1700 в, 34 мм, модуль IGBT, Dga75h170m2t

• Технология производства: Дискретное Устройство
• Материал: Metal-Oxide Semiconductor
• Тип: N-образный Полупроводник
• Пакет: Module
• Применение: Welding, UPS, Three-Leve Inverter
• Модель: Dga75h170m2t
• Модель №.: DGA75H170M2T
• Серийный Номер: 2022
• Марка: Wxdh
• Транспортная Упаковка: 34mm
• Торговая Марка: WXDH
• Происхождение: Wuxi, China
• Код ТН ВЭД: 8541290000
• Производственная Мощность: 500000000 Pieces/Year

Описание Товара

 
1 Описание
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором используется усовершенствованная траншея и.
Технология FieldSTOP обеспечивает превосходное качество VCEsat и переключение
скорость, низкий заряд заслонки. Соответствует стандарту RoHS.

Функции

Технология траншеи FS, положительная температура
коэффициент

Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT), тип = 2,25 В.
@ IC =75A и Tj = 25°C.

Чрезвычайно усиленная способность к лавинным процессам

Области применения

Сварка

ИБП

Трехve инвертор

Преобразователи переменного и постоянного тока

Усилитель сервоприводов переменного и постоянного тока

 

Тип	VCE	ИС	VCESAT,Tj=25°C.	Тяп	Пакет
DGC75C170M2T	1700 В.	75A (Tj=100°C)	2,25 в (тип)	175°C.	34 ММ

Электрические характеристики
5.1 Абсолютные максимальные номинальные значения (IGBT) (TC=25°C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР			СИМВОЛ	ЗНАЧЕНИЕ		ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ
Напряжение коллектора к эмиттера			VCE	1700		В.
Напряжение между затвором и эмиттером			VGE	±20		В.
Ток коллектора постоянного тока			IC  Tj=25°C.	150		А
			TJ=100°C.	75		А
Импульсный ток коллектора #1			ICM	300		А

 

5.2 Максимальная абсолютная мощность (диод) (TC=25°C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР			СИМВОЛ	ЗНАЧЕНИЕ		ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ
Пиковое повторяющееся обратное напряжение			VRM	1700		В.
Напряжение блокировки постоянного тока			VR	1700		В.
Средний выпрямленный передний ток			ЕСЛИ (AV)	75		А
Повторяющийся пиковый ток перегрузки			ИФРМ	150		А
Неповторяющийся пиковый ток перегрузки (одиночный) /tp=1,0 мс			IFSM	300		А

Модуль 5,53IGBT

ПАРАМЕТР			СИМВОЛ	ЗНАЧЕНИЕ		ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ
Диапазон температур соединения			Tjmax	-45~175		°C
Рабочая температура соединения			Тяп	-45~150		°C
Диапазон температур хранения			Tstg	-45~150		°C
Напряжение изоляции RMS,f=50 Гц,t=1 мин			ВИНО	4000		А

5.4 тепловые характеристики (модуль IGBT)

ПАРАМЕТР						СИМВОЛ	ЗНАЧЕНИЕ		ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ
Тепловое сопротивление между соединением и корпусом						IGBT RthJC	0.22		°C/ВТ.
						Диод RthJC	0.42		°C/ВТ.