Индивидуализация: | Доступный |
---|---|
LED Тип упаковки: | Чип |
Чип Материал: | ИнГаН |
Все еще решаете? Получите образцы $ !
Запросить Образец
|
Поставщики с проверенными бизнес-лицензиями
Проверено независимым сторонним инспекционным агентством
Параметр | Символ | Значение | Единицы измерения |
Рассеивание мощности | PD (Энергетический доппл | 315 | MW |
Передний ток | Если | 90 | МА |
Обратное напряжение | VR | 5 | В. |
Диапазон рабочих температур | Сверху | -40 ~+100 | °C |
Диапазон температур хранения | Tstg | -40 ~+100 | °C |
Пиковый пульсирующий ток | ИФП | 100 | МА |
Электростатический разряд | ЭСР | 2000 (HBM) | В. |
Параметры | Тест Состояние |
Символ | Значение | Единицы измерения | ||
Мин. | Тип. | Макс. | ||||
Длина волны при пиковом излучению |
Если = 20 мА | λ пиковое значение | 750 | -- | 755 | нм |
Полоса пропускания спектрального излучения | Если = 20 мА | △ λ | -- | 12 | -- | нм |
Напряжение переднего хода | Если = 20 мА | VF | 1.6 | -- | 1.7 | в. |
Доминирующая длина волны | Если = 20 мА | λd | -- | -- | -- | нм |
Интенсивность света | Если = 20 мА | по | 30 | -- | 40 | mw |
Угол обзора при 50% IV | Если = 20 мА | 2 θ 1/2 | 120 | Град | ||
Обратный ток | VR=5 В. | ИК | 10 | μA |