Si-SiReaction-Bonded карбид кремния (C) для пробных версий

Оксида азота из карбида кремния приклеивания(O-SiC)
SiC слоя используется для стрельбы общие chinaware и керамические изделия (температура ниже 1450 °C), осуществляется путем SiC крепостной, оксида кремния (Si2O3), и с технической точки зрения под названием "оксида азота из карбида кремния приклеивания".  
Это SiC огнеупорного имеет очень высокой теплопроводностью (почти в 10 раз выше mullite огнеупорного) и высокий уровень излучения в диапазоне длин волн инфракрасного излучения, очень высокая эффективность по отношению к продукции.
С точки зрения затрат производительность для стрельбы общие chinaware и керамических изделий, оксида азота кабального SiC является наиболее ценным и подходящей огнеупорного.
Максимальная рекомендуемая температура обслуживания наших SiC пластину (O-SiC) 1450°C. Когда температура применения более 1450 °C, вы должны выбрать Re-SiRecrystallized SiC (C) / Max. 1600 °C или глинозема Setter / Max. 1750°C.
 
Реакция-Si-Siкабального карбид кремния (C)
Это - реакция на клей (silicon infiltraded) карбид кремния, формируется нулевой пористости путем заполнения открытую пористость с металлического кремния (Si). Поскольку его нулевой характеристики пористость, теплопроводности не более чем в два раза оксидных кабального SiC, изгиб численности более чем в 5 раза выше по сравнению с азота кабального SiC.
Функция sepecial Si-SiC и является его способность поддерживать высокую прочность от комнатной температуры до 1350°C. Также она имеет очень высокие окисления, химическую стойкость и износостойкость. Используется в качестве пучка, ролик, radiant трубы дисков и дисков и т.д. сопла
 
Re-SiRecrystallized карбид кремния (C)
Это уникальная особенность позволяет использовать при максимальной температуре до 1600°C, выше по сравнению с другими SiC огнеупорные материалы.
C Re-Si, спекании тонкой SiC зерна на очень высокой температуры, имеет очень высокую степень чистоты, 99% SiC состава. Подходит для применения в результате обстрелов сырьевых материалов или товаров, которые нуждаются во избежание загрязнения. Используется как ракета SAGGER и пластину и т.д.
 
Подневольный Nitride карбида кремния (N-SiC)
Максимальная температура обслуживания 1450 °C, и особенно подходит на протяжении длительного времени в результате обстрелов beween 1,200~1,450 °C. N-SiC - SiC приклеен к Silicon Nitride (Si3N4) химически стабильными, подходит для применения в результате обстрелов продуктов необходимость избегать реакции окисления.
Это класс выше SiC огнеупорного сравните с азота кабального SiC, с точки зрения окисления, тепловой удар сопротивление и прочности. Используется в качестве опорной пластины, света и для огнеупорной для расплавленного алюминия и т.д.