Реактивный ион Etching System Rie Failure Analysis ICP EBAam (Анализ сбоев РИ при ВЧД

• Послепродажное обслуживание: 3 год
• Гарантия: 1 год
• Тип: Электрические травления машина
• Объект: ри
• Применение: ри
• Точность: Высокоточный
• Модель №.: MD150-RIE MD200-RIE MD200C-RIE
• Состояние: Новый
• Торговая Марка: minder-hightech
• Происхождение: Китай
• Производственная Мощность: 100

Описание Товара

Система травления реактивного иона
РИ

Материалы:
Слой пассивации: SiO2, SiNx
Backsicon
Слой клея: Загар
Сквозное отверстие: W

Характеристика:1. Травление слоя пассивации с отверстиями или без них; 2. Гравировка клеевого слоя; 3. Травление на задней части

Конфигурация проекта и схема структуры машины

Пункт	MD150-RIE	MD200-RIE	MD200C-RIE
Размер изделия	≤6 дюйма	≤8 дюйма	≤8 дюйма
Источник РЧ-мощности	0 Вт/500 Вт/1000 Вт регулируемый, автоматическое согласование
Молекулярный насос	-/620(л/с)/1300(л/с)/Пользовательский		Антисептика620(л/с)/1300(л/с)/Пользовательский
Косопощадная насос	Механический насос/сухой насос		Сухой насос
Давление процесса	Неконтролируемое давление/0-1Уконтролируемое давление
Тип газа	H/CH4/O2/N2/AR/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЙ (До 9 каналов, без коррозионного и токсичного газа)		H2/CH4/O2/N2/AR/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBR (до 9 каналов)
Диапазон газов	0–5 ссм/50 ссм/100 ссм/200 ссм/300 ссм/500 ссм/пользовательский
Блокировка нагрузки	Да/Нет		Да
Контроль образца	10°C~Room tem/-30°C~100°C/Custom (Пользовательский)		-30°C~100°C /Пользовательский
Охлаждение гелием спины	Да/Нет		Да
Внутренняя панель технологической полости	Да/Нет		Да
Управление стенками гнезд	No/Roomtem~60/120°C (Нет/Роомтем~0/2°C)		Помещение tem-60/120°C
Система управления	Авто/Пользовательич
Травление материала	Кремниевая: Si/SiO2/SiNx ··· IV-IV: НИЦ Магнитные материалы/легированные материалы Металлический материал: NI/Cr/Al/Au ..... Органический материал: PR/PMMA/HDMS/Органический фильм......		На основе кремния: SI/SiO2/SiNx...... III-V(3): INP/GaAs/GaN...... IV-IV: НИЦ II-VI (3): CdTe...... Магнитные материалы/легированные материалы Металлический материал: NI/Cr/A1/Au...... Органический материал: PR/PMMA/HDMS /органическая пленка...

Результат процесса
^{Гравировка на основе кремния
Материалы на основе кремния, наноотпечаток, массив
узоры и рисунок объектива}

Инд. Нормальная температура травления
Схема травления устройств на основе InP, используемых в оптической связи, включая структуру волновода, резонистую структуру каркаса и т.д.

Гравировка материала SIC
Подходит для микроволновых устройств, устройств питания и т.д.

Физическое разбрызгивание, травление органических материалов

Применяется к офортировке трудноподдаемых травлению материалов, таких как некоторые металлы (например, Ni/Cr) и керамика, а узорное выживление материалов реализуется физической бомбардировкой.

Используется для травления и удаления органических соединений Например, фоторезист (PR)/PMMA/HDMS/полимерный

Материал пленки Cermet (Au/Ni/Cr/Al2O3)


Отображение результатов анализа неисправностей


Технические характеристики:
1. Не допускайте летания стружки
2. Минимальный узел, который может быть обработан: 14 нм;
3. Скорость травления SiO2/SiNx: 50–150 нм/мин;
4. Шероховатость поверхности: <1 нм;
5. Поддержка слоя пассивации, адгезиального слоя и задней силиконовой травления;
6. Коэффициент выбора Cu/Al:>50
7. Универсальный компьютер ДxШxВ: 1300 x 750 мм X950 мм
8. Поддержка выполнения одним щелчком мыши

Сайт заказчика: