• Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств
  • Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств
  • Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств
  • Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств
  • Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств
  • Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств

Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств

Application: Aerospace, Ceramic Decorations, Medical, Amb Substrate
Material Composition: Alumina, Al2O3
Speciality: High Insulation, High Strength
Type: Insulating Ceramics
прочность на сжатие: 2300 миль/галлон
толщина покрытия: 8-30μm

Связаться с Поставщиком

Производитель/Завод & Торговая Компания

Виртуальный Тур 360 °

Бриллиантовое Членство с 2024

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Fujian, Китай
Собственный бренд
У поставщика есть собственные бренды 1. Для получения дополнительной информации проверьте ссылку Audit Report.
Инспекторы по обеспечению/контролю качества
У поставщика есть 3 сотрудников по контролю качества и контроля качества.
Возможности исследований и разработок
У поставщика есть 2 инженеров по исследованиям и разработкам. Дополнительную информацию можно найти по Audit Report.
Сертификация продукции
Продукция поставщика уже имеет соответствующие сертификационные квалификации, в том числе:
CE
, чтобы увидеть все проверенные метки силы (26)

Основная Информация.

Модель №.
AA INC-AMB20310
слой покрытия
Mo/Mn
Plated Layer
Nickel/Copper/Gold
теплопроводность
25W/(M.K)
Max. Use Temperature
1600°c.
плотность
3,7 г/см3
Транспортная Упаковка
Standard Cartons with Foam
Характеристики
Customized
Торговая Марка
INNOVACERA
Происхождение
Fujian, China
Производственная Мощность
10000 Piece/Pieces Per Month

Описание Товара

0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging

 

 
 
Силиконовый нитрид AMB Керамический субстрат — это метод для реализации склеивания керамики и металла путем реакции небольшого количества активных элементов Ti и ZR в присадочной металле с керамикой для формирования реакционного слоя, который может быть смачивался жидким присадочным металлом.
 
Преимущество:
* комбинация достигается химической реакцией керамической и активной пайки металла при высокой температуре, поэтому ее прочность на склеивание выше и надежность лучше;
* может иметь различную толщину меди на одной пластине;
* Экологическая бережливы;
* высокая стойкость к холоду и тепловому воздействию;
* простая полная автоматизация, высокая эффективность производства, низкие производственные затраты;
* Толщина меди 0.1-0,5 мм, очень подходит для высокоэнергоемкой упаковки устройств.
 
Технические характеристики
>толщина металлизации: 25 ±10um >толщина никеля:2~10um; >полная прочность штифта: 4200 кгс/см2 сред. (На контакте Φ3.0mm)
 
Материалов
Пункт
Значение
 
 
 
 
 
 
S3N4
Состав
96%-ный грех
 
Толщина (мм)
0.2,0.32,0.35,0.635,0.4-1.5
 
Плотность (г/см3)
3.2±0.25
 
Теплопроводность (20°C, Вт/м·к)
85+
 
Прочность на изгиб (MPA)
700-800
 
Диэлектрическая постоянная (IMHz)
8
 
Диэлектрические потери (IMHz)
0.001
 
Диэлектрическая прочность (КВ/мм)
20
 
Volume Resisdivity (Ω/CM) (сопротивление объема (мкГр/см)
1*1014
 
 
 
 
 
 
ALN
Состав
96%ALN
 
Толщина (мм)
0.25,0.32,0.635
 
Плотность (г/см3)
3.3
 
Теплопроводность (20°C, Вт/м·к)
170+
 
Прочность на изгиб (MPA)
350
 
Диэлектрическая постоянная (IMHz)
9
 
Диэлектрические потери (IMHz)
0.0005
 
Диэлектрическая прочность (КВ/мм)
20
 
Volume Resisdivity (Ω/CM) (сопротивление объема (мкГр/см)
1014
 
 
 
Медь
Материалов
Бескислородная медь
 
Чистота (%)
99.99
 
Твердость( HV)
60-110
 
Проводимость (мс/м)
58.6
 
Толщина (мм)
1.2,1.0,0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2
 
 
 
 
 
АМБ Субстрат
Наибольший размер (мм)
190*140
 
Расстояние между строками (мм)
≥0.5
 
Ширина линии (мм)
индивидуальный
 
Прочность на разрыв медного слоя (минимум) (Н/мм)
10
 
Способность к сольдерности(%)
95%
 
Метод доставки
Небольшие кусочки или панель
 
Состояния поверхности (UM)
CU/AU/AG
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
 
VR
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
 
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
0.1-0.5mm Copper Thickness Si3n4 Silicon Nitride Amb Substrate for High Power Device Packaging
ОТПРАВИТЬ МНЕ
Если Вас заинтересовала наша продукция, пожалуйста, нажмите здесь, чтобы отправить мне запрос, и я ответу Вам в течение 8 часов

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары Металлизированная керамика Толщина меди 0.1–0,5 мм S3n4 нитрид кремния субстрат амба для высоких Упаковка силовых устройств

Вам Наверное Нравятся

Группа Товаров

Связаться с Поставщиком

Виртуальный Тур 360 °

Бриллиантовое Членство с 2024

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод & Торговая Компания
Количество Работников
34
Год Основания
2012-06-04