Послепродажное обслуживание: | 1 год |
---|---|
Гарантия: | 1 год |
Тип: | ри |
Все еще решаете? Получите образцы $ !
Запросить Образец
|
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Проверено независимым сторонним инспекционным агентством
Система травления реактивных ионов (RIE)
Реактивное ионное травление (RIE) может использоваться для подготовки микронано-структур и является одной из технологий производства полупроводников. В процессе травления РЭИ различные активные частицы в плазме образуют летучие продукты с поверхностью материала. Эти продукты отнимаются от поверхности материала, и, наконец, достигается анизотропная микроструктура травления поверхности материала. Продукты серии RIE (Reactive ion ion ion etcher) основаны на плоской емкостной технологии плазменной резки и подходят для узорчатой гравировки кремниевых материалов, таких как однокристальный кремний, поликристаллический кремний, нитрид кремния (Siny), оксид кремния (SiO), кварц (Quartz) и карбид кремния (SiC); Может использоваться для создания узора и расслоения материалов, например фоторезиста (PR), PMMAHDMS и других материалов; может использоваться для физического травления металлических материалов, таких как никель (Ni), хром (Cr) и керамические материалы; может использоваться для травления материалов, содержащих индий (InP), при комнатной температуре. Для некоторых травлений с более высокими требованиями к процессу также можно использовать травление ICP RIE.Пункт | MD150-RIE | MD200-RIE | MD200C-RIE |
Размер изделия | ≤6 дюйма | ≤8 дюйма | ≤8 дюйма |
Источник РЧ-мощности | 0 Вт/500 Вт/1000 Вт регулируемый, автоматическое согласование | ||
Молекулярный насос | -/620(л/с)/1300(л/с)/Пользовательский | Антисептика620(л/с)/1300(л/с)/Пользовательский | |
Косопощадная насос | Механический насос/сухой насос | Сухой насос | |
Давление процесса | Неконтролируемое давление/0-1Уконтролируемое давление | ||
Тип газа | H/CH4/O2/N2/AR/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЙ (До 9 каналов, без коррозионного и токсичного газа) |
H2/CH4/O2/N2/AR/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBR (до 9 каналов) | |
Диапазон газов | 0–5 ссм/50 ссм/100 ссм/200 ссм/300 ссм/500 ссм/пользовательский | ||
Блокировка нагрузки | Да/Нет | Да | |
Контроль образца | 10°C~Room tem/-30°C~100°C/Custom (Пользовательский) | -30°C~100°C /Пользовательский | |
Охлаждение гелием спины | Да/Нет | Да | |
Внутренняя панель технологической полости | Да/Нет | Да | |
Управление стенками гнезд | No/Roomtem~60/120°C (Нет/Роомтем~0/2°C) | Помещение tem-60/120°C | |
Система управления | Авто/Пользовательич | ||
Травление материала | Кремниевая: Si/SiO2/SiNx ··· IV-IV: НИЦ Магнитные материалы/легированные материалы Металлический материал: NI/Cr/Al/Au ..... Органический материал: PR/PMMA/HDMS/Органический фильм...... |
На основе кремния: SI/SiO2/SiNx...... III-V(3): INP/GaAs/GaN...... IV-IV: НИЦ II-VI (3): CdTe...... Магнитные материалы/легированные материалы Металлический материал: NI/Cr/A1/Au...... Органический материал: PR/PMMA/HDMS /органическая пленка... |