K4A4G165WF-BCTD Чип DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V FBGA96

• Индивидуализация: Доступный
• Тип проводящего.: Биполярная интегральная схема
• Интеграция: MSI
• Модель №.: K4A4G165WF-BCTD
• Техника: Полупроводниковая ИС
• производитель: новый оригинал
• d/c: 22+
• пакет: fbga96
• качество: новый оригинальный
• форма: hqfp64
• Транспортная Упаковка: коробка
• Происхождение: Китай
• Код ТН ВЭД: 8542399000
• Производственная Мощность: 1000000 шт.

Описание Товара

Описание

K4A4G165WF-BCTD:  Микросхема DRAM DDR4 SDRAM 4 Гбит 256 Mx16 1,2 в 96-контактный FBGA

MFR. Номер детали: K4A4G165WF-BCTD

Производитель:  

Техническое описание:  (отправьте нам сообщение по электронной почте или свяжитесь с нами для получения файла PDF)

Состояние ROHS:  

Качество: 100% Оригинал

Гарантия: ОДИН ГОД

 

RoHS ЕС	Соответствует требованиям
ECCN (США)	EAR99
Состояние детали	Активно
HTS	8542.32.00.36
Автомобилестроение	Нет
PPAP	Нет
Тип DRAM	ПАМЯТЬ DDR4 SDRAM
Плотность стружки (бит)	4G
Организации	256 Mx16
Количество внутренних банков	16
Количество слов в банке	16 М.
Количество бит/слово (бит)	16
Ширина шины данных (бит)	16
Максимальная тактовая частота (МГц)	2666
Тип интерфейса	ФИЛЬТР-ПАКЕТЫ
Минимальная рабочая температура (°C)	0
Максимальная рабочая температура (°C)	85
Температурный класс поставщика	Коммерчески
Количество линий ввода-вывода (бит)	16
Крепление	Монтаж на поверхность
Высота упаковки	0.98 (макс.)
Ширина упаковки	10.3
Длина упаковки	13.3
Печатная плата изменена	96
Имя стандартного пакета	BGA
Пакет поставщика	FBGA
Количество контактов	96
Форма отведения	Мяч

 

4-ГБ модуль памяти DDR4 SDRAM F-Die имеет 32 Мбит x 16 операций ввода-вывода x 8 банков. Это синхронное устройство обеспечивает высокую скорость передачи данных в два раза выше 3200 Мбит/с/контакт (DDR4-3200) для обычных приложений. Микросхема соответствует следующим основным функциям DDR4 SDRAM, таким как опубликованная CAS, программируемая CWL, внутренняя (самокалибровка) калибровка при оконечной заделке кристалла с использованием контактов ODT и асинхронная перезагрузка. Все входы управления и адреса синхронизированы с парой внешних дифференциальных часов. Входы фиксируются на перекрестном конце дифференциальных часов (CK Rising и CK Falling). Все операции ввода-вывода синхронизируются с парой двунаправленных стробов (DQS и DQS) в источнике синхронно. Адресная шина используется для передачи информации о строке, столбце и адресе банка в мультиплексировании RAS/CAS. Устройство DDR4 работает с одним источником питания 1,2 в (1,14–1,26 в), 1,2 в (1,14–1,26 в) VDDQ и 2,5 в (2,375–2,75 в) VPP. 4 ГБ DDR4 F-Die выпускается с 96-шаровыми FBGAS (x16).

 

 

Зачем выбирать нас

• Находится в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
• 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
• Достаточный запас по срочным требованиям.
• Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск с производством по требованию
• Более быстрая поставка: В наличии компоненты могут быть отгружались в тот же день .
• Обслуживание через 24 часов  

 

Примечание.

1. Изображения продуктов приведены только для справки.
2. Вы можете связаться с продавкой, чтобы подать заявку на лучшую цену.
3.  Для получения дополнительных продуктов обратитесь в отдел продаж.