Основная Информация.
Описание Товара
Описание продукта
Примечание: Свяжитесь с нами, чтобы получить полную техническую поддержку и техническую поддержку! Функции
Высокое блокирующее напряжение с низким сопротивлением включения
Высокоскоростное переключение с низкой ёмкой
Простота параллельного управления и управления
Преимущества
Более высокая эффективность системы
Снижение требований к охлаждению
Повышенная плотность мощности
Повышенная частота переключения системы
Области применения
Инвертор солнечной энергии
Высоковольтный преобразователь постоянного тока
Приводы двигателей
Источники питания в режиме переключения
Импульсные электросистемы
Номер детали | VDS(В) | ID ПРИ 25°C(A) | RDS(ON)(mΩ) | Пакет |
WM1A045170K | 1700 В. | 72A | 45mΩ | TO-247-3 |
Максимальные номинальные значения (TC = 25˚C, если не указано иное ) Символ | Параметр | Значение | Единицы измерения | Условия тестирования | Примечание |
VDSmax | Напряжение источника тока | 1700 | В. | VGS=0 В, ID=100ΜA | |
VGSмакс | Напряжение источника синхроимпульса | -10/+25 | В. | Абсолютные максимальные значения | |
VGSPop | Напряжение источника синхроимпульса | -5/+20 | В. | Рекомендуемые рабочие значения | |
ID | Постоянный ток утечки | 72 | А | VGS=20 В, TC=25°C. | |
48 | | VGS=20 В, TC=100°C. | |
ID(импульс) | Ток импульсного дренажа | 160 | А | Ширина импульса tp ограничена TJmax | |
PD (ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ДОППЛ | Рассеивание мощности | 520 | W | TC=25°C, TJ=150°C. | |
TJ, TSTG | Рабочая температура соединения и хранения | от -55 до +150 | °C | | |
Электрические характеристики Символ | Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия тестирования | Примечание |
V(BR)DSS | Напряжение пробоя источника питания | 1700 | / | / | В. | VGS=0 В, ID=100ΜA | |
VGS(TH) (ВГГ( | Пороговое напряжение строба | 2.0 | 2.6 | 4.0 | В. | VDS=VGS, ID=18MA | Рис. 11 |
/ | 1.8 | / | | VDS=VGS, ID=18MA, TJ=150°C. | |
ИДА | Ток утечки нулевого напряжения затвора | / | 1 | 100 | МкВ | VDS=1700V, VGS=0 В. | |
IGSS+ | Ток утечки источника литника | / | 10 | 250 | Нет | VDS=0 В, VGS=25 В. | |
IGSS- | Ток утечки источника литника | / | 10 | 250 | Нет | VDS=0 В, VGS=-10 В. | |
RDS(ВКЛ) | Сопротивление источника дренажа при состоянии ВКЛ. | / | 45 | 70 | MΩ | VGS=20 В, ID=50 A. | |
/ | 90 | / | | VGS=20 В, ID=50 А, TJ=150°C. | |
gfs | Проводимость | / | 25.8 | / | С. | VDS=20 В, ID=50 А | Рис. 4,5,6 |
/ | 27.0 | / | | VDS=20 В, ID=50 А, TJ=150°C. | |
CISS | Входная емкость | / | 3550 | / | ПФ | VGS=0 В. VDS=1000 В. f=1 МГц VAC=25 мВ | Рис. 15,16 |
КОСС | Выходная емкость | / | 165 | / | | | |
CRSS | Емкость обратной передачи | / | 6.1 | / | | | |
Эосс | Накопленная энергия COSS | / | 101 | / | Мкг | | |
ЭОН | Включение и выключение энергии переключения | / | 3.1 | / | МДж | VDS=1200 В, VGS=-5V/20V ID=30A, RG(EXT)=2.5Ω, L=100μH | |
EOFF (ВЫКЛ.) | Выключите импульсный режим | / | 1.1 | / | | | |
td(вкл) | Время задержки включения | / | 27 | / | нс | VDS=1200V, VGS=-5V/20V, ID=30A RG(EXT)=2.5Ω, RL=20Ω | |
tr | Время нарастания | / | 32 | / | | | |
td(выкл.) | Время задержки выключения | / | 36 | / | | | |
тф | Время осени | / | 10 | / | | | |
RG(int) (RG( | Внутреннее сопротивление затвора | / | 2.6 | / | Ω | f=1 МГц, в перем. Тока=25 мВ | |
QGS | От выхода к источнику заряда | / | 54 | / | НЗ | VDS=1200 В. VGS=-5V/20V ID=50A | |
QGD | Затвор для слива подпитки | / | 25 | / | | | |
ВГ | Общая плата за посадку | / | 193 | / | | | |
Характеристики реверсивного диода
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия тестирования | Примечание |
VSD | Диод, прямое напряжение | 4.5 | / | В. | VGS=-5V, ISD=25A | Рис. 8,9,10 |
4.2 | / | | VGS=-5V, ISD=25A, TJ=150°C. | |
ЯВЛЯЕТСЯ | Постоянный ток диода вперед | / | 72 | А | TC=25°C. | |
trr | Время восстановления в обратном направлении | 55 | / | нс | VR=1200 В, ISD=50A | |
QRR | Обратный сбор за восстановление | 220 | / | НЗ | | |
Иррм | Пиковый обратный ток восстановления | 6.7 | / | А | | |
Тепловые характеристики Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Единицы измерения | Условия тестирования | Примечание |
RθJC | Тепловое сопротивление между соединением и корпусом | 0.24 | / | °C/ВТ. | | |
RθJA | Тепловое сопротивление от соединения до окружающей среды | / | 40 | | |
Адрес:
Building 3, Yiyun Land Centre, No. 26 Guilan North Rd, Nanhai District, Foshan City, Guangzhou, Guangdong, China
Тип Бизнеса:
Производитель/Завод, Торговая Компания, Другие
Диапазон Бизнеса:
Электричество и Электроника
Сертификация Системы Менеджмента:
ISO 9001, ISO 14001
Введение Компании:
PlutoSemi Co., Ltd, мировой поставщик полупроводниковых материалов и ИС, расположенный в городе Гуанчжоу, стремится предоставлять клиентам решения по полупроводниковым материалам, услуги для глобальных полупроводниковых компаний и исследовательских институтов.
Являясь интегрированной полупроводниковой компанией, мы сотрудничаем со многими мировыми заводами, чтобы гарантировать широкий ассортимент продукции.
Мы быстро и конкурентоспособно.
Мы в основном предлагаем кремниевые пластины и слитки FZ, кремниевые пластины и слитки CZ, пластины EPI, пластины SOI, целевые материалы PVD, монокристаллические германиевые пластины, sapphire wafer, кремниевый твердосплавный полупроводниковый полупроводниковый материал, арсенид галлия, фосфид индия, нитрид галлия и другие полупроводниковые материалы.
Наши опытные сотрудники готовы предоставить Вам своевременные и надежные услуги, не стесняйтесь обращаться к нам.
Доверие – это краеугольный камень! Качество жизни! Инновации — движущая сила!