроводящий микропорошок карбида кремния, формовочный порошок, зеленый материал, камень, водоструйная резка, абразив из песка карбида кремния

580,00-880,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Высокая теплопроводность микропорошка карбида кремния, зеленый материал, камень, титановый сплав, песок карбида кремния, абразив

Высокая теплопроводность микропорошка карбида кремния, зеленый материал, камень, титановый сплав, песок карбида кремния, абразив

580,00-880,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Высокая теплопроводность микропорошка карбида кремния керамического класса зеленого материала камня абразивного песка

Высокая теплопроводность микропорошка карбида кремния керамического класса зеленого материала камня абразивного песка

580,00-880,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Высокая теплопроводность микропорошка карбида кремния зеленого цвета для полировки камня, абразив в виде песчинки

Высокая теплопроводность микропорошка карбида кремния зеленого цвета для полировки камня, абразив в виде песчинки

580,00-880,00 $
1 Тонн.(MOQ)
1/4

Jiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd.

7 г.
Отправить Запрос
Инновационные системы обработки материалов на основе карбида кремния для оптимизированного производства

Инновационные системы обработки материалов на основе карбида кремния для оптимизированного производства

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Qt-3108 Система динамического тестирования силовых устройств Sw IGBT/Sic

Qt-3108 Система динамического тестирования силовых устройств Sw IGBT/Sic

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Высокоэффективные кремниевые силовые решения для зарядных станций электромобилей

Высокоэффективные кремниевые силовые решения для зарядных станций электромобилей

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Автоматическая машина для бондинга светодиодов/интегральных схем с переворотом чипов

Автоматическая машина для бондинга светодиодов/интегральных схем с переворотом чипов

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Ningxia Yongruida Carbon Co., Ltd.

12 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Высокочистый 98% кремний карбид карборундум порошок огнеупорный материал

Высокочистый 98% кремний карбид карборундум порошок огнеупорный материал

1 090,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Высокочистый Sic 1-10mm черный карбид кремния в порошке для сталелитейного производства

Высокочистый Sic 1-10mm черный карбид кремния в порошке для сталелитейного производства

1 090,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Высокотвердый шлифовальный материал карбид кремния для огнеупорных и металлургических применений

Высокотвердый шлифовальный материал карбид кремния для огнеупорных и металлургических применений

1 090,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Абразивные зерна карборундового черного кремния для огнеупорной и керамической промышленности

Абразивные зерна карборундового черного кремния для огнеупорной и керамической промышленности

1 090,00 $
1 Тонн.(MOQ)
1/4

Shenzhen Infypower Co., Ltd.

12 г.
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Сик Мосфет Бидирекционный АС/DC Конвертер V2g Модуль Зарядки ЭВ 22kw 1000V

Сик Мосфет Бидирекционный АС/DC Конвертер V2g Модуль Зарядки ЭВ 22kw 1000V

2 950,00-3 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Жидкостное охлаждение 35kw Двусторонний AC/DC V2g Модуль зарядного устройства PCS для хранения энергии 0 Шум

Жидкостное охлаждение 35kw Двусторонний AC/DC V2g Модуль зарядного устройства PCS для хранения энергии 0 Шум

Цена Договорная
1 шт.(MOQ)
22kw 30kw Двусторонний модуль питания зарядного устройства для V2g Быстрой зарядной станции

22kw 30kw Двусторонний модуль питания зарядного устройства для V2g Быстрой зарядной станции

2 950,00-3 000,00 $
1 шт.(MOQ)
7kw 15V Двусторонний модуль переменного тока для формирования, градации и тестирования литиевых батарей

7kw 15V Двусторонний модуль переменного тока для формирования, градации и тестирования литиевых батарей

Цена Договорная
1 шт.(MOQ)
1/4

Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.

