• Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2

Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2

Технология производства: Дискретное Устройство
Материал: кремний
Тип: N-образный Полупроводник
Пакет: to-247
Применение: сварка, подъем
Модель: dgf30f65m2

Связаться с Поставщиком

Виртуальный Тур 360 °

Бриллиантовое Членство с 2021

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод & Торговая Компания

Основная Информация.

Модель №.
DGF30F65M2
Серийный Номер
2023
Марка
вхх
напряжение
650 в
сила тока
30 а.
Транспортная Упаковка
Tube
Торговая Марка
WXDH
Происхождение
Wuxi, China
Код ТН ВЭД
8541290000
Производственная Мощность
500000000 Pieces/Year

Описание Товара

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30f65m230A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30f65m230A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30f65m230A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30f65m2
ПАРАМЕТР СИМВОЛ РЕЙТИНГ ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ
 
Напряжение коллектора-эмиттера ВКЕС 650 В.
Напряжение строба- эмиттера ВГЭС ±30 В.
Ток коллектора IC(TJ=25°C) 60 А
Ток коллектора   (TJ=100°C) 30 А
Импульсный ток коллектора ICM 180 А
Диод постоянного тока переднего хода ЕСЛИ  @TJ = 100 °C. 30 А
Пульсирующий ток диода
ЕСЛИ
180 А
Общее рассеяние TC=25°C.
Ptot. (Пт.
60 W
TC=100°C.
Ptot. (Пт.
30 W
Температура соединения TJ -45~175 °C
Температура хранения Tstg -45~150 °C
 
Функции
Технология траншеи FS, положительная температура
коэффициент
Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT), тип = 1,85 В.
@ IC =60A и Tj = 25°C.
Чрезвычайно усиленная способность к лавинным процессам
Области применения
Сварка
Трехуровневый инвертор
ИБП
 
Технические характеристики и модели упаковки
Модель продукта Тип пакета Имя метки RoHS Пакет Количество
DGF30F65M2
TO-220F
DGF30F65M2 Без PB Трубка 1000/box (блок)
 30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor Dgf30f65m2

Отправить ваш запрос напрямую данному поставщику

*От:
*Кому:
*Сообщение:

Введите от 20 до 4000 символов.

Это не то, что вы ищете? Опубликовать Спрос на Закупки Сейчас

Найти Похожие Товары по Категориям

Главная Страница Поставщика Товары IGBT Биполярный транзистор с изолированным затвором и модульным затвором 30A 650 в Dgf30f65m2

Вам Наверное Нравятся

Связаться с Поставщиком

Виртуальный Тур 360 °

Бриллиантовое Членство с 2021

Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями

Производитель/Завод & Торговая Компания
Количество Работников
156
Год Основания
2004-12-07