75A 1200 в 6 в одном корпусе
1 Описание
В этих биполярных транзисторах с изолированным затвором используется усовершенствованная траншея и.
Технология FieldSTOP обеспечивает превосходное качество VCEsat и переключение
скорость, низкий заряд заслонки. Соответствует стандарту RoHS.
| Функции |
Технология траншеи FS, положительная температура
коэффициент |
Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT), типич. = 2,0 В.
@ IC =75A и Tj = 25°C. |
| Чрезвычайно усиленная способность к лавинным процессам |
| Области применения |
| Сварка |
| ИБП |
| Трехve инвертор |
| Преобразователи переменного и постоянного тока |
| Усилитель сервоприводов переменного и постоянного тока |
| Тип |
VCE |
ИС |
VCESAT,Tj=25°C. |
Тяп |
Пакет |
| DGC75C120M2T |
1200 В. |
75A (Tj=100°C) |
2,0 в (тип) |
175°C. |
Econopack2 |
Электрические характеристики
5.1 Абсолютные максимальные номинальные значения (IGBT-инвертор/IGBT-тормоз) (TC=25°C, если не указано иное)
| ПАРАМЕТР |
СИМВОЛ |
ЗНАЧЕНИЕ |
ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ |
| |
|
|
| Напряжение коллектора к эмиттера |
VCE |
1200 |
В. |
| Напряжение между затвором и эмиттером |
VGE |
±30 |
В. |
| Ток коллектора постоянного тока |
IC Tj=25°C. |
150 |
А |
| TJ=100°C. |
75 |
А |
| Импульсный ток коллектора #1 |
ICM |
300 |
А |
5.2 Максимальная абсолютная мощность (диод) (TC=25°C, если не указано иное)
| ПАРАМЕТР |
СИМВОЛ |
ЗНАЧЕНИЕ |
ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ |
| |
|
|
| Пиковое повторяющееся обратное напряжение |
VRM |
1200 |
В. |
| Напряжение блокировки постоянного тока |
VR |
1200 |
В. |
| Средний выпрямленный передний ток |
ЕСЛИ (AV) |
75 |
А |
| Повторяющийся пиковый ток перегрузки |
ИФРМ |
150 |
А |
| Неповторяющийся пиковый ток перегрузки (одиночный) /tp=1,0 мс |
IFSM |
600 |
А |
5.3 модуль IGBT
| ПАРАМЕТР |
СИМВОЛ |
ЗНАЧЕНИЕ |
ЕДИНИЦЫ ИЗМЕРЕНИЯ |
| |
|
|
| Диапазон температур соединения |
Tjmax |
-45~175 |
°C |
| Рабочая температура соединения |
Тяп |
-45~150 |
°C |
| Диапазон температур хранения |
Tstg |
-45~150 |
°C |
| Напряжение изоляции RMS,f=50 Гц,t=1 мин |
ВИНО |
4000 |
А |
Сертифицированный Поставщик 