Отправить Запрос
Керамическая подложка из нитрида кремния Si3n4 для МОП-транзисторов на основе карбида кремния

Керамическая подложка из нитрида кремния Si3n4 для МОП-транзисторов на основе карбида кремния

20,00-25,00 $
10 Куски(MOQ)
Высокотвердый керамический нитрид кремния Si3n4 Керамические шарики подшипников

Высокотвердый керамический нитрид кремния Si3n4 Керамические шарики подшипников

5,00-20,00 $
1 шт.(MOQ)
Кастомизированная износостойкая керамическая пластина из силиконового нитрида с отверстиями

Кастомизированная износостойкая керамическая пластина из силиконового нитрида с отверстиями

5,00-20,00 $
1 шт.(MOQ)
Высоковольтный кремний нитрид Si3n4 керамический позиционный штифт

Высоковольтный кремний нитрид Si3n4 керамический позиционный штифт

5,00-20,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Guangzhou Xindi Automobile Sales Co., Ltd.

5.0
Отправить Запрос
2024 Горячая распродажа Byd Han EV Новые Энергетические Автомобили, произведенные в Китае, Электрический Автомобиль, Мини Электрическое Транспортное Средство по низкой цене

2024 Горячая распродажа Byd Han EV Новые Энергетические Автомобили, произведенные в Китае, Электрический Автомобиль, Мини Электрическое Транспортное Средство по низкой цене

23 138,00-31 558,00 $
1 шт.(MOQ)
Блейд батарея электромобиля Бид Хан

Блейд батарея электромобиля Бид Хан

31 400,00-35 686,00 $
1 шт.(MOQ)
Бид Хан ЭВ Электрический Автомобиль Изготовленный В Китае Электрический Автомобиль Цена Новые Энергетические Транспортные Средства

Бид Хан ЭВ Электрический Автомобиль Изготовленный В Китае Электрический Автомобиль Цена Новые Энергетические Транспортные Средства

23 138,00-31 558,00 $
1 шт.(MOQ)
2024 Новый электромобиль Byd Han Mini, обычные бензиновые автомобили, электрическая маломестная машина, дешевые автомобили Byd, произведено в Китае

2024 Новый электромобиль Byd Han Mini, обычные бензиновые автомобили, электрическая маломестная машина, дешевые автомобили Byd, произведено в Китае

23 138,00-31 558,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Changsha Lushan Electronic Technology Co., Ltd.

51 г.·5.0
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
850A 0.16mh Индивидуальный электрический силовой реактор переменного тока индуктивность дроссельная катушка IGBT для волоконного лазера для фильтрации с низким напряжением и оптовая электроника

850A 0.16mh Индивидуальный электрический силовой реактор переменного тока индуктивность дроссельная катушка IGBT для волоконного лазера для фильтрации с низким напряжением и оптовая электроника

100,00-10 000,00 $
1 шт.(MOQ)
750A 0.1mh Индивидуальный электрический силовой реактор переменного тока индуктивность дроссельная катушка IGBT для лазерного резака для фильтрации с низким напряжением и оптовая электроника

750A 0.1mh Индивидуальный электрический силовой реактор переменного тока индуктивность дроссельная катушка IGBT для лазерного резака для фильтрации с низким напряжением и оптовая электроника

100,00-10 000,00 $
1 шт.(MOQ)
800A 0.8mh Индикаторный дроссель переменного тока для лаборатории с низким напряжением и оптовой электроникой

800A 0.8mh Индикаторный дроссель переменного тока для лаборатории с низким напряжением и оптовой электроникой

100,00-10 000,00 $
1 шт.(MOQ)
0.09mh 610A Поставщик индуктивности реактора переменного тока с медным проводом для системы фильтрации с IGBT для электродвигателя VFD с оптовой электроникой 400V 600V

0.09mh 610A Поставщик индуктивности реактора переменного тока с медным проводом для системы фильтрации с IGBT для электродвигателя VFD с оптовой электроникой 400V 600V

107,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

SHENZHEN JINGHUI INDUSTRY LIMITED

5.0
Отправить Запрос
300mm Диаметр индивидуально изготовленного OEM вафли из нитрида алюминия

