FM25CL64B-GTR FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC IC IC

• shape: Flat
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• производитель: кипарис
• D/C: 22+
• Модель №.: FM25CL64B-GTR
• пакет: сок8
• качество: новый оригинальный
• Транспортная Упаковка: Box
• Происхождение: China
• Код ТН ВЭД: 8542399000
• Производственная Мощность: 1000000PCS

Описание Товара

Описание

FM25CL64B-GTR :  FRAM (FerroElectric RAM) Memory IC 64Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC

MFR. Номер детали: FM25CL64B-GTR

Производитель: OMRON

Техническое описание:  (отправьте нам сообщение по электронной почте или свяжитесь с нами для получения файла PDF)

Состояние ROHS:  

Качество: 100% Оригинал

Гарантия: ОДИН ГОД
 

Состояние продукта	Активно
Программируемый DigiKey	Не проверено
Тип памяти	Энергонезависимая
Формат памяти	FRAM	Технологии
	FRAM (ферроэлектрический RAM)
Объем памяти	64 Кбит
Организация памяти	8 x 8
Интерфейс памяти	SPI
Тактовая частота	20 МГц
Время цикла записи - Word, стр.	-
Напряжение - Питание	2,7 В ~ 3,65 В.
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Монтаж на поверхность
Упаковка / корпус	8-SOIC (0.154", ширина 3,90 мм)
Комплект устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	FM25CL64

FM25CL64B — это 64-битная энергонезависимая память, использующая передовой ферроэлектрический процесс. Ферроэлектрическая оперативная память или F-RAM энергонезависим и выполняет операции чтения и записи, аналогичные ОЗУ. Она обеспечивает надежное хранение данных в течение 151 лет, устраняя сложности, издержки и проблемы надежности на уровне системы, вызванные последовательной флэш-памятью, EEPROM и другими энергозависемыми памятью. В отличие от последовательной флэш-памяти и EEPROM, FM25CL64B выполняет операции записи со скоростью шины. Задержки записи не возникают. Данные записываются в массив памяти сразу после успешной передачи каждого байта на устройство. Следующий цикл шины может начаться без необходимости опроса данных. Кроме того, устройство обладает значительной долговечностью записи по сравнению с другими энергозависимой памятью. FM25CL64B поддерживает 1014 циклов чтения/записи или в 100 миллионов раз больше циклов записи, чем EEPROM. Благодаря этим возможностям FM25CL64B идеально подходит для приложений с энергонезависимой памятью, требующих частой или быстрой записи. Примеры варьируются от сбора данных, где количество циклов записи может быть критическим, до сложных промышленных систем управления, где длительное время записи последовательной флэш-памяти или EEPROM может привести к потере данных. FM25CL64B предоставляет значительные преимущества пользователям последовательного EEPROM или флэш-памяти в качестве замены оборудования. В FM25CL64B используется высокоскоростная шина SPI, которая повышает скорость записи по технологии F-RAM. Технические характеристики устройства гарантируются в диапазоне промышленных температур от -40 до +85 °C.

 

 

Зачем выбирать нас

• Находится в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
• 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
• Достаточный запас по срочным требованиям.
• Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск с производством по требованию
• Более быстрая поставка: В наличии компоненты могут быть отгружались в тот же день .
• Обслуживание через 24 часов  

 

Примечание.

1. Изображения продуктов приведены только для справки.
2. Вы можете связаться с продавкой, чтобы подать заявку на лучшую цену.
3.  Для получения дополнительных продуктов обратитесь в отдел продаж.