Главнаяarrow-rightИндекс Китайских Заводовarrow-rightСик Мосфет Модуль заводarrow-rightсписок поставщиков
Фильтровать
Категории
Больше
Сертификация менеджмента
Больше
Возможности НИОКР
Годовой Доход
Количество сотрудников
Провинция &Регион
Больше
О Сик Мосфет Модуль
  • Технологические инновации
  • Надежные цепочки поставок
  • Значительные производственные возможности

Сик Мосфет Модуль10+ фабрики проверены

Dongguan Meizhao Electronics Co., Ltd.

Отправить Запрос
Asc300n1200MD3 1200V Сик Мосфет Модуль Dwc3

Asc300n1200MD3 1200V Сик Мосфет Модуль Dwc3

489,80 $
1 шт.(MOQ)
Высококачественный Asc600n1200MD3f Dwc3f транзистор 1200V, 2.8MΩ модуль SiC MOSFET

Высококачественный Asc600n1200MD3f Dwc3f транзистор 1200V, 2.8MΩ модуль SiC MOSFET

42,00 $
500 Куски(MOQ)
Asc400n1200hpd 1200V Сик Мосфет Модуль

Asc400n1200hpd 1200V Сик Мосфет Модуль

405,00 $
1 шт.(MOQ)
Asc800n1200dcs12 1200V Сик Мосфет Модуль Оригинальный и Новый

Asc800n1200dcs12 1200V Сик Мосфет Модуль Оригинальный и Новый

39,90 $
500 Куски(MOQ)
1/4

Dongguan Merry Electronic Co., Ltd.

5.0
Отправить Запрос
750V/1.70mΩ Модуль SiC Mosfet, P6, MD17HTC75P6HEL

750V/1.70mΩ Модуль SiC Mosfet, P6, MD17HTC75P6HEL

228,00 $
1 000 Куски(MOQ)
Модули IGBT VCES-1200V IC-450A Низкие потери при переключении, особенно Eoff Низкоиндуктивный корпус MG450HF12TFC2

Модули IGBT VCES-1200V IC-450A Низкие потери при переключении, особенно Eoff Низкоиндуктивный корпус MG450HF12TFC2

580,00 $
1 000 Куски(MOQ)
Модули IGBT VCES-1200V IC-50A Низкие потери при переключении Высокая короткое замыкание capability(10us) MG50P12E1A

Модули IGBT VCES-1200V IC-50A Низкие потери при переключении Высокая короткое замыкание capability(10us) MG50P12E1A

85,00 $
1 000 Куски(MOQ)
Модули IGBT VCES-1200V IC-150A Низкая паразитная индуктивность Ультранизкие потери функции применения MG150HF12MRC2

Модули IGBT VCES-1200V IC-150A Низкая паразитная индуктивность Ультранизкие потери функции применения MG150HF12MRC2

185,00 $
1 000 Куски(MOQ)
1/4

Shenzhen Infypower Co., Ltd.

12 г.
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Сик Мосфет Бидирекционный АС/DC Конвертер V2g Модуль Зарядки ЭВ 22kw 1000V

Сик Мосфет Бидирекционный АС/DC Конвертер V2g Модуль Зарядки ЭВ 22kw 1000V

2 950,00-3 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Жидкостное охлаждение 35kw Двусторонний AC/DC V2g Модуль зарядного устройства PCS для хранения энергии 0 Шум

Жидкостное охлаждение 35kw Двусторонний AC/DC V2g Модуль зарядного устройства PCS для хранения энергии 0 Шум

Цена Договорная
1 шт.(MOQ)
7kw 15V Двусторонний модуль переменного тока для формирования, градации и тестирования литиевых батарей

7kw 15V Двусторонний модуль переменного тока для формирования, градации и тестирования литиевых батарей

Цена Договорная
1 шт.(MOQ)
Изолированный 22kw 30kw двунаправленный преобразователь переменного тока постоянного тока V2g модуль зарядного устройства для электромобилей для хранения энергии

Изолированный 22kw 30kw двунаправленный преобразователь переменного тока постоянного тока V2g модуль зарядного устройства для электромобилей для хранения энергии

2 950,00-3 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Shijiazhuang Maxwell Technology Co., Ltd.

6 г.·5.0
·Торговая Компания
Отправить Запрос
50kw 1000V Модуль выходной мощности с 260-530V входным высокоэффективным SiC MOSFET

50kw 1000V Модуль выходной мощности с 260-530V входным высокоэффективным SiC MOSFET

1 000,00-1 100,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Xiamen Newcom Electrical Co. Ltd

4 г.·5.0
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Нанком Мегаватт Жидкостное Охлаждение Высоковольтный Электрический Шкаф

Нанком Мегаватт Жидкостное Охлаждение Высоковольтный Электрический Шкаф

21 463,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Shenzhen Tongcheng Electronic Technology Co., Ltd.

10 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Индекс продуктов дискретных полупроводниковых продуктов транзисторы, полевые транзисторы, одиночные полевые транзисторы

Индекс продуктов дискретных полупроводниковых продуктов транзисторы, полевые транзисторы, одиночные полевые транзисторы

0,10 $
1 шт.(MOQ)
1/3

Shenzhen Botong Electric Co., Ltd.

Отправить Запрос
FF900r12me7-B11 1200 в, 900 A двойной модуль TrenchSTOP™ IGBT7 с диодом, управляемым эмиттером 7

FF900r12me7-B11 1200 в, 900 A двойной модуль TrenchSTOP™ IGBT7 с диодом, управляемым эмиттером 7

200,00-230,00 $
10 Куски(MOQ)
Fp50R12W2t7-B11 комплексного питания модулей IGBT модуль для промышленных мотор приводит и органы управления

Fp50R12W2t7-B11 комплексного питания модулей IGBT модуль для промышленных мотор приводит и органы управления

40,00-50,00 $
15 Куски(MOQ)
F3l100r07W2e3_B11 3 уровня этапа ноги IGBT модуля с помощью солнечной фотоэлектрической

F3l100r07W2e3_B11 3 уровня этапа ноги IGBT модуля с помощью солнечной фотоэлектрической

46,00-55,00 $
15 Куски(MOQ)
Fp35R12W2t7_B11 1200V 35в три этапа входной выпрямитель Pim IGBT модуля

Fp35R12W2t7_B11 1200V 35в три этапа входной выпрямитель Pim IGBT модуля

38,00-45,00 $
15 Куски(MOQ)

Guangzhou Xindi Automobile Sales Co., Ltd.

5.0
Отправить Запрос
2024 Горячая распродажа Byd Han EV Новые Энергетические Автомобили, произведенные в Китае, Электрический Автомобиль, Мини Электрическое Транспортное Средство по низкой цене

2024 Горячая распродажа Byd Han EV Новые Энергетические Автомобили, произведенные в Китае, Электрический Автомобиль, Мини Электрическое Транспортное Средство по низкой цене

23 138,00-31 558,00 $
1 шт.(MOQ)
2024 Новый Byd Han EV Электрический автомобиль Обычные топливные автомобили Электрический мини-автомобиль Изготовлено в Китае Подержанные автомобили

2024 Новый Byd Han EV Электрический автомобиль Обычные топливные автомобили Электрический мини-автомобиль Изготовлено в Китае Подержанные автомобили

23 138,00-31 558,00 $
1 шт.(MOQ)
5.7 Радиус поворота электрического автомобиля

5.7 Радиус поворота электрического автомобиля

31 400,00-35 686,00 $
1 шт.(MOQ)
Блейд батарея электромобиля Бид Хан

Блейд батарея электромобиля Бид Хан

31 400,00-35 686,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

SHENZHEN JINGHUI INDUSTRY LIMITED

5.0
Отправить Запрос
Производитель Китая алюминий нитридовый вафер для электрических нужд

Производитель Китая алюминий нитридовый вафер для электрических нужд

10,00-100,00 $
1 шт.(MOQ)
Китайская фабрика жаропрочная керамическая вафля из нитрида алюминия

Китайская фабрика жаропрочная керамическая вафля из нитрида алюминия

10,00-100,00 $
1 шт.(MOQ)
Обработанный керамический диск из алюминиевого нитрида с высокой теплопроводностью

Обработанный керамический диск из алюминиевого нитрида с высокой теплопроводностью

5,00-20,00 $
1 шт.(MOQ)
Высокопроизводительная алюминиеводородная нитридная металлизированная керамическая подложка для силовой электроники

Высокопроизводительная алюминиеводородная нитридная металлизированная керамическая подложка для силовой электроники

1,00-100,00 $
10 Куски(MOQ)
1/4

Jiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd.

7 г.
Отправить Запрос
Современные решения по обработке силиконовых карбидов для эффективного производства

Современные решения по обработке силиконовых карбидов для эффективного производства

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Современные решения на основе силовых полупроводников для зарядки электрических транспортных средств

Современные решения на основе силовых полупроводников для зарядки электрических транспортных средств

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
Автоматическая машина для бондинга светодиодов/интегральных схем с переворотом чипов

Автоматическая машина для бондинга светодиодов/интегральных схем с переворотом чипов

100 000,00-1 000 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.

Отправить Запрос
Керамическая подложка из нитрида кремния Si3n4 для МОП-транзисторов на основе карбида кремния

Керамическая подложка из нитрида кремния Si3n4 для МОП-транзисторов на основе карбида кремния

20,00-25,00 $
10 Куски(MOQ)
1/4

Hainan Chenxiang New Materials Technology Co., Ltd.

Отправить Запрос
ММА 500sic 370A Портативный инверторный сварочный аппарат с технологией SiC MOSFET

ММА 500sic 370A Портативный инверторный сварочный аппарат с технологией SiC MOSFET

109,00-148,00 $
10 Куски(MOQ)
1/4

SHENZHEN SCIEO ELECTRONICS CO., LTD.

9 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Источник Измерительная Единица (ИЗЕ) N2600 Серия Высокоточный Цифровой Мультиметр для Тестирования Полупроводников

Источник Измерительная Единица (ИЗЕ) N2600 Серия Высокоточный Цифровой Мультиметр для Тестирования Полупроводников

2 000,00-25 000,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Wuxi Kingful Corporation., Ltd

9 г.
Отправить Запрос
4/6/8/12 Дюймовая кремниевая пластина для чипов MOSFET

4/6/8/12 Дюймовая кремниевая пластина для чипов MOSFET

650,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

DongGuan Dason Electric Company

11 г.
·Торговая Компания
Отправить Запрос
2csi200dahe170-50 Модуль IGBT FUJI 2csi300dahe120 2csi300dahe170 2csi400dahe170 2csi450dahe120 2csi600dahe120 IGBT

2csi200dahe170-50 Модуль IGBT FUJI 2csi300dahe120 2csi300dahe170 2csi400dahe170 2csi450dahe120 2csi600dahe120 IGBT

75,00-80,00 $
5 Куски(MOQ)
1/4

Shanghai Rui Tai Photoelectric Technology Co., Ltd.

10 г.·5.0
·Торговая Компания
Отправить Запрос
Ультраэффективная подложка из карбида кремния для силовой электроники

Ультраэффективная подложка из карбида кремния для силовой электроники

160,00-180,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Shijiazhuang Casiting Trading Co., Ltd.

Отправить Запрос
50KW/100KW Модуль преобразователя DCDC система преобразования для хранения энергии

50KW/100KW Модуль преобразователя DCDC система преобразования для хранения энергии

2 850,00-3 500,00 $
1 SET(MOQ)
1/4

Dongguan Weibang Instrument Equipment Co., Ltd.

15 г.
·Производитель/Завод & Торговая Компания
Отправить Запрос
Тестовая камера для старения затворов при высоких температурах и обратном смещении

Тестовая камера для старения затворов при высоких температурах и обратном смещении

5 999,00-19 999,00 $
1 шт.(MOQ)
1/4

Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Отправить Запрос
SC16N120S7PD 1200V 101A N-канальный СИК силовой кремний-карбидный МОП-транзистор

SC16N120S7PD 1200V 101A N-канальный СИК силовой кремний-карбидный МОП-транзистор

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
SC160N120P 1200V 19A 160mohm N-канальный SIC мощный кремний-карбидный МОП-транзистор с TO-247 корпусом

SC160N120P 1200V 19A 160mohm N-канальный SIC мощный кремний-карбидный МОП-транзистор с TO-247 корпусом

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
SC40N120S7PD SOT-227 МОП-транзистор на основе карбида кремния с 40 миллиом 1200V/65A параметр

SC40N120S7PD SOT-227 МОП-транзистор на основе карбида кремния с 40 миллиом 1200V/65A параметр

Цена Договорная
100 Куски(MOQ)
1/4
Популярные Товары
Носитель
Алюминиевая Отливка
Биметаллическая Износостойкая Плита
Китай Модуль
Модуль Управления
Модульный Светильник
Модуль Свет
3 Светодиодный Модуль
Связанные производители & Поставщик
Завод Пользовательский Светодиодный Модуль
Завод Модуль Экрана
Завод Электронный Модуль
Завод Модуль С Электроприводом
Производители Светодиодный Модуль С Ce
Производители Компьютерный Модуль
Производители Модуль Дисплея
Производители Алюминиевая Консоль
О Нас Заявление Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности Связаться с Made-in-China.com Быстрый Поиск Продуктов Информация
Языковой Вариант: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2026 Focus Technology Co., Ltd. Все права защищены.
Focus не несет ответственности за разницу между английской версией и другими языковыми версиями. Если есть конфликт, английская версия имеет преимущественную силу. Использование нашего сайта означает признание и принятие наших Терминов и Условий.