300mm Диаметр индивидуально изготовленного OEM вафли из нитрида алюминия

10,00-2 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Стандартный 0.5mm 0.635mm 1.0mm 2mm Толстый Продвинутый Алюминиевый Нитрид Керамический Пластина

Стандартный 0.5mm 0.635mm 1.0mm 2mm Толстый Продвинутый Алюминиевый Нитрид Керамический Пластина

5,00-20,00 $
1 шт.(MOQ)
170 М/Ж. Обрабатываемая на заказ подложка из алюминиевого нитрида

170 М/Ж. Обрабатываемая на заказ подложка из алюминиевого нитрида

10,00-2 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Большой диаметр Od300 диска из нитрида алюминия для полупроводников

Большой диаметр Od300 диска из нитрида алюминия для полупроводников

20,00-50,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.

18 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Поставщики ИС Высокоточные Неизолированные Бак Апфк Светодиодный Драйв Sic9754

Поставщики ИС Высокоточные Неизолированные Бак Апфк Светодиодный Драйв Sic9754

0,60-0,70 $
100 Куски(MOQ)
Шэньчжэнь Sic9773 Sic9773b Sop7 ИС драйвера постоянного тока для светодиодов

Шэньчжэнь Sic9773 Sic9773b Sop7 ИС драйвера постоянного тока для светодиодов

0,50-0,90 $
10 Куски(MOQ)
Поставщики ИС Заводская поставка ИС Sic9764b Sic9764 Соп DIP-7 Драйвер светодиодов

Поставщики ИС Заводская поставка ИС Sic9764b Sic9764 Соп DIP-7 Драйвер светодиодов

0,09-1,00 $
4 000 Куски(MOQ)
1/4

Jiaozuo Commercial Finewin Co., Ltd.

5.0
Отправить Запрос
Субстраты из карбида кремния СиС

Субстраты из карбида кремния СиС

0,50 $
100 Куски(MOQ)
Субстраты из карбида кремния для силовой электроники

Субстраты из карбида кремния для силовой электроники

0,50 $
100 Куски(MOQ)
N-тип кремниевых подложек

N-тип кремниевых подложек

0,50 $
100 Куски(MOQ)
1/4

Shanghai Wenlida Technology Co., Ltd.

15 г.·5.0
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Серия DC/DC преобразователей для каскадного использования отработанных батарей и гибридной микросети AC-DC, а также системы накопления энергии, DC/DC преобразователь с Af

Серия DC/DC преобразователей для каскадного использования отработанных батарей и гибридной микросети AC-DC, а также системы накопления энергии, DC/DC преобразователь с Af

500,00-60 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Водяное охлаждение, серия Сик DC/DC преобразователя для каскадного использования отработанных батарей, AC-DC гибридная микросетевая система хранения энергии, DC/DC преобразователь

Водяное охлаждение, серия Сик DC/DC преобразователя для каскадного использования отработанных батарей, AC-DC гибридная микросетевая система хранения энергии, DC/DC преобразователь

300,00-60 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Hebei Suoyi New Material Technology Co., Ltd.

12 г.·5.0
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Суой Ультра Файн Сик 0.3-0.5um Кремний Карбид

Суой Ультра Файн Сик 0.3-0.5um Кремний Карбид

7 035,00-7 250,00 $
1 Тонн.(MOQ)
Силиконовый карбид Suoyi Sic 15-17um для поглощения радиации и электромагнитных волн, номер CAS 409-21-2

Силиконовый карбид Suoyi Sic 15-17um для поглощения радиации и электромагнитных волн, номер CAS 409-21-2

7 035,00-7 250,00 $
1 Тонн.(MOQ)
1/4

Dongguan Guangyuan Inverter Electronic Equipment Factory

23 г.
·Производитель/Завод
Отправить Запрос
15kVA 220V Электромагнитный индукционный нагреватель для болтов

15kVA 220V Электромагнитный индукционный нагреватель для болтов

100,00-10 000,00 $
1 Комплект(MOQ)
Машина с высоким частотным магнитным индукционным нагревом из железа

Машина с высоким частотным магнитным индукционным нагревом из железа

100,00-10 000,00 $
1 Комплект(MOQ)
1/4

Zhengzhou CY Scientific Instrument Co., Ltd.

13 г.
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Высококачественный 6-Inch 4h-Sic эпитаксиальный вафер

Высококачественный 6-Inch 4h-Sic эпитаксиальный вафер

430,00-580,00 $
2 Куски(MOQ)
Горячая распродажа 4-Inch кремнийкарбидных эпитаксиальных пластин используется для производства устройств MEMS

Горячая распродажа 4-Inch кремнийкарбидных эпитаксиальных пластин используется для производства устройств MEMS

430,00-580,00 $
2 Куски(MOQ)
1/4

SHENZHEN SCIEO ELECTRONICS CO., LTD.

10 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Источник Измерительная Единица (ИЗЕ) N2600 Серия Высокоточный Цифровой Мультиметр для Тестирования Полупроводников

Источник Измерительная Единица (ИЗЕ) N2600 Серия Высокоточный Цифровой Мультиметр для Тестирования Полупроводников

2 000,00-25 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1000V 1A 20W Цифровой источник измерений (SMU) с источником напряжения, источником тока, измерением I-V-R

1000V 1A 20W Цифровой источник измерений (SMU) с источником напряжения, источником тока, измерением I-V-R

2 000,00-25 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Emi International (Hk) Co. Ltd

Отправить Запрос
Оригинальные ИС чипы Stm Stm8s003f3p6tr Транзистор Mosfet N-CH Sic 650V 70A Rohm Semiconductor

Оригинальные ИС чипы Stm Stm8s003f3p6tr Транзистор Mosfet N-CH Sic 650V 70A Rohm Semiconductor

0,02-2,80 $
10 Куски(MOQ)
1/4

Shijiazhuang Maxwell Technology Co., Ltd.

6 г.·5.0
·Торговая Компания
Отправить Запрос
50kw 1000V Модуль выходной мощности с 260-530V входным высокоэффективным SiC MOSFET

50kw 1000V Модуль выходной мощности с 260-530V входным высокоэффективным SiC MOSFET

1 000,00-1 100,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Hainan Chenxiang New Materials Technology Co., Ltd.

Отправить Запрос
ММА 500sic 370A Портативный инверторный сварочный аппарат с технологией SiC MOSFET

ММА 500sic 370A Портативный инверторный сварочный аппарат с технологией SiC MOSFET

109,00-148,00 $
10 Куски(MOQ)
1/4

Shinningpc Industrial Co., Ltd.

Отправить Запрос
С ИС Чип Интегральная Схема ИС Оригинал 24LC014t-E/Mny Память 8-Wfdfn Открытая Площадка Электронные Компоненты

С ИС Чип Интегральная Схема ИС Оригинал 24LC014t-E/Mny Память 8-Wfdfn Открытая Площадка Электронные Компоненты

28,50 $
1 шт.(MOQ)
1/4
12
Популярные Товары
Носитель
Удовлетворительная Алюмина
Биметаллическая Износостойкая Плита
Китай Мосфет
Мощный Полевой Транзистор
Силовой Моп-транзистор
Сик Нагревательный Элемент
Высокотемпературный Кремнийкарбидный Нагревательный Элемент
Связанные производители & Поставщик
Завод Мосфетный Усилитель
Завод Сик Обогреватель
Завод Сик Нагревательный Стержень
Завод Сик Доска
Производители Сик Обогревательный Элемент
Производители Высокотемпературный Кремниевый Обогреватель
Производители Модуль Силового Mosfet
Производители Силиконкарбидный Электрический Нагревательный Стержень
О Нас Заявление Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности Связаться с Made-in-China.com Быстрый Поиск Продуктов Информация
Языковой Вариант: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026 Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.