Certification: | RoHS |
---|---|
Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Material: | Silicon |
тип fet: | n-канал |
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
ТИП
|
ОПИСАНИЕ
|
---|---|
Категории
|
Полупроводниковые устройства
Транзисторы
FET, МОП-транзисторы
Одиночные FET, МОП-транзисторы
|
Пакет
|
Лента и катушка (TR)
|
Тип FET
|
N-канал
|
Технологии
|
МОП-транзистор (оксид металла)
|
Напряжение от источника до источника (Vdss)
|
30 В
|
Ток - непрерывный слив (ВД) при 25°C.
|
25A (Ta), 85A (TC)
|
Напряжение привода (макс. RDS вкл., мин. RDS вкл.)
|
4,5 В, 10 В.
|
RDS ON (Max) @ ID, Vgs. (RDS вкл. (макс.) @ ID, V
|
2,2 МОМ при 20 а, 10 В.
|
VGS(TH) (макс.) @ ID
|
2 в при 250 мкА
|
Заплата за затвор (QG) (макс.) при Vgs
|
155 нКл при 10 В.
|
VGS (макс.)
|
±20 В.
|
Входная емкость (CISS) (макс.) при VDS
|
9000 пФ при 15 В.
|
Функция FET
|
-
|
Рассеивание мощности (макс.)
|
2,1 Вт (Ta), 83 Вт (TC)
|
Рабочая температура
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
Тип монтажа
|
Монтаж на поверхность
|
Комплект устройств поставщика
|
8-DFN (5x6)
|
Упаковка / корпус
|
8-PowerSMD, плоские выводы
|
Базовый номер продукта
|
АОN640
|
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